电气工程

我正在为项目使用手机充电器，并希望有大电流输出。我已经读过这篇文章，但是我的测量结果显示了其他内容。 这是电池充电规范修订版1.2的链接。 1.4.7专用充电口 专用充电端口（DCP）是设备上的下游端口，该端口通过USB连接器输出功率，但无法枚举下游设备。DCP 将以平均电压。DCP将D +线短接到D-线。 V C H G一世d çPIDCPI_{DCP}VCHGVCHGV_{CHG} 我在三种不同的充电器上进行了验证，所有充电器的欧姆。现在，如果D +和D-之间短路，则充电端口侧没有检测到，充电器应始终在VBUS线上输出 {0.5-5.0A max}-这是正确的吗？ I D C P[Rd çP_ D A TRDCP_DATR_{DCP\_DAT}一世d çPIDCPI_{DCP} 我测试了三个充电器的电流输出，但是它们完全不同。 充电器1-诺基亚 额定电流输出：1.3A 实测电流输出：1.34A 充电器2-华硕 额定电流输出：2.0A 实测电流输出：0.7A-1.1A（不稳定） 充电器3-HTC 额定电流输出：1A 测量电流输出：0.1A 如果所有这些专用充电端口都没有当前协商，那么为什么只有一个充电器显示其额定输出？ 注意：所有三个充电器都可以在合理的时间内为手机充电。

13 usb  charger 

典型的消费类相机可以捕获 390-700纳米 400-1050nm。但是，为什么生产用于红外，紫外线，硬X射线等的相机如此困难和昂贵？唯一不同的是波长和能量eV。

13 camera  image-sensor  electromagnetic 

我知道底部的符号是地面，但我看不到其他符号。它可以是两个指向彼此的箭头的单个符号，也可以是每个箭头一个的两个符号。 我也有此原理图的PCB。它不过是两条痕迹（长1毫米），两者之间有一点缝隙。它是某种RF滤波器吗？

13 rf  filter  symbol 

在此原理图中，肖特基二极管（如“倒钩”）在连接了基极的某些BJT上意味着什么？我以前没有遇到过这个符号。

13 bjt  symbol  schottky 

像这里的其他所有人一样，我进行了大量的焊接工作。当我设置当前车间时，我构建了一个排烟装置，该排烟装置实际上位于长凳附近的窗户中。基本上只有一段带有高流量风扇的干燥机风道，该风扇直接向外部通风。一切都很好，但是每次都设置很烦人。我这样做是因为当时我感觉直接在室外排气显然要比活性炭过滤器好。 所以，我错了吗？一个简单的过滤器能否和外部通风一样好？或至少足够接近？有没有人找到关于炭过滤器能去除多少铅和其他毒素的确切数据？在混合物中添加HEPA过滤器会有所帮助吗？

13 soldering  safety 

是否存在恒流电池？如果没有，为什么不呢？否则，为什么它们在市场上不是很常见？ 我不是在说理想的电流源。但是，它应该是恒定电流源，只适用于很少范围的值（负载，电压或其他）。“最大输出端电压为20V的1mA电源”或类似的东西（我不确定规格）。

13 batteries  current-source 

我在许多地方都读到，与非门相比，与非门在行业中更受欢迎。网上给出的理由说： 与NOR PMOS（串联4号）相比，由于NAND PMOS（尺寸为2并列），NAND的延迟小于Nor。 根据我的理解，延迟将是相同的。我认为这是这样的： 绝对延迟（Dabs）= t（gh + p） g =逻辑努力 h =电力 p =寄生延迟 t =延时单位，它是技术常数 对于NAND和NOR门（gh + p）得出（Cout / 3 + 2）。两者的t也相同。那么延误应该是一样的吧？

