Questions tagged «surge-protection»

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为什么不建议使用菊花链电涌保护器
我知道电涌保护器内部的MOV会随着时间的流逝而降低,但是我也看到制造商在包装盒中注明,如果我以菊花链方式电涌保护器,则保护保修无效。 所以问题: 如果存在以下情况,是否可以估算MOV的寿命: 一世。从来没有面对浪潮 ii。在此之前它面临着一些冲击 我购买电涌保护器,并带有指示电涌保护有效性的指标:它们如何工作? 该指标如何知道电涌保护是否仍然有效? 为什么制造商不鼓励电涌保护器的菊花链连接? 我假设大多数使用MOV的现成/商用“计算机”级电涌保护器 我很想知道MOV是否与电涌保护器的交流输出并联? 如果是这样,MOV如何并联影响它们(例如,将R或C并联或串联会改变它们的值/属性)

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压敏电阻?目的和原则
在AL9910 LED驱动器数据手册中,它显示了一个零件,我认为这是一个压敏电阻,是这样吗?压敏电阻显示为跨L和N线连接,但此处串联连接。请说明操作原理。

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所有电涌保护器都会磨损吗,您会如何知道电涌保护器的情况呢?
这个问题来自OP提到的另一个问题: 我知道电涌保护器中的MOV随着时间的流逝而降低 基于此,似乎电涌保护器最终会恶化到无法为电涌提供(预期)保护的程度。 我想问的问题是: 电涌保护器性能下降是否正确?如果是,原因是什么? 是否有经验确定电涌保护器在需要更换之前可以使用多长时间? 有没有办法确定电涌保护器是否旧(或其他原因)?

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无法在负载下执行正确的TVS时的继电保护
我目前正在开发一种产品,该产品具有可以由操作员控制的简单SPDT继电器。对于最终用户,只有公共,常开和常闭触点可用。继电器由我们设备中的电路驱动,该设备具有适当的反激二极管。 最近,我们的一个原型单元出现了问题,其中技术人员将继电器直接连接到电感负载,而没有任何形式的瞬态电压抑制,这导致我们的无线通信由于EMI而被击倒,还可能导致接触拱形。 在确定问题是由于感应尖峰引起的之后,通过将适当的反激二极管连接到负载,可以快速解决问题。 在这种情况下,我们可以控制要连接的负载,这使我意识到,无论警告和警告的数量如何,当我们将产品用于感性负载时,我都不相信最终用户会实际安装适当的瞬态电压抑制设备。我们可能提供的典型应用原理图。 现在,很明显,有很多解决感应尖峰的解决方案,但是该设备必须工作的特定情况使得实现TVS非常棘手: 1)该继电器是通用SPDT继电器,额定值为250VAC / 120VAC @ 10A或30VDC 8A。这意味着TVS电路必须能够处理交流电(主电源或非市电)和直流电,电流最高可达10A。这使得找不到PTC保险丝成为可能,因为大多数保险丝无法处理电源电压,特别是不能承受10A的电压。 2)该设备将安装在不可能更换任何物品的地方,安全是我们的主要关注点。如果客户端未安装保险丝,并且继电器短接失败(这种情况很少见,但有可能发生),则他们很可能会怪我们。这也意味着我不能使用MOV,排气管或任何其他使用寿命有限的TVS设备。 3)任何TVS设备都绝不能短路,如果短路,我必须确保保护负载免于短路。 我已经尝试了RC缓冲网络的仿真,但是仅凭这些就无法在电感负载足够大的情况下起作用。同样,使用更大的电容器意味着在使用交流电时会损失更多。理想情况下,1nF会提供足够的阻抗(在50 / 60Hz时为1Mohm以上),以使任何损耗都微不足道。 这是电感负载较大的模拟结果。更改电阻器和电容器的值仅影响振荡稳定下来的时间,而不影响峰值电压,这肯定会杀死任何电阻器或电容器,或使触点产生电弧。 背对背的齐纳二极管与RC缓冲网络一起有效地限制了电压尖峰,但是由于它们必须阻断电源电压,因此,它们所需要的阻断作用远不止于近似。350V(电源峰值电压)直到它们开始导通为止,我担心这仍然是一个很高的峰值,足以杀死附近的任何EMI无线通讯。 那么,在这种情况下我完全没有希望了吗? 在这种情况下我还能使用其他TVS设备/技术吗?如果是这样,我是否可以保证它们不会短路故障,或者至少可以防止TVS设备短路? 还是仅仅是RC缓冲器实际上是解决此问题的好方法?如果是这样,为什么?我该如何选择合适的零件? 请记住,我无权访问实际负载,也无法对用户如何连接负载进行任何假设。

