Questions tagged «modeling»

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真空管的数学模型?
是否有任何公认的真空管操作代数模型(三极管,四极管和五极管)?以同样的方式,BJT具有Gummel-Poon或Ebers-Moll模型,(超大规模)MOSFET具有截止/线性/饱和代数模型,真空管是否有类似的模型?一个DC精确模型加上一些动态分量(主要电容)会非常好,但是我很难找到任何参考。更好地了解高阶效应(等同于BJT中的Early效应),尤其是如果它们倾向于影响实际设计时,也应该很容易了解。 我是CircuitLab的开发人员之一,真空管是我们最需要的功能之一,并且我正在研究在我们的模拟器中实施是否可行。谢谢!

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忆阻器如何与有源组件一起模拟?
我发现对忆阻器的现有解释要么过于模糊,要么无法进行大量的学术,数学分析。我想从普通工程师可以理解的角度上对忆阻器是什么,它的作用以及它的应用有一个直观的了解。 如果可以用电容器和有源元件模拟电感器,那么我敢打赌,至少在有限的操作区域内,足够聪明的电路也可以模拟忆阻器。尽管此电路可能具有使忆阻器潜在有用的特性,但它仍可能是有用的演示和实验平台。 在某种合理的操作参数范围内,我可以在面包板上构建某种东西,例如忆阻器吗?如果没有,那么可以用理想组件​​模拟的东西呢?总结操作理论的要点,简洁而直观地描述忆阻器是什么,而无需求助于即使理想化的真实组件也无法企及的抽象数学或模型。

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如何从数据表构建SPICE模型?
这可能不是这个问题的理想论坛;如果论坛更适合该问题,请迁移。 我正在寻找一个组件,该组件试图在线定位SPICE模型是徒劳的。但是,该组件的数据表可在线参考。组件的SPICE模型可能利用了数据表中的内容... 因此,当数据表可供参考时,如何构建SPICE模型?我在看LTSpice

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是什么导致我的MOSFET漏极电压下降的这种情况?
最终更新: 了解以前神秘的功率MOSFET开关波形摆动!@Mario在下面揭示了根本原因,这是所谓的VDMOS器件所特有的,它是IRF2805等许多功率MOSFET的典型代表。 更新: 找到了线索!:) @PeterSmith 在以下评论之一中提到了了解MOSFET数据表中栅极电荷规格的绝佳资源。 在第二段的第6页上,第二段末尾引用了v G D > 0 时变为常数(随V D S的变化而停止变化)的想法。,但让我开始思考v G D可能发生的情况:CGDCGDC_{GD}VDSVDSV_{DS}vGDvGDv_{GD}vGDvGDv_{GD} 事实证明,当上升至0V以上时,这是正确的。vGDvGDv_{GD} 因此,如果有人了解该驱动机制是什么,我认为那将是正确的答案:) 我正在仔细研究MOSFET的开关特性,这是我研究开关转换器的一部分。 我已经建立了一个非常简单的电路,如下所示: 在仿真中会产生以下MOSFET导通波形: 漏极电压下降约20%到Miller高原时,会出现拐点。 我建立了电路: 范围很好地证实了模拟: CgdCgdC_{gd} MOSFET方面经验丰富的人可以帮助我理解吗?

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有人再使用运放为物理系统建模吗?
我正在为系统建模和仿真考试学习。因此,教科书说模型分为三类。 图形-框图和信号流图。 物理-物理相似性模型和物理类比模型。 符号-语言和数学模型。 撇开我的怀疑,框图不只是一个数学模型,而是一个微分方程组,这是我的问题。 他们将物理相似性模型定义为原始系统的缩小版本。另一方面,物理类比模型是使用电路对真实系统进行建模。 我以为这是40年前完成的,目前没有任何东西可以击败现代数字计算机的计算能力。模拟电路是否仍用于对某些系统建模?
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