电气工程

电子和电气工程专业人士,学生和爱好者的问答

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NMOS FET选择用于反极性保护
我正在研究反极性保护电路,类似于SLVA139:反向电流/电池保护电路的图2中的电路。这是我的电路: 由于可能的输入电压范围为5-40V,因此我的情况稍微复杂一些。大多数MOSFET的最大栅极-源极电压V GS似乎为20V,因此我需要在栅极上使用齐纳钳位电路(或非常大/昂贵的FET)。最大输入电流约为6A。 我想知道的是,在此配置中,哪些FET特性实际上很重要?我知道我绝对希望漏极-源极击穿电压BV DSS足够高,以在反极性条件下处理全部输入电压。我也很确定我要最小化R DS(on),以免在接地电路中引入任何阻抗。Fairchild AN-9010:MOSFET基础知识对欧姆区域的运行有这样的说法: “如果漏极至源极电压为零,则无论栅极至源极电压如何,漏极电流也将变为零。该区域位于V GS – V GS(th) = V DS边界线的左侧( V GS – V GS(th) > V DS > 0)。即使漏极电流非常大,在该区域,通过使V DS(on)最小也可以保持功耗。” 此配置是否属于V DS = 0分类?在嘈杂的环境中(这将在各种类型的电动机附近运行),这似乎是一个危险的假设,因为输入电源接地与本地接地之间的任何电压偏移都可能导致电流流动。即使有这种可能性,我也不确定是否需要在漏极电流I D上指定最大负载电流。随之而来的是,我也不需要耗散太多功率。我想我可以通过齐纳钳位V GS使其更接近V GS(th)来减少漏极电流/电压,从而缓解该问题? 我是在正确的道路上,还是错过了一些关键细节,这些细节会使我的MOSFET炸毁?

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如何每20分钟打开和关闭一个开关?
我要进行上面的开关,使其保持开启状态20分钟,然后关闭20分钟。这应该是连续的。实际上,我想将此开关用于空调,我不想整夜运行,而是每隔20分钟关闭一次,然后在20分钟后重新启动。这将节省一半的电力。.由于空调的恒温器功能用处不大,而且我也不希望我的设备整夜运转。 我要切换的设备大约需要5至15安培的电流。

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建议计时器芯片
我需要进行长时间延迟(几个小时)分开的电压测量,并在达到电压水平时蜂鸣器蜂鸣。 功耗很重要。 我想要的是一个像RTC芯片这样的简单计时器芯片,但是很笨拙,没有串行接口,内存等。这些串行RTC芯片的优点是,功耗仅为nA范围。 我知道,我可以使用555,但发现的最低功耗约为500uA。 谁能推荐一个低功耗的简单定时器芯片?



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交流风扇速度控制
我使用此风扇为房间制冷,但有时速度太快,我必须频繁地打开和关闭它以保持正常温度。也许可以通过串联电阻或使用自耦变压器来降低速度。风扇使用某种形式的阴影极电动机(制造商称其为“ Alveolate”,并将其与标准的阴影极电动机比较(指出其电动机更好)。“ Alveolate”电动机需要启动电容器。 我已经搜索了互联网和该站点,但发现矛盾的答案。有人说,甚至可以通过使用三端双向可控硅开关来降低速度,而另一些人则说串联的电阻会破坏感应电动机。风扇马达为60W。
9 motor  ac  control  fan  speed 


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PPC有什么优点?一定有东西
考虑到这个问题(stackexchange现在向我提供的第一个“具有类似标题的问题”中的第一个),我想窃听这个问题的想法并询问有关PPC的问题。 有什么很棒的?我见过的所有其他芯片-ARM,MIPS,SuperH,x86-关键数据都很好。 关于PPC的这个问题的背景是,PPC体系结构已在许多DSP芯片中使用,特别是在汽车工业中。当然,这可能只是一个动力问题,并允许开发人员使用他们熟悉的架构,包括工具链。当然还有他们迄今为止编写的软件。 但是,假设我重新开始一个DSP项目,而又没有老套的麻烦-PPC架构是否具有任何令人信服的优势,可以说服我更喜欢PPC,而不是ARM? 了解ARM芯片的电源效率后,我要说的是,我的设计将在电网之外运行,而不是在电池上运行。
9 arm  dsp 

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网络设备如何检测是否连接了以太网电缆?
我有一些带有FPGA的套件,其中包括一个以太网适配器。我试图诊断为什么它不起作用,而当我这样做时,我注意到将以太网电缆连接到笔记本电脑时,我看到网络出现故障,然后又掉线了。 硬件如何检测到电缆已插入?它在看时钟信号吗

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晶体管:为什么需要电阻?
我有一个固态继电器,至少需要3V才能激活,并且需要使用微控制器的2.3V输出进行切换。我还有一个6V 1A电源,可用于为继电器供电。 我知道我需要以某种方式使用晶体管,并且已经掌握了基础知识,但是我不明白为什么在电路中需要电阻才能使晶体管工作。 所以我的问题是:为什么我需要电阻,如何知道要使用哪个电阻以及哪个晶体管适合我的需求? (固态继电器是Crouzet 84 134 900)

