Questions tagged «stm32f0»

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鉴于内部振荡器要快得多,何时应该为该MCU使用外部晶振?
我正在看这个MCU,想知道使用外部晶振是否有意义。 从数据表pg1中提取, *时钟管理 – 4至32 MHz晶体振荡器 –用于校准的RTC的32 kHz振荡器–带x6 PLL选项的内部8 MHz RC –内部40 kHz RC振荡器 – 内部48 MHz振荡器,基于ext自动调整。同步* 内部振荡器可以高达48Mhz。外部晶体在4-32 Mhz之间。考虑到外部晶振成本高且占用空间,为什么内部晶振快于48Mhz的人会使用外部晶振?什么时候应该使用外部晶体?

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使用I2C STM32F0 HAL库寻址寄存器
我对使用STM的CUBE和HAL_libraries非常陌生。我正在使用具有32个引脚的STM32F0微控制器。I2C的原理图是正确的。所以在这里我需要一点帮助。 我有一个使用I2C通信的电容传感器(FDC1004)。我必须写这些寄存器才能读取数据。 我该如何正确地将START请求表的主机发送给从机(从机地址为A0)? 如何设置指向0x0C寄存器的指针? 数据表中看到(寄存器0x0C:bit [7:4])为1。)我不知道,该怎么做?最后如何从同一寄存器读取? 另外,在阅读之前,我必须等待DONE_x字段(寄存器0x0C:bits [3:0])吗? 但是我不知道我是否在寻找正确的寄存器!因为我没有从传感器获得任何数据! 这是我的代码: int I2Ccomm () { HAL_I2C_Master_Transmit(&hi2c1,0xA1,0x0C, 10, 100); //start bit and pointer to register HAL_Delay(50); HAL_I2C_Master_Transmit(&hi2c1,0xA1,0x054, 10, 100); // setting the register HAL_Delay(50); HAL_I2C_Master_Receive(&hi2c1, 0xA0, 0x0C, 10, 100); //read from this register HAL_Delay(50); HAL_I2C_Master_Receive(&hi2c1, 0xA0, 0x02, 10, 100); //read data from …

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了解有关去耦电容器的STM32数据表
我试图了解ST对于STM32F030CC的去耦电容的建议。 数据表中的图显示了Vdd / Vss对上的“ 2x100 nF”电容。这是否意味着每对Vdd / Vss对并联2个100nF电容?还是他们指的是所需的100nF电容的总数,即,如果有2个Vdd / Vss对,那么每个Vdd / Vss对为1 100nF电容,总共2 100nF电容? STM32F030数据表

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STM32F0x1比较器(COMP)和ADC同时在同一引脚上吗?
我正在整理一个利用STM32F051微控制器上的比较器外设的项目。我已经阅读了文档,为了使比较器正常工作,需要将输入引脚配置为模拟...如果您将该引脚用作ADC输入,则设置相同。 我可以使用单个引脚(例如PA1)作为输入并将其配置为窗口比较器输入和ADC_IN1上的ADC输入吗? 我是否应该考虑这种配置的陷阱,例如额外的噪声? 数据表(p 19) 参考手册(p 295) 一个有趣的参考,建议应该可行: 摘自AN4232:STM32F3系列模拟比较器入门
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