了解USB浪涌电流要求
关于上一个问题，我试图了解USB 2.0对浪涌电流的要求。我了解基本概念，但我仍然不清楚一些细节。该规范部分指出： 可以在电缆下游端施加的最大负载（CRPB）为10 F， 与44Ω 并联。10 F电容表示功能中直接跨VBUS线连接的任何旁路电容，以及通过器件中的稳压器可见的任何电容效应。44Ω电阻表示设备在连接过程中汲取的电流的一个单位负载。 如果设备中需要更多的旁路电容，则设备必须结合某种形式的VBUS浪涌电流限制，以使其与上述负载的特性相匹配。 USB-IF还提供了浪涌电流测试的描述： 连接后至少要测量100毫秒的浪涌电流。在插头的VBus和接地引脚与插座匹配时定义连接。 在100 ms间隔内任何超过100 mA的电流都被认为是浪涌电流事件的一部分。浪涌电流分为多个区域。区域是电流超过100 mA的间隔，直到电流下降到100 mA以下至少持续100 µs。在100毫秒内可能有多个浪涌区域。通过/失败取决于电荷最高的区域。 就目前而言，这是明确的，但是它仅给出了最短的测量时间，并且没有说明对突入区域采用哪种算法来得出通过/失败的决定。我认为这个想法是，在电流超过100 mA的区域内，对电流进行积分以在此窗口内转移总电荷，并且总电荷不得大于10 uF // 44的电荷量。 Ω负载。根据一个消息来源，这将是5V * 10 µF = 50 µC。那是我的理解有些动摇的地方。 为了帮助我理解，我分析了以下电路： V1/R1V1/R1V_1/R_1V1/(R1+R2)V1/(R1+R2)V_1/(R_1 + R_2)(1/R1+1/R2)−1C1(1/R1+1/R2)−1C1(1/R_1 + 1/R_2)^{-1} C_1 ttt Q(t)=V1R1+R2t+V1R22C(R1+R2)2{1−exp(−tC1(1R1+1R2))}Q(t)=V1R1+R2t+V1R22C(R1+R2)2{1−exp(−tC1(1R1+1R2))} Q(t) = \frac{V_1}{R_1 + R_2}t + \frac{V_1 R_2^2 C}{(R_1 + R_2)^2}\{1 - \exp(\frac{-t}{C_1}(\frac{1}{R_1} …