Questions tagged «capacitance»

电容是人体存储电荷的能力

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什么电容器是最好的替代品
在西非生活和工作。我们不能在这里购买电容器,我们只能乞求(并支付)维修车间中用于倒带电动机的旧零件。 我们的灰水泵坏了,始终连接的运行电容器没电了。它是一种简单的400W单相感应电动机。我可以手动启动。但是它不会再单独开始。失效电容器标记为6 uF。 我在本地找不到6 uF电容器,已经在三个不同城镇的几个车间中问过。我找到了一个用过的5 uF(圆柱形,与死者相同的大小)和一个1.25 uF(小盒形单位)。 由于没有水封,我无法再打开泵很多次,因为每次打开和关闭橡胶圈时都会受到橡胶圈的影响。 问题:应该并行安装5 uF + 1,25 uF的组合,还是仅安装5 uF?请考虑哪些优点和缺点? 有很少的文献资料,我可以应用一些公式吗?(这只是一个标有400W的花园中心的污水泵。)如果我可以计算“标称所需的电容”,那么我最好决定是将1 uF设置得太低还是将0.25 uF设置得太高。并联安装两个不同电容器的附加功能。 有现实生活中的维修经验的用户怎么看? 我可以告诉你,没有任何负载(在工作台上干了)的电动机仅在5 uF上启动。但是我想知道,将叶片浸入水中的额外负荷(物理摩擦)是否足够。当地的维修老手(未经任何正规教育)建议仅安装5 uF。但是我将比原来的电容低17%。 为什么我不只是从德国订购一个新的6 uF电容器?我照做了,但是邮购和运往西非要花几个月的时间。而且我确实爱我的家人,并且想修理我们的抽水马桶系统。因此,感谢您的帮助。这不是理论问题,而是要帮助我解决一个实际问题。谢谢。(这是我在这里的第一个问题。如果我弄错了,请不要恨我,而请帮我编辑以使其正确。我喜欢Stackexchange。)

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串行信号中的噪声(与电容有关?)
“执行摘要”图片: 我想解码平板电脑的耳机插孔发出的串行信号。这是一些手机和平板电脑中存在的某种怪异的“ hack”:基本上,如果您在TRRS插头的麦克风输入中提供3.3V电压,则左右声道变为串行TX / RX。 我使用Raspberry PI TRRS-to-TV电缆(如第二张图片所示)访问所需的4个位置:GND,MIC,L,R。该电缆除了裸露外不应做任何其他事情三种相应的电缆(红色,白色,黄色)中的3个信号(MIC,L,R-与GND配对)。 我使用BitScope的探头在TX(第二张图片中的白色电缆尖端)和公共GND(第二张图片底部的棕色探头)之间进行探测。我还使用了两个探针(红色和蓝色一个)将USB / TTL芯片(插入笔记本电脑的PL2303HX)中的3.3V电压“馈入” MIC(红色)尖端。 重新启动平板电脑后,我的确确实看到了一个毫无疑问的串行信号,即115200(峰峰值为8到9us),但是电容很大(视频)。 所以,我的问题-在我上线订购TRRS插头,电缆和电烙铁之前-我看到的电容是由于... 1米长的TRRS-to-TV电缆,或使用探头代替焊接电缆 要么 探针和电缆实际上不能解决这么大的电容,我之所以看到这是因为平板电脑的耳机插孔根本不是设计来发出此信号的(即,我所看到的确实是从插孔中发出的信号) 。 您可能会猜到,我对这种事情非常陌生。我是一名软件专家,一周前购买了BitScope,并且希望通过“乐趣和获利”来访问平板电脑的系列产品(窃取Bootloader内容,为其编译Cyanogenmod等)。 我很想知道这是否是一个丢失的原因(即电缆不能解释这么大的电容),所以我不胜感激。 在此先感谢您的帮助/建议。

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如何确定SEPIC转换器的耦合电容?
我在SEPIC转换器上看到的应用笔记1都告诉我调整耦合电容器的大小以适应纹波电流和电压。我还没有看到一个告诉我如何调整电容大小的方法。显然有一些最低要求;零电容意味着没有耦合,因此输入对输出没有影响。为了使开关效应从输入耦合到输出,我们需要足够的电容来压倒转换器输出侧的任何寄生电容。我认为,也许1000 pF应该这样做,具体取决于电路中发生的其他情况。但是我继承的参考设计使用了一个1 uF的电容帽,对于这个目的来说似乎有些过头了。这使我认为,确定电容器的尺寸还有很多事情要做,而不仅仅是克服寄生电容。 如何在SEPIC转换器中正确选择耦合电容器的尺寸? 1 例如,此德州仪器(TI)AN-1484 设计SEPIC转换器。

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为什么跨我的FET的电容器可以最大程度地减少振铃/失真?
我正在设计基于H桥的24V至350V DC-DC转换器。功率要求为500W,电路工作频率为20KHz。该设计工作得相当好,在200W负载下,我已达到约90%的效率。电路的主要问题是振铃。当变压器连接到H桥时,波形失真/响起。没有变压器,即使在负载下,波形也非常干净。下图显示了连接了变压器但没有任何负载的波形。 我发现在所有FET上增加一个电容器有助于最大程度地减小失真。这是我的o镜显示的一张照片(左为无负载,右为200W电阻负载)。请注意,变压器的输出由全桥整流器整流,并由电容器进行平滑处理: 所以我的问题是:为什么我的FET两端的电容器可以最大程度地减少失真?电路中正在发生什么?我最初在FET两端添加了一个RC缓冲器,但是在没有电阻器而只有电容器的情况下,该电路的性能要好得多! 这是原理图和布局的图片:



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在LTSpice中模拟接地
我希望模拟与LTSpice中的电路GND分开的接地或框架接地。我想在下图中使用Y电容器C2和C3模拟线路滤波器。 为了清楚起见,请参见下图。 我可以将输入源的负极端子视为中性线,那该接地吗?如果是,那么我该如何连接到现在已经连接了GND的C2和C3的公共连接? 有一种选择是在仿真中放置两种不同的地面,一种用于中性,另一种用于框架地面。现在,要在中性线和机架接地之间放置什么寄生元素以模拟机架接地?

