Questions tagged «memory»

如果这是一个购物问题，那就太好了-但它有99％+可能是电子构造问题：-(。 我希望找到最快/最简单/最便宜的方式来读取损坏的USB记忆棒中的4GB NAND闪存IC。板载控制器IC失效了，闪存IC也可能失效了，但我认为直到发现其他情况时才失效。 阅读可能涉及 （1）制作自定义阅读器， 由于与Flash的连接很少（8个数据和少量控件），因此可能不是一个完全愚蠢的主意。 如果执行此操作（我尚不知道），那么可以轻松访问数据的可能性有多大。获得一点图像是最糟糕的情况，但是我宁愿有一个可以“照看”文件系统和文件的东西。当然。 （2）焊接新的控制器IC 我尚不知道这些设备是否在其他设备中普遍使用。到目前为止，已检查的1个样本具有100％不匹配。可能有一个行业标准，无论部件号如何，我都还不知道。 SK6211。QFP48。大纲的描述在这里和 数据表在这里。 要么 （3）卸下Micron 29F32G08QAA 32兆位NAND闪存IC。 数据表尚未找到。 标记非常暗淡。这是“标记的增强照片图像”。 所以 有人对我如何最好以原始格式或完全读取该内存有任何建议吗？ 关于6211来源的任何想法，与其他零件的通用性，使用“任何旧的” NAND Flash读取IC的能力等。 任何提示。 背景： 一个曾经警告过需要数据备份的好朋友，由于“丢失了对存储在USB记忆棒中的一组极其有价值的文件的访问权限”，因此没有注意这些警告。她正在学习成为一名老师，并且这些文件是课程计划和很长一段时间内创建的其他材料。 USB记忆棒在插入USB端口时被侧面敲打而受到了严重的物理损坏。显然试图通过将其推到一起来阅读它。当我想到PCB和连接器之间的4个连接中的3个断开时。我已重新焊接了这些焊条，并期望有很大的恢复操作的机会。 当插入USB端口时，记忆棒会消耗大电流（可能是端口受限），并且控制器会变得非常非常热-我首先在IC上烧得很烂，从而发现了这一点。实际的存储器IC在PCB的另一侧。但是似乎也很热，但这可能是由于进入控制器IC的功率很大。将会发生拆焊。 零件编号更正为29F32G08 Q AA

10 memory  flash  usb-device 

如何在PIC中使用malloc()和free()运行？我检查了stdlib.h标头，没有任何提及。我正在使用MCC18。 是否有人需要使用它们？ 我需要它们，因为我正在将库从Windows XP移植到PIC。移植指南说 使操作系统的特定功能适应我的PIC功能 但是我不知道如何“翻译” malloc()和free()功能。

10 pic  memory 

HDD以部分顺序的方式工作。但是，RAM用于随机存储器访问是众所周知的，它允许每次在每个位置进行相同速度的存储器访问。那么，什么使RAM如此特别？随机存储器访问如何工作？（我知道DRAM并非完全是随机访问，而是以突发方式工作。我不确定这也意味着什么。）

10 memory  sdram 

我正在使用飞思卡尔PowerPC微控制器。在数据表的闪存模块中，“闪存访问的等待状态”的数量是可配置的。 以下是数据表中提出我问题的部分，它取自PFlash模块寄存器的寄存器描述： 该字段必须设置为与PFlash的工作频率和PFlash的实际读取访问时间相对应的值。较高的工作频率要求对此字段进行非零设置才能使Flash正常运行。 0 MHz，<23 MHz，所需等待状态= 0 --- 23 MHz，<45 MHz，所需等待状态= 1 --- 45 MHz，<68 MHz，所需等待状态= 2 --- 68 MHz，<90 MHz，需要的等待状态= 3- （PFlash是平台Flash控制器模块） 我知道处理器比闪存快，这就是为什么引入等待状态的原因。我不明白的是：如果处理器比闪存快，那么处理器就是需要降速的处理器而不是闪存，但是上面的段落说的相反（或者我不明白吗？），说，如果Pflash以高频率运行，那么我们需要通过增加其他等待状态来降低它的速度！ 我的理解有什么问题？ 谢谢

10 memory  flash  processor 

我了解以下几点： DRAM将数据的每一位存储到具有一定电位差的微型电容器中。 除非电容器连接到低压端，否则电位差应保持不变。 为什么我们需要刷新存储在DRAM电容器中的电势差？ 要么 电容器为什么以及如何失去DRAM中的电荷？（电容器是否连接到低压端？） 电容器不应该与电位差有关，因此DRAM应该像非易失性存储器一样工作吗？ 更新： 另外，如果您可以在评论中回答Harry Svensson提出的观点： 为什么需要更新DRAM中的电容器，而模拟FPGA栅极中的电容器却以某种方式保留其电荷？

