Questions tagged «semiconductors»

当一个电子离开时，只会产生一个空穴，而当另一个电子充满时，只有空穴会移动，因此，这两种方式都应以相同的速度传导电流。但有人告诉我，空穴的迁移率比电子高。请解释怎么可能，我很困惑。

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我发现祖父的照片中有一张我认为是RF GaAs FET的照片。这张照片过时（1975年）时，他正在GaAs FET实验室工作。它的背面标有“台面的300μm栅宽”。 我认为这与1977年提交的美国专利US4160984A有关。他被列为发明人之一。 这种结构对我来说是陌生的；栅极，源极和漏极在哪里？有关该结构的任何其他信息将不胜感激。

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因此我知道硅是迄今为止最常见的半导体。但是我也知道还有很多其他选择。碳化硅，锗，SiGe合金，砷化镓，磷化铝镓，听起来很可怕的碲化汞镉... 那么，设备设计师会选择哪些属性呢？我了解对于匹配带隙以提供正确的光子能量的LED和激光二极管来说，这是一个原因，但是还有其他原因吗？ 锗曾经是首选的半导体，但是它很早就被硅引导出来了，现在几乎找不到锗成分。这是为什么？同样，没有人再使用硒整流器（尽管它们具有更明显的缺点，例如极低的反向击穿电压及其物理尺寸）。 这个问题有很多问号。我希望那不是太多。我自己对此感到很好奇，但同时我也想将其作为可供他人使用的资源，因此我尝试了尽可能多的内容，而又不会偏离本主题。

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我听说使用真空管的设备通常比使用固态设备的设备更不易受到电磁脉冲的影响。 我不知道它是否正确，因为我没有找到有关此主题的任何详细研究。 如果属实，这是因为这些设备之间的物理尺寸不同，还是还有其他原因？ 我搜索了这个主题，然后从《科学》杂志上找到了一篇文章。 我搜索了相关部分，并说： 最重要的是，美军本身没有遇到任何问题，因为暴露于EMP的大多数现场设备和船舶的历史可追溯至1940年代和1950年代，其电子系统均依靠真空管。 在1970年代，人们发现真空管的抗EMP硬度比集成固态电路高 2 千万倍（2）。 正如您在最后看到的，它引用了另一篇文章： MA King 等人，“核武器对通信能力的影响概述”，Signal（1980年1月）。 经过2个小时的搜索，我找不到80年代发行的Signal杂志的任何痕迹。 我在同一篇文章中发现了其他引文，并且在《科学》杂志的文章PB Fleming的引文部分中没有其他作者，但是除了这些同名但职业完全不同且与其他无关的人之外，没有关于这些人的任何信息调查报告。 我对真空管抵抗EMP的能力提高1000万倍的说法背后的科学感到怀疑，这听起来像是那时的广告。 资源： 威廉·布罗德（William J. Broad）-《核脉冲（I）：唤醒混沌 科学》 1981年5月29日：第一卷。212，第4498期，第1009-1012页， DOI：10.1126 / science.212.4498.1009

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