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有人有非教科书类比来解释电路的元素吗?
我想知道是否有人可以用类比来解释电感器,电容器,晶体管,二极管和运算放大器的作用? 我了解基本概念;我目前是电气工程专业的学生。我已经知道教科书的定义了,但是我只是想知道是否有人能将类推法中的所有东西都归纳起来。:)我想进一步提高自己的理解力,但是老实说,仅从课堂和书籍中学习东西是困难,痛苦和无聊的,因为作为一名学生,要看到大图片仍然是一个挑战。

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如何计算电池等效电容?
我有一个1.25V 2Ah电池,并且我试图为每个电池计算一个额定电压为2.7V的等效电容。这是我所做的: 电池工作=1.25V⋅2A⋅3600s=9000J1.25V⋅2A⋅3600s=9000J1.25V \cdot 2A \cdot 3600s = 9000J 从电容器工作方程式: W=0.5⋅C⋅V2W=0.5⋅C⋅V2W = 0.5 \cdot C \cdot V^2 9000J=0.5⋅C⋅2.7V29000J=0.5⋅C⋅2.7V29000J = 0.5 \cdot C \cdot 2.7V^2 C=2469.1358FC=2469.1358FC=2469.1358F 它是否正确?

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这种方法会准确地测量电容并推断出间距吗?
在开始设置以下电容测量方法之前,我对任何反馈或警告均感兴趣。 为了进行实验,我遇到了需要测量和跟踪两个样本之间的间距(分辨率为0.1 mm或更高)的需求。由于其余设置的限制,经过一些研究,在我看来,电容测量方法最适合推断间距。 以以下简化为目标: 我想测量/跟踪本质上构成一个大电容器的2个铜板(每个2cm X 2cm)之间的距离。 注意: 下面的 AD7746是2通道,24位sigma-delta电容数字转换器 想法:从C=ε0ε[R一个dC=ε0ε[R一个dC=\varepsilon_0\varepsilon_r \frac{A}{d}在空气的电介质板面积恒定的情况下,测得的电容与距离成反比是当然的。因此,我首先要获取一些校准数据,然后使用该校准数据进行相应调整,以从任何测得的电容值推断出距离。 测量方法:考虑到我对0.1mm分辨率或更高要求的严格要求,我打算使用Analog Devices电容测量IC AD7746进行精确测量。 我应该注意哪些事情才能获得尽可能干净的测量结果,或者我可以改进哪些方面?上面的代码能否使我获得所需的分辨率,还是容易出现我没有看到的错误源? 一个可能的改进是:我在想,由于AD7746具有两个通道,所以我什至可以使用额外的通道同时测量一对完全固定的 /基准板,并使用它来消除任何温度或EMI的影响。嗯,不确定这些因素有多重要... 更新(更多详细信息):关于我的设置以及存在的限制的更多信息:实验涉及一个较大的样本,该样本位于上方,与顶板接吻。样品大约为75mm X 75mm(非金属),在垂直运动过程中会压碎顶板。 因此,没有空间放置与Y轴运动垂直平行的任何传感器。垂直位移/间隙的任何感测都必须水平完成,或者将零件安装在底板位置的板上。 话虽如此,只是为了我建议的测量方式添加了顶板,而并非绝对必要。我的主要目标是测量上述75mm X 75mm样品垂直于底部的距离。 更新(测量结果):我对电容测量进行了快速测试,并且能够以大约0.2毫米的步长相当清楚地分辨出电容数据。到目前为止,我在电容测量中遇到的噪声太大,无法获得比该分辨率更好的分辨率。我试图改变一些东西,看看是否可以改善电容测量中的SNR。

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模仿人的电容
在Kickstarter的视频中,一个名为Tapcaps的项目正在模仿人类的电容来触发电容式触摸屏(iPhone)的触摸。在视频中的0:45,我们可以看到该设备的概况。它有点像RFID标签。 谁能解释这个装置的运作方式?

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为什么理想的电容器会产生矩形循环伏安图(CV)?
许多科学家对开发超级电容器感兴趣,超级电容器在带电板之间具有电解质而不是固体电介质。在电化学领域,循环伏安法(CV)通常用于确定超级电容器中电极(例如,碳基电极)的电容。 我经常听到,理想的电容器会产生矩形的循环伏安图(CV)。您能帮我理解为什么会这样吗?换句话说,为什么理想的电容器一旦施加电压V就会达到恒定电流I? 我确实在许多文献文章中都看到了几乎理想的简历(CV相当矩形,带有圆角)。但是,在其他图中,我看到了与“带有圆角的矩形”的相对偏差,因为我看到了突然出现的峰值,峰值或谷值。 例如,下面我已经绘出了从两个数字Khomenko,Electrochimica ACTA 2005,50,2499年至2506年。只是非常粗略和“手波浪形”,图8(左)的“带有圆角矩形”行为和图4(右)的“突变峰”行为的定性原因是什么?可能是图8中的样品(左)相对于施加的电位没有反应,而图4中的样品(右)则经历了氧化还原(法拉第)反应-表明存在所谓的伪电容-当外部电位存在时被申请;被应用? 请知道,我不是在寻找与我链接的文章有关的答案。我只是在循环伏安法的基本,定性方面提出这个问题。谢谢!
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