我记得在学校时曾学习过,人们可以单独NAND
或通过NOR
门来构建任何逻辑电路。
首先,我想知道这是如何实现的:即,当英特尔制造CPU时,他们使用NAND
/ NOR
gates 来构建所有寄存器等吗,还是它们还有其他更奇特的处理方式?
其次,我想知道以这种方式构造所有内容是否会比使用AND
/ OR
/ NOT
门制作的电路增加传播延迟。
我知道使用时PMOS
/ NMOS
建大门的配置,一个AND
或一个OR
出来的,而不是一个2级NAND
或NOR
这两者都是只有1。因为我知道你可以做一个AND
从2级联NAND
S和一个OR
2个级联NOR
S,它只要制造商同时使用NAND
和,传播延迟似乎就不会增加NOR
。
是否有人对此有任何见识,特别是关于制造IC的实际情况?
NAND
和NOR
门,并且尽量减少使用门吗?比起我使用全部门的方法来解决这个问题,然后用/ 等价的门替换AND
/OR
/NOT
门,这几乎总会带来更好的设计(就延迟/门数而言)吗?NAND
NOR