13 digital-logic  delay 

我最近开始学习汇编，并开始了解链接器脚本和其他硬件编程的低级细节。我也在自学计算机体系结构，并且一直担心我的内存模型图可能一直是错误的。 根据我目前的了解，在将二进制文件“烧录”到处理器上之后，所有代码和数据都驻留在非易失性存储器中-易失性RAM复位后不包含任何内容。当程序开始“执行”时，它从地址0x0000开始执行，该地址几乎总是（AFAIK）Flash中的最低地址。因此，指令被锁存到将Flash连接到CPU内核的总线上，这就是实际执行的地方。但是，当我们谈论CPU从内存中检索或存储数据时，我们通常是在谈论RAM-我知道我们也可以从程序存储器中读取/写入数据（我已经在AVR上看到了这一点）但这不常见吗？是因为RAM比ROM快，所以我们更喜欢在那存储数据？ 这个问题的公认答案是，大多数代码都是在RAM之外执行的。 这是否意味着启动运行时代码（其本身从Flash执行）必须将所有程序操作码从Flash复制到RAM，并以某种方式将Flash中的地址映射到RAM，以便CPU从那里获取操作码？它与启动时将.data节从ROM移到RAM的过程类似吗？ 我可以想象这在程序和数据存储器共享总线的冯·诺依曼体系结构中会更简单，但是在哈佛体系结构中，这是否不意味着所有代码和数据都必须先通过CPU寄存器？ 您可能会猜到，我对整个业务感到有些困惑。总是以更高的抽象级别进行编程，我很容易为这些细节所困扰。任何帮助表示赞赏。

13 flash  ram  linker-script 

关于StackOverflow的一个问题的答案是，在ARM的存储寄存器中，存储是什么意思，这表明在应用于寄存器时，存储的含义有些混乱。 银行业务对注册人意味着什么？

13 computer-architecture  register 

下面的液晶显示器来自（显然）已损坏（碎玻璃）的廉价数字时钟。 粉色条带实现了PCB与显示器之间的电气连接。 它的灵活性... ……由粉红色寄宿生之间交替排列的导电和绝缘材料组成。 [以上图像的对比度/亮度发生了变化，以突出显示交替显示的条带] 这种连接器叫什么？它仅用于显示吗？ 仅仅由于板条和PCB之间的压力很小，连接就很可靠，这给我留下了深刻的印象。而且，它很容易从显示器上卸下。玻璃上似乎有一些导电层，信号从那里进入显示器内部。对于最右边的三个信号（玻璃破裂），此连接似乎已损坏。

13 connector  display  flexible 

我正在开发一个使用Atmega328微控制器，功率为3.3V的纳米四轴飞行器以及非常小的有刷直流电动机。这些电机使用的平均电流约为3.7V时为800mA。 最初，为了驱动它们，我使用了L293D电机驱动器，但是该组件效率很低。电动机以最大功率运行时测得的电流约为500mA，因此推力远低于应有的水平。 现在，要解决此问题，我将用4个逻辑电平MOSFET替换该电机驱动器。经过长时间的搜索，我找到了这个（2SK4033）。 你知道它是否应该工作吗？我必须与二极管一起使用吗？如果答案为“是”，那么这个（MBR360RLG）怎么办？ 我之所以选择这些组件也是因为我可以从同一家在线商店购买它们。

13 microcontroller  transistors  mosfet  atmega  dc-motor 

所有导体都具有电容，电感和（超导体除外）电阻。忆阻同样适用吗？所有导体都具有某种程度的忆阻作用吗？还是一般导体的忆阻值理论上为零？

13 memristor 

我非常努力地了解晶体管的基本工作原理。我已经看过很多书，也去过论坛，但是从来没有令人信服的答案。 以下是我要了解的内容： 除非向基极施加电压，否则晶体管类似于反向偏置二极管。由于发射极-基极结是正向偏置的，因此会有电子（例如-npn）的传导。那会发生什么呢？这些来自基极的电子真的会突破集电极-基极结的势垒，然后合并的电流流向发射极吗？（IB + IC = IE） 为什么我们会越来越流行？放大在哪里？不可能就像无中生有。我知道我在这里缺少一些关键点。有人可以简单地向我解释清楚吗？ 我已经尝试了一周以了解这一点。:(

13 transistors  bjt  basic 

在构建为LED供电的电路时，我们使用欧姆定律来计算所需的电阻，然后再计算电阻的所需瓦数。假设此公式规定了一个1/8 W的电阻，而我改用一个正确电阻的1W或100W电阻。会发生什么？

13 resistors  ohms-law 

我一直在寻找一种最便宜的选择，以获取可调光的arduino和无线通讯，并在搜索Arduino Nano克隆时遇到此ebay产品。它没有USB端口，如何编程？ 编辑： 我发现有一个名为“ Arduino Pro Micro”的新设备，类似于Pro Mini和Nano，但内置了USB端口。最好的事情是，您可以4欧元以下的价格购买Pro Micro！非常适合调光的LED灯...

13 arduino