Questions tagged «transient-suppression»

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确切地说,什么是“ XY”额定安全电容器?
请帮助我理解这一点。在一个显着的480v,6kW交流伺服驱动器中,跨越三个输入相,放置了三个22mm的“ XY”类10nF电容,用于抑制EMI。同样,从这三个阶段中,三个完全相同的“ XY”盖都进入了机箱接地: 模拟此电路 –使用CircuitLab创建的原理图 现在,我的理解是,“ X”级电容设计用于短路短路而无法取出保险丝。因此,应在阶段中使用“ X”。而“ Y”级盖设计为无法打开,以免电击任何人。因此,应从相到地使用“ Y”。显然,我们不能在这里同时做这两种事情……那么,什么是“ XY”额定安全电容器呢? 480v总线上额定400 / 500v安全帽的用法:


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如何限制浪涌电流?
我正在设计一个由USB供电的设备。该设备使用FTDI FT2232芯片进行USB连接。根据计算机发出的命令,FT2232芯片应通过MOSFET开关启用电源,以接通其余电路。该附加电路的电容为50uF(FPGA +辅助电容),并由同一USB端口供电。开关打开后,这个额外的50uF电容将吸收大量电流,直到充电为止。 如何限制浪涌电流:1)避免电源轨上的电压降; 2)避免USB PTC断开设备电源? 将铁氧体磁珠与MOSFET开关串联以限制浪涌电流是否足够?还是应该使用特殊的芯片,例如用于限制电流的芯片或用于转换速率控制的芯片? 注意:所有设备均由3.3V供电。因此,如果它不会阻止LDO输出稳定的3.3V,则5V电源轨上的小压降就不成问题。

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直流瞬态保护中使用的双向齐纳二极管是什么?
我经常看到两个齐纳二极管(彼此相对)横跨电源导轨。我不明白为什么这是必要的。 例如,如果我有一个16V齐纳二极管和一个12V电源轨,则16V齐纳二极管将保护电源免受16V以上的瞬变影响。它还可以防止-0.7V以下的负瞬变-例如,如果我倒转了电池。 为什么将两个齐纳二极管对置会改善这一点。假设我在同一设置中放置了两个15V稳压器。现在,它将保护电源免受〜16V以上瞬态电压的影响(可以)。但现在它只能保护电源免受低于-16V(而非-0.7V)的负瞬变的影响。为什么有人要这个?我不希望供应链在任何阶段都走负! 例如:请参阅http://cds.linear.com/docs/Datasheet/4359f.pdf中的示例电路

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该继电器电路中的反激二极管问题以及吸合和保持电流问题
尽管这可能是一个基本问题,但我仍在努力。在该示意图中,两个齐纳二极管D1和D2跨接在继电器线圈L1上。Q1的BVds = -30V。我可以对D1和D2使用15V(Vz = 15V)齐纳管,而不是5.1 V齐纳管吗?继电器关闭期间继电器线圈或触点会损坏吗?如果需要,我正在使用此继电器(5V DC标准线圈)。 另外,为了减少继电器线圈的稳态电流消耗,我想使用示意图中所示的RC ckt。Q1接通后,未充电的电容器会立即以完全短路的形式出现,从而使最大电流流过继电器线圈,并闭合继电器触点而不会产生颤动。但是,随着电容器充电,继电器线圈两端的电压和通过继电器线圈的电流都会下降。当电容器充电到所有流过继电器线圈的电流都流过R1时,电路达到稳态。触点将保持闭合状态,直到移除驱动电压。 这是放置此RC ckt的最佳位置-原理图中标有“ A”或“ B”的部分。会有所不同吗?在我看来,B部分似乎是最佳选择,因为当Q1关断时,电容器C1可以通过R1接地。相反,当我将RC ckt放在A部分时,C1将如何放电?我在这里想念什么吗?将此RC ckt放置是否有副作用?有更好的解决方案吗? 如果我错了或遗漏了什么,请纠正我? 2012年7月9日的UPDATE1: 在上面的示意图中说,我有6V DC标准线圈(请参见上面的数据表),48.5欧姆继电器。并假设C1 = 10uF。假设在上图中,R1C1 ckt放置在A部分。电源为+ 5V。 对于继电器线圈两端的3V(保持电压)下降,电流必须约为62mA。通过线圈。因此,稳态时R1两端的压降为2V。对于稳定状态下通过继电器线圈的62mA电流,R1必须为32.33欧姆。 在稳定状态下,C1上的电荷为2V x 10uF = 20uC。 现在,在本数据表中,运行时间最坏情况下为15ms。根据以上数据,我们得到RC = 48.5ohm x 10uF = 0.485 ms。因此,一旦Q1打开,C1将在2.425 ms内充满电。 现在我如何知道2.425 ms的持续时间足以使继电器使其触点闭合? 同样,一旦Q1关断,由于产生的反电动势并由齐纳二极管D2(Vz = 3.3V)钳位至3.3V,加上二极管D1的压降为0.7V,C1两端的电压将为-2V +(-3.3 V-0.7V)= -2V。但是C1上的电荷仍为20uC。由于电容是恒定的,因此在关闭Q1之后,当C1两端的电压立即从+ 2V降至-2V时,电荷必须减少。 违反Q = CV吗? …

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瞬态电压抑制二极管无法正常工作
我有一个可在21V DC上工作的电路,可吸收3A最大电流。我需要对其进行IEC 61000-4-4和61000-4-5标准的浪涌抗扰度测试。 我使用UL认证的开关模式电源为设备供电。电源实际发出的浪涌超过21V(大约+/- 150V)。 因此,我在电路中加入了TVS二极管SMLJ22CABCT-ND,以防止电涌。该二极管的响应时间约为5皮秒。但是浪涌测试中给出的脉冲是2KV的8/20μs脉冲。如图所示,这反过来使电源产生浪涌。如您在图像中所见,输出变化了几微秒。 我的问题是为什么TVS二极管没有抑制高压。过压会损坏我的电路。 电源电路原理图如下。 电路中没有很多保护。21V用于不同的接口。我需要找到解决方法,而不是设计新的电路板。 IEC 61000-4-5 的测试电路是标准的。 1KV跨越实时和中性;2KV穿越地线,中性线和地线(详细说明)
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