在我正在研究的设计中,我需要一些帮助来选择32.768 kHz XTAL的负载电容器。
这有点长,但是主要的问题是:正确确定负载上限值是否至关重要,以及走线和引线的寄生电容在确定这一点上有多重要。
我的设备使用TI CC1111 SoC,并且基于TI提供的USB加密狗的参考设计。CC1111需要48 MHz高速(HS)振荡器和32 kHz低速(LS)振荡器。参考设计将晶体用于HS振荡器,并将内部RC电路用于LS振荡器。但是,CC11111可以连接到32.768 kHz的晶体振荡器,以获得更高的精度,这是我所需要的。
CC1111 数据手册提供了一个公式(第36页),用于选择负载电容器的值。为了进行完整性检查,我使用该公式来计算参考设计中与48 MHz xtal一起使用的电容值。我认为我应该得到与设计中实际使用的大致相同的数字。但是我得出的电容值与TI使用的电容值不匹配,因此我有点担心。
我的侦查细节如下,但总而言之,48 MHz晶振的数据表说它需要18pF的负载电容。参考设计中使用的两个负载电容器均为22 pF。CC1111数据表中的公式将xtal引线上的负载电容与负载电容器(和C b)的值相关联
或者,根据TI应用笔记AN100,
我之所以这么问,是因为担心如果我选择了错误的负载电容器值,它将无法正常工作,或者频率将是错误的。这些类型的晶体对加载上限值有多敏感?
我的侦查细节:
从参考设计zip文件中包含的Partlist.rep(BOM)中,晶体(X2)和与其连接的两个负载电容器(C203,C214)为:
X2 Crystal, ceramic SMD 4x2.5mX_48.000/20/35/20/18
C203 Capacitor 0402 C_22P_0402_NP0_J_50
C214 Capacitor 0402 C_22P_0402_NP0_J_50
因此,每个负载电容器的值为22 pF。该晶体基于对相关设备的先前TI E2E论坛问题的答案,其内容如下:
Name: X_48.000/20/35/20/18
Descr.: Crystal, ceramic SMD, 4x2.5mm, +/-20ppm 48MHZ
Manf.: Abracon
Part #: ABM8-48.000MHz-B2-T
Supplier: Mouser
Ordering Code: 815-ABM8-48-B2-T
18 pF值来自ABM8-48.000MHz-B2-T的数据表。
谢谢你的帮助。