9 voltage  capacitor  memory  non-volatile-memory  dram 

我想知道如何构建一个简单的异步DRAM控制器。我有一些30针1MB SIMM 70ns DRAM（带奇偶校验的1Mx9）模块，我想在自制的复古计算机项目中使用。不幸的是，没有适用于他们的数据表，因此我一直在研究IBM 的Siemens HYM 91000S-70和“了解DRAM操作”。 我想要结束的基本界面是 / CS：输入，片选 读/写：读，不写 RDY：数据准备就绪时，输出为高 D：输入/输出，8位数据总线 答：在20位地址总线中 刷新似乎很简单，有几种方法可以解决问题。我应该能够使用任何旧计数器进行行地址跟踪，在CPU时钟低（在该特定芯片中不进行内存访问）的情况下，进行分布式（交织）纯RAS刷新（ROR）。我相信根据JEDEC的要求，至少每64ms刷新所有行（根据Seimens数据表每8ms刷新512，即标准的周期刷新为15.6us），所以这应该工作正常，如果遇到问题，我将发布另一个问题。我对获得简单，正确的阅读和确定以及确定我应该达到的速度更感兴趣。 首先，我将快速描述一下我认为它是如何工作的以及到目前为止我提出的潜在解决方案。 基本上，您将20位地址分成两半，其中一半用于列，另一半用于行。您先选通行地址，然后选列地址，如果/ CAS变为低电平时/ W为高电平，则为读操作，否则为写操作。如果是写操作，则此时数据必须已经在数据总线上。一段时间后，如果是读操作，则表明数据可用，或者如果是写操作，则表明数据已被写入。然后，需要在与直觉相反的“预充电”期间将/ RAS和/ CAS重新设置为高电平。这样就完成了循环。 因此，基本上，这是一个跨越多个状态的过渡，每个过渡之间存在特定的特定延迟。我将其列为“表”，该表按事务的每个阶段的持续时间进行索引： t（ASR）= 0 ns / RAS：H / CAS：H A0-9：RA / W：高 t（RAH）= 10 ns / RAS：L / CAS：H A0-9：RA / W：高 t（ASC）= 0纳秒 / RAS：L / CAS：H A0-9：CA / …

9 memory  timing  dram  7400 

一些背景。我将MPLABx与PicKit2结合使用来对不同类型的图片进行编程。目前是16F887。我尝试坚持使用高科技PICC Lite工具链，但对某些组件的组装方式越来越不满意。相对较快的操作（考虑8Mhz的500ns指令周期）最多需要20us才能完成。因此，我开始插入自己的ASM代码来处理它。 但是，我很难理解第20页的数据表中提供的内存映射。 程序存储器从0005h开始。但是，第23页显示了专用寄存器的文件地址，例如端口A。端口A的地址显示为“ 05h”。 我很困惑如何区分存储位置0005h和位于05h的专用寄存器。如何引用专用寄存器？ 我已经为较旧的HC11芯片完成了相当广泛的汇编程序编程，但这是我第一次涉足PIC asm编码。在这里的任何帮助，将不胜感激。

9 pic  memory  assembly  mplab  hi-tech-compiler 

我已经了解了Coldboot技巧有一段时间了，但是从未真正考虑过它背后的物理原理。我已经读过这篇论文，但是并没有真正涵盖它为什么起作用。 物理上将RAM棒冷却到非常低的温度如何使存储在其中的数据即使没有电源也能长时间保持？ 我知道DRAM IC本质上是一大堆晶体管电容器存储单元，但是我不知道为什么温度会有所不同。 它还提出了进一步的问题： 设备的衰减特性是否足以在正常温度或较低温度下测量电池的“先前”值？ 这是否与导致位腐烂（即计算机内存中的随机翻转位）的现象相同？ 这是否适用于其他情况，例如更改微处理器的状态或更改晶体管在分立电路中的开关方式？ 如果极端寒冷导致充电状态衰减更慢，是否意味着加热RAM会擦除其中存储的任何数据？

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现代x86处理器至少具有512K的二级缓存。有些应用程序完全适合这种内存量。您可以在不连接RAM的情况下运行这些芯片吗？如果是这样，有没有一种方法可以消除CPU尝试保持RAM一致性时的回写时序损失？ 我没有特定的应用程序，只是出于好奇。我敢肯定，在某个地方会有一个利基应用程序，尽管这样做会很有用。

9 memory  cpu  ram 

我正在使用TI MSP430开发一个测量应用程序，我想听听一些有关可以使用哪种类型的存储器的建议。 这个想法是在一段时间内使用它进行记录，然后在通过USB连接设备时将数据下载到PC。估计最多可容纳5MB数据，每个样本大约25字节数据。 一个简单的EEPROM芯片会做还是有更好的选择？

9 msp430  embedded  memory  eeprom 

我只是想知道是否到处都有关于如何制作自己的USB闪存驱动器的教程，我的意思不是分解USB并将胆量放入其他东西，而是将闪存和控制器组装在一起。

9 usb  memory  flash 

我正在寻找一个32KB左右的小型SRAM设备，以便两个MCU可以读取或写入（在两个不同的时间；我不需要同时进行读取/写入。）如果它也使用串行接口，那就太好了。 我要解决的问题是在两个设备之间发送数据，而另一个设备不必暂停接收数据。我将音频样本传输到缓冲区中，然后根据需要另一个芯片将音频读出，并对其进行处理。 我发现串行SRAM类似于Microchip的23A256 / 23K256，但是，它们似乎只有一个串行接口。有什么办法让两个芯片访问这个？ 此外，接收设备仅具有2KB的可用数据存储器（最大），因此看起来似乎无法使用DMA或通过I2C或其他接口进行的类似传输机制。

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我目前在一个嵌入式项目中工作，其中有一个计数器将一直处于活动状态。如果断电，那么我还必须存储上一个计数器状态，并在下次启动时将其加载回去。因此，我打算使用EEPROM，在其中我将连续写入计数器值。但是我读过某个地方EEPROM具有大约100,000的读/写寿命，我将每24小时更新该计数器大约120,000。因此，我正在寻找替代方法来完成此任务。请给我您的建议。

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