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真空管的数学模型?
是否有任何公认的真空管操作代数模型(三极管,四极管和五极管)?以同样的方式,BJT具有Gummel-Poon或Ebers-Moll模型,(超大规模)MOSFET具有截止/线性/饱和代数模型,真空管是否有类似的模型?一个DC精确模型加上一些动态分量(主要电容)会非常好,但是我很难找到任何参考。更好地了解高阶效应(等同于BJT中的Early效应),尤其是如果它们倾向于影响实际设计时,也应该很容易了解。 我是CircuitLab的开发人员之一,真空管是我们最需要的功能之一,并且我正在研究在我们的模拟器中实施是否可行。谢谢!