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为什么我的P沟道MOSFET在该H桥中不断消失?
因此,这就是我的H桥: 每次在一个方向上开始使用它时,属于使用方向的P沟道MOSFET和NPN BJT就会在几秒钟内消失。被杀死的MOSFET和BJT发生短路,因此我不能再使用其他方向了。他们死了没有明显的热量或烟雾! 该控制器是一个典型的控制器,仅N沟道MOSFET由PWM信号驱动,P沟道连接至简单的数字输出引脚。数字引脚9和10的默认PWM频率为490Hz(每个PWM输出都是单独的)。我已经杀死了4-5个P沟道MOSFET + BJT对,这可能会在两侧发生。(这取决于我首先使用哪个方向。)电动机是12V汽车雨刮器直流电动机,电源是12V 5A。已连接12V和5V电源接地。 有两件事可能是正确的,但是由于我没有进行全面测试,因此我不确定100%: 在以前的版本中,我为R7和R8使用了1k电阻,但没有任何问题。我将再次尝试,但现在我在P沟道MOSFET上的电量不足。 当我切掉油炸的MOSFET + BJT对时,我可以使用其他方向,而不会杀死其余的MOSFET + BJT对。 请帮助我,这是怎么回事:) 我是否应该在NPN BJT和P沟道MOSFET之间使用电阻? 我应该使用2n7000 MOSFET代替2N2222 BJT吗? 更新:我刚刚用12V 55W灯泡而不是刮水器电动机测试了H桥。在测试期间,P-FET和NPN被杀死。N通道侧由40%PWM信号驱动。没有负载,它没有任何问题。 UPDATE2:我将R7和R8从150R改回了1k。现在,网桥可以再次正常工作,而没有任何组件出现故障。(我已经运行了好几天,但是使用150R电阻器仅能恢复故障几秒钟。)我将按照Brian的建议在GND和+ 12V之间的电桥上添加一些去耦电容器。感谢大家的回答!