Questions tagged «flash-memories»



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如何制作1位永久存储电路?
我想做一个简单的电路来存储或保存1位数据。即使电源与电路断开连接,电路也应能够记住LED的状态(亮或灭)。我需要它像手机的硬盘驱动器,闪存或SD存储卡一样工作。 我制作了一个如图所示的电路,输出是一个与470欧姆电阻串联的LED。我使用两个衬套按钮对电容器进行充电或放电,以便输出LED亮起或熄灭。 断开电源或关闭电源后,电路能够记住LED的状态几分钟。 2或3分钟后,电容器完全放电,电路丢失了数据。 如何停止电容器放电?或者如何降低放电速度,以使电路在一周或更长时间后丢失其数据? 在此电路中,我将555用作逆变器(而不是栅极),但我可以使用任何其他IC。我的目标只是制作一个简单的永久性存储器。


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闪存数据保留时间
我想购买其中一款售后市场的Android汽车机头/信息娱乐装置。但是我不认为有一种方法可以在系统软件损坏时重新安装它,因此我担心数据在闪存上的存储时间将持续多久。 我发现了大约10或20年的旧数字,但这是在8位微控制器中找到的大型单级单元,而不是我们今天使用的MLC。 根据SanDisk的说法, MLC闪存数据保留比SLC闪存低几个数量级。 根据JEDEC JESD218A标准,在25°C下的数据保留应为101周。另一个消息来源说:“如果控制器不时地加电以扫描和纠正潜入的任何位错误,则闪存将最好地保留数据。” 他们擦洗这意味着/刷新只是像DRAM一样,这里提出。 数据保留时间延长46倍!难以置信,但是今天在所有闪存设备上都实现了吗? 但是,单个单元没有刷新/清理或ECC的原始数据保留时间是多少?101周* 46 = 89年听起来太过真实了。 此外,纠错有多少改进? 显然,对于一个千兆字节的设备,没有校正到第一次错误的时间将非常短(遵循几何分布?),并且不会接近单个单元的平均时间。纠错是否将集合位的保留时间提高到与单个未经纠正的单元相同的时间?还是可以改善呢?
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