MLCC-我可以在极低电压的情况下使用高压额定电容吗？

在低压情况下为什么不能使用高压多层陶瓷电容器有重要原因吗？例如，用于3.3V DC应用的50V或100V额定MLCC？

我的眼睛不好，在焊接1206或更小的封装时遇到麻烦，而额定值更高的盖子总是具有更大（更容易焊接）的封装。由于PCB布局，我不能在任何地方都使用THT / DIP组件。

根据Maxim的注释，对于较低的电压，电容似乎总是更稳定。但是，ESR，泄漏等如何？可能有什么问题吗？

注意：我的典型方案主要是去耦电容-使用OS CON作为SMPS电源。无论如何，我仍然很难找到XTAL的大型SMT 15pF电容... :(

使用额定电压远高于所需电压的电容器没有危险，这样做也不会造成性能损失。实际上恰恰相反。

当然，如果电容器两端都有直流偏置（例如，去耦），则希望额定电压比直流偏置高很多，否则，您需要选择电容额定值比需要高的电容器。这是因为当您施加直流偏置时，MLCC的电容会显着下降。

大多数MLCC在额定电压下都不会接近其额定电容。对于X5R电介质，通常在达到额定电压一半时，电容已经降至额定值的一半以下。X7R电介质的性能稍好-达到一半额定电压时，您可能仍会保留70％的额定电容，但即使这样也会下降。

大多数制造商没有提供这些数据，但是包括TDK和Murata在内的一些制造商确实提供了这些测试结果，并且您几乎可以预期，由于技术实际上是相同的，因此同样的趋势将应用于其他制造商。

举一个简单的例子，这是一个0805封装的沼泽标准10uF 10V X7R MLCC。在额定的10V DC偏置下，实际电容仅为4uF。偏置电压为5V时，其性能稍好一些，达到7.5uF。实际上，您必须处于小于2V的偏置电压（额定电压的1/5）才能真正达到10uF的电容额定值。如下图所示。

这就是为什么您通常希望X7​​R的额定电压大于所需DC电压的2倍。对于X5R，您可能希望大于所需DC电压的4倍。越高越好。

额定值较大的唯一缺点是通常要求尺寸较大。但是，对于低电容值（低于100nF），这不是一个太大的问题，您可以在小型封装中轻松找到高额定电压。对于极低的电容（低于1nF），无论如何您都很难找到额定电压低的电容。

如果您能找到仅适用于低压的低值电容器，那会让我大吃一惊。典型的SMD陶瓷电容器的额定电压为50V。

高值陶瓷电容器通常以较低的额定电压提供，但这是因为它们对电压敏感-特定部件可能能够在较高的电压下工作，但不会达到额定电压以上的规定电容。

较大的零件具有较高的电感，因此在高频下它们不如较小的零件那么好。

我快速检查一下，发现即使很小的零件（12pF）也可以提供1206尺寸。

您可以使用较大尺寸的零件，但如果遇到高频零件或零件的自谐振频率很重要的零件，那么如果坚持使用较大零件，则需要格外小心。

对于在典型的爱好物品上的脱钩使用，没关系。