以太网:PHY与磁性器件之间的距离
我对以太网PHY和磁性设备的首选位置感到困惑。我认为总体上来说,越近越好。但是随后SMSC / Microchip应用笔记(http://ww1.microchip.com/downloads/en/AppNotes/en562744.pdf)表示: SMSC建议在LAN950x与磁性部件之间的距离最小为1.0英寸,最大为3.0英寸。 令人困惑的是,在同一段落的前面,可以看到: 理想情况下,然后应将LAN设备放置在尽可能靠近磁性的地方。 我使用了Microchip的出色LANcheck服务,并且专家对我的设计进行了审查,并建议在芯片和磁性器件之间至少留出1英寸的间隔,以最大程度地降低EMI。 我不明白为什么增加信号传播的距离会最大程度地降低 EMI? 另外,这是一个相关的问题-我不明白以下原因: 为了最大限度地提高ESD性能,设计人员应考虑选择分立变压器,而不是集成的磁性/ RJ45模块。这可以简化路由,并允许在以太网前端进行更大的分离,以增强ESD /敏感性。 从直觉上讲,与带走线的分立元件相比,嵌入到屏蔽RJ45模块内部的磁路应该是更好的解决方案? 因此,总结一下: 我应该尝试在PHY和磁性元件之间保持最小距离还是应该将它们放置得尽可能近? 最好使用“ magjack”或单独的磁性和RJ45插孔?