Vdd大于Vss引脚


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我目前正在从事我的第一个微控制器硬件设计。我上大学时曾上过微控制器课,但它侧重于软件方面,并使用了预制的开发板(用于Freescale 68HC12)。

我有一个我很犹豫的问题,因为它看起来很基本,甚至很明显,但同时在通过数据表或在线论坛进行搜索时,我找不到明确的答案。

我已经决定使用STM32F7系列芯片,并且在计划其基本电源和接地连接时遇到了该查询。我在144-LQFP封装上看到总共12个Vdd引脚(9xVdd + 1xVdda + 1xVddusb + 1xVddsdmmc),但只有10个Vss引脚。简而言之:在本项目中,我简短地考虑了Microchip的dsPIC33F,并且发现了类似的不平衡情况(7个Vdd引脚和6个Vss引脚)。

我一直在阅读一些入门性的硬件设计文档,并且对于高速设计而言,始终强烈强调在每个Vdd / Vss对中靠近器件放置去耦电容的重要性。我不知道该如何处理那些没有明显Vss配对的Vdd引脚。我的PCB肯定会包含一个接地层,因此我可以简单地将那些未配对的Vdd引脚直接去耦至该平面,但是我总是觉得这些Vdd / Vss引脚配对很重要。

我是否缺少明显的东西?

我在下面提供了几张图片,这些图片展示了我目前将Vdd / Vss对和单个Vdd引脚去耦的策略。如果这两种方法都存在明显问题,请务必告诉我。

解耦一对

解耦单个Vss

Answers:


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作为芯片制造商,我很容易解释这种不平衡的原因。出于不同目的,IC中有多个VDD环,但只有一个接地。不同的VDD环可以具有不同的电压,但接地始终为零伏。

因此,对于地面而言,在引线管脚下方的接地框架中有一个实心铜矩形(这是IC引脚从其延伸出来的)。在内部,可以有数十个都向下粘结到接地铜的焊盘。这样,在IC的不同部分之间的接地就可以很牢固,从而最大程度地减小了衬底电流-流过铜线的电流不会引起诸如IC闩锁之类的问题,这不像引起闩锁情况的强大衬底电流。

因此,在IC中塑料外壳的内部,或多或少地存在您在问题中提到的GND / VCC对。但是对于接地而言,由于引线框架中的接地垫,并不是每个GND引脚都需要从IC封装中伸出-IC封装中的接地铜足够坚固。


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只需通过去耦电容将其余的VDD引脚连接到接地层即可。电源引脚和接地引脚不一定总是相等的。如果整个电路中都有可靠的接地参考,则可以正常工作。


谢谢; 我对此表示怀疑,但在我所看到的任何地方都找不到清晰的答案。
唐·乔

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除了其他原因之外... stm32f7xx是芯片的继任者的继任者...那里的接地引脚比F7上现在看到的要多。F4和后续F7在两个引脚上具有vcore解耦,其中stm32F1xx和'F2xx上的GND ......

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