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我对多芯电缆中的电线之间的干扰有什么了解?
我想将多芯电缆用于一些不同的电路。关于多芯电缆中的电路之间的干扰,我需要了解什么? 一些电线将携带步进电机线圈的电源并返回。我怀疑由于大的快速变化的电流会产生大量的EMF,因此应该屏蔽掉它。 其他电线将承载光开关的供应,返回和输出。该电路可能容忍噪声,并且噪声也很少。 其他电线可以传输高速数字数据。这些电路可能易受噪声影响,并且可能也会产生噪声。 我可以在同一根电缆上运行所有这些吗?我还需要考虑什么? 编辑:让我们假设我在谈论使用的电缆在所有电线周围都具有单个屏蔽,而不是单独屏蔽几根电线的束。

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STM32 ADC噪声2
我刚刚用STM32F2测试了我的第二个设计,现在是STM32F207ZFT6,ADC的性能与我的第一个应用程序相同-ADC中的强噪声。 未连接任何信号的电流输入噪声: 注意:在上面的信号图中,垂直轴是ADC位而不是伏特!不要被它的图例“ [V]”所迷惑,在本测试中,我们使用经过修改的程序来查看粗略的ADC数据。 即使CPU模拟引脚短路到GND,也会出现相同的噪声,如下所示: 我认为,采样信号中存在超过30 LSB的永久性峰值,甚至更多,尽管它们不应超过5-10 LSB。 另一个细节: 2面PCB,在底面上还有其他连接,但大多数连接是GND信号-数字和模拟通用,模拟地没有分开。由于电路板的功耗极小,低于100 mA,因此我认为它不会引起此类噪声。 参考电压VREF 3.3V由运算放大器缓冲,被100nF和钽电容并联10uF阻断,与VREF / 2相同;每个处理器电源引脚均被100nF电容阻塞 在我们较旧的应用程序中,我们使用了相同的设计概念,但是所使用的处理器是AduC834。它也有12位ADC,信号噪声只有几个LSB,没有问题。主要区别在于使用了AduC的内部参考电压,没有外部参考电压 我们已经测试过将处理器模拟接地引脚与板的公共GND断开连接,并用额外的导线将其直接连接到参考电压VREF接地,没有影响 它是三相网络测量设备,有3个模拟电压通道和3个电流通道,带有可切换的增益前置放大器。CPU振荡器为25 MHz,内部时钟为PLL的120 MHz,ADC时钟为30 MHz(符合技术规格),我们已经测试过将主内部时钟(因此也包括所有辅助时钟)降低到四分之一,但没有任何影响 ADC周期性地采样输入信号,每50 Hz网络周期进行128次转换,即每156微秒。结果通过DMA传输到内部RAM中;来自RAM的数据通过绝缘的RS485(在另一块板上)传输,并在我们的程序中可视化。我们试图将转换时间延长到最大,但没有效果 除CPU外,只有3个opam,2个模拟开关,I2C温度计和3个ULN开关(测试期间未使用),由线性LF33稳定器供电,通常由另一块板上的开关提供的5V DC供电,但是在测试过程中,开关为断开连接,LF33由清晰的实验室5V直流电源供电。我敢肯定,除了处理器振荡器以外,其他都无法在板上振荡。 用示波器检查信号没有决定性的结果,信号太弱 有这个处理器系列ADC性能经验的人吗? 关于信号强度:即使模拟输入短路,在示波器上我也会看到5-10 mV(峰对峰)的噪声-用同轴电缆测得,该接地电缆的最小接地线焊接到板上。使用标准探头时,噪声可能大约是接地不良的两倍(一般的EMC噪声?)。 这是我的董事会的形象: 和董事会的底部: 如上所述,即使信号接地,ADC转换后的数据中仍然存在约30 LSB的噪声。
9 adc  noise  stm32 

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在控制感性负载(交流电动机)时,什么时候应该触发TRIAC的闸门?
我正在使用光电双向可控硅+ TRIAC的组合来通过微控制器控制230V交流电机。为了检测电压的过零,我正在使用另一个光耦合器。 我知道交流电动机是一个感性负载,因此电压的过零先于电流的过零。我的电路检测到电压的过零,但是当电流为零时,可控硅会关断。我应该何时触发TRIAC的闸门以获得任意的电动机速度(假设是正常速度的一半)?我怎么知道可控硅何时关闭?

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从少量风中收集能量
我目前正在研究一个项目的可行性,其中包括需要从风能中获取一些能量。发电机和风扇的尺寸常数约为2“ x2” x2“。最终目标是对电容器进行trick流充电,然后将其用于极低功率的无线应用中。2-3.3v是目前有2个问题,我认为它们有足够的相关性,可以放在一个问题中: 我知道一个简单的小型直流电动机可以用来产生一些功率,但是我的直觉告诉我,直流电动机的效率不如专门为此目的设计的设备。我的直觉正确吗?如果是,此设备的名称是否有特定名称?我知道它是一个生成器,但是这个名称是如此广泛,以至于找不到与小型应用程序相关的任何东西。 如何根据风速估算可以获取的能量?我意识到有很多因素会影响此计算,但是我只是想确定一些粗略的数字。

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LDO稳压器为什么会有这么大的压降?
为什么LDO线性稳压器不使用MOSFET作为主要组件以使压降最小(取决于电流,仍然必须为几mV)为零? 还是可以期望基于MOSFET和运算放大器构建一个零压降稳压器?
9 ldo 

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