使用带三端双向可控硅开关的RC缓冲器。这个设计安全吗？（包括模拟）
我正在设计用于洗衣机电机的交流开关。不需要速度控制，仅需一个开关即可将电动机打开10秒钟，然后关闭10秒钟。我正在使用MOC3063零检测双向可控硅驱动器和BT137-600E双向可控硅。MOC3063数据手册中建议使用此电路（我将双向晶闸管更改为BT137）： 我凭经验找到了电动机的型号： 我尚未实现此设计，我正在使用电路模拟器对这些值进行实验。我使用以下电路查看了没有缓冲的情况（为简单起见，双向可控硅已被开关所取代）：（在图像链接的开头添加http :） 开关在160ms后断开。仿真结果显示250000V尖峰！： 现在，我将电路与缓冲器一起使用： 从同一位置获取的电压显示： 因此，很明显，缓冲器将电压峰值从250000伏降低到2000伏。dv / dt约为40v / us，低于双向可控硅额定dv / dt的50v / us。 问题1：我通过将尖峰的最大电压除以尖峰达到最大值所需的时间（〜2000v / 50us）来计算dv / dt。这个对吗？根据计算斜率的部分，我可以得到更高或更低的值。我获得的dv / dt是否可靠？ 问题2：假设我在问题1中正确获得了dv / dt，双向可控硅现在可以处理dv / dt了，但是它能够处理2000v的尖峰脉冲吗？有击穿电压吗？除了600伏的“重复峰值关态电压”外，我在数据表中什么也看不到。双向可控硅在关断状态下一次可以处理的峰值电压是多少？ 问题3：仿真显示，几乎所有振铃尖峰电压（2000v）都出现在缓冲电容器上，而缓冲电阻器仅出现20伏（振铃）尖峰。我应该使用哪种电容器来处理该电压以及额定电压是多少？600v的电容可以处理一次尖峰吗？ 问题4：电阻上的功耗如下所示（记住，一旦三端双向可控硅开关关闭，它将保持关闭10秒钟）我应该使用哪种电阻（它可以处理的功率）？我是否需要使用碳复合电阻器（通常用在缓冲剂中）还是普通的碳膜电阻器就足够了？ 问题5：如果将10nf缓冲电容器替换为100nf电容器，将会发生什么？如果这样做，电压尖峰将下降到接近600v（请参见下图），并且在所有参数（dv / dt，尖峰电压，电容器电压）方面我都处于安全状态。那为什么不使用100nf呢？为什么MOC3063的数据表中建议使用10nf的电容，而使用100nf的电容却显示出更好的性能？ 很抱歉发布了很长的帖子和许多问题。但是我真的需要了解这一点。