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裸露的电路接地引脚上的ESD冲击
我为电池供电的设备设计了一种电路,该电路的USB连接器外露,可以充电和传输数据。这是一个非标准,可对接的USB连接器,没有可用的屏蔽连接,整个电路都装在一个塑料外壳中,没有底盘/没有保护性接地,如下图所示: 对于ESD保护,我几乎遵循此处提供的确切设计建议:http : //www.semtech.com/images/promo/Protecting_USB_Ports_from_ESD_Damage.pdf 当Vbus,D +或D-被正或负ESD脉冲击中时,我可以看到电流路径,即,转向二极管正向传导负脉冲或转移至中央TVS以获得正脉冲,如果我的理解关闭,请纠正。 但是,我不确定如果裸露的GND引脚本身受到击穿会怎样。 问题: GND引脚上的负ESD冲击是否与Vbus上的正脉冲具有相同的效果,即中央雪崩TVS击穿导致钳位? 如果在GND上产生正ESD冲击,则转向二极管和/或中央TVS会向前传导,并将全部能量(如果有的话,减去1个二极管Vf的压降)传递给电路的其余部分,从而破坏严重性!我试图描述以下情况: (图片经以上链接修改) 我正在考虑的解决方案: 断开Vbus与中央TVS的连接,并在Vbus与GND之间引入一个独立的双向TVS,并为其余电路提供后续的反向电压保护(以承受双向TVS的-Vclamp)。它仍然可能无法阻止转向二极管导通,另外在其他裸露的IO引脚上还有其他单向TVS二极管与GND并联,这也可能会导通。 在裸露的USB GND和电路GND之间引入一个铁氧体磁珠,以防止它提供任何微弱的阻抗! 任何建议/见解都欢迎,谢谢! PS: 由于电路可以从Vbus汲取功率,因此不能在Vbus-GND回路中添加串联电阻 根据IEC 61000-4-2级别4(8 / 15kV接触/空气放电)进行计划的测试。在测试过程中,如果不连接USB电缆,设备将依靠电池供电,因此可以轻松访问所有引脚以防ESD冲击。

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齐纳二极管提供过压保护
我正在考虑将齐纳二极管用于数字输入引脚的过压保护。 典型IC引脚的绝对最大额定值从(GND-0.3V)至(VDD + 0.3)。 我可以使用齐纳二极管将电压限制在VDD以下。但是,典型的齐纳二极管的正向电压为0.7V。无法将低电压限制为-0.3V。 我的信号是1MHz信号,因为它是边际差异并且持续时间很短,可以安全地忽略吗?

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瞬态电压抑制二极管无法正常工作
我有一个可在21V DC上工作的电路,可吸收3A最大电流。我需要对其进行IEC 61000-4-4和61000-4-5标准的浪涌抗扰度测试。 我使用UL认证的开关模式电源为设备供电。电源实际发出的浪涌超过21V(大约+/- 150V)。 因此,我在电路中加入了TVS二极管SMLJ22CABCT-ND,以防止电涌。该二极管的响应时间约为5皮秒。但是浪涌测试中给出的脉冲是2KV的8/20μs脉冲。如图所示,这反过来使电源产生浪涌。如您在图像中所见,输出变化了几微秒。 我的问题是为什么TVS二极管没有抑制高压。过压会损坏我的电路。 电源电路原理图如下。 电路中没有很多保护。21V用于不同的接口。我需要找到解决方法,而不是设计新的电路板。 IEC 61000-4-5 的测试电路是标准的。 1KV跨越实时和中性;2KV穿越地线,中性线和地线(详细说明)

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