Questions tagged «pn-junction»

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为什么断开的二极管之间没有电位差?
我知道这个问题听起来很愚蠢,好像当端子连接在一起时会产生电流差,这意味着能量来自某个地方。 我之所以这样问,是因为从我对耗尽区和二极管内建电位的理解来看,如果您在整个二极管上连接一个电压表,就会显示出内建电位的值。 下图对此进行了解释: 首先,电子从n型流向p型,因为n型中的浓度更高,空穴反之亦然。这称为扩散电流。穿过pn边界的第一个电子和空穴是最接近它的电子和空穴。这些载体在彼此相遇时重组,因此不再是载体。这意味着在pn边界附近没有载流子耗尽区域。因为电子离开了n型材料,空穴离开了p型材料,所以在pn边界的n和p侧分别有正电荷和负电荷。这会产生与扩散电流相反的电场,因此不再有电子或空穴越过边界并结合。简而言之,只有边界附近的电子和空穴结合,因为这样做之后,会形成一个电场,阻止更多的载流子交叉。由于该电场而产生的电流称为漂移电流,当处于平衡状态时,它将等于扩散电流。因为在边界处有一个电场(从正电荷指向负电荷),所以存在一个关联的电压。这称为内置电位。 如果从左到右在沿二极管的每个点上采样电场,则质子和电子的数量相等,则将从p区域的0开始。当您接近耗尽区时,您会看到一个小的电场指向p区,这是由受体杂质引起的,该杂质现在具有多余的电子(由于重组),因此现在具有净负电荷。当您靠近边界时,该电场的强度会增加,而当您远离边界时,电场将消失。 如图(d)所示,该电场意味着存在电压。p侧为任意电势,n侧为高于此电势,因为它们之间存在电场。这意味着整个耗尽区都有电位差。这被称为内置电位。 但是,为什么当我在整个二极管上连接电压表时,却看不到内置的电势呢?

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电流如何流入二极管?
我想我或多或少地了解了普通半导体二极管的工作原理:在不同区域掺杂的晶体不同,它们相遇的载流子耗尽,等等。 但是,构建电路的实际二极管并不以n掺杂和p掺杂的硅结尾。它们是小的陶瓷/塑料封装,带有从末端伸出的金属引线。电流需要以某种方式在那些金属引线和内部半导体之间通过。 还有一个问题。如果我正确理解,金属应该是最终的n载体材料- 晶格中的每个原子都会在导带中贡献至少一个电子。当我们将金属引线粘贴到半导体的p掺杂端时,我们应该得到另一个pn结,该pn结的方向错误,正向电流流动。 无论如何,整个组件如何才能在正向传导? 仅仅是使硅金属界面的面积如此之大以至于p /金属结的总反向泄漏电流大于我们希望整个二极管承载的正向电流的问题?(我正在想象大量用于多安培整流器的精细交指的金属和硅)。还是还有其他事情发生?

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为什么发生MOSFET夹断
这个问题与增强型n型MOSFET有关。据我了解,当向栅极施加电压时,在MOSFET栅极下方的绝缘层下方会形成一个反型层。当该电压超过,阈值电压;该反型层允许电子从源极流到漏极。如果电压现在被施加,反转区域将开始锥度,并最终,这将逐渐变细,以至于它将夹断,一旦夹断(它不再能够在高度收缩) ,然后它的长度(宽度)将开始缩小,越来越靠近源。VTVTV_\mathrm{T}VDSVDSV_\mathrm{DS} 我的问题是: 我到目前为止所说的正确吗? 为什么会发生这种夹断现象?我不明白我的书怎么说。它说明了漏极处的电场也与栅极成正比。 据我了解,当MOSFET饱和时,在收缩位和漏极之间会形成耗尽层。电流如何通过该耗尽部分流到漏极?我以为耗尽层不导电...就像二极管一样...
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