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NMOS FET选择用于反极性保护
我正在研究反极性保护电路,类似于SLVA139:反向电流/电池保护电路的图2中的电路。这是我的电路: 由于可能的输入电压范围为5-40V,因此我的情况稍微复杂一些。大多数MOSFET的最大栅极-源极电压V GS似乎为20V,因此我需要在栅极上使用齐纳钳位电路(或非常大/昂贵的FET)。最大输入电流约为6A。 我想知道的是,在此配置中,哪些FET特性实际上很重要?我知道我绝对希望漏极-源极击穿电压BV DSS足够高,以在反极性条件下处理全部输入电压。我也很确定我要最小化R DS(on),以免在接地电路中引入任何阻抗。Fairchild AN-9010:MOSFET基础知识对欧姆区域的运行有这样的说法: “如果漏极至源极电压为零,则无论栅极至源极电压如何,漏极电流也将变为零。该区域位于V GS – V GS(th) = V DS边界线的左侧( V GS – V GS(th) > V DS > 0)。即使漏极电流非常大,在该区域,通过使V DS(on)最小也可以保持功耗。” 此配置是否属于V DS = 0分类?在嘈杂的环境中(这将在各种类型的电动机附近运行),这似乎是一个危险的假设,因为输入电源接地与本地接地之间的任何电压偏移都可能导致电流流动。即使有这种可能性,我也不确定是否需要在漏极电流I D上指定最大负载电流。随之而来的是,我也不需要耗散太多功率。我想我可以通过齐纳钳位V GS使其更接近V GS(th)来减少漏极电流/电压,从而缓解该问题? 我是在正确的道路上,还是错过了一些关键细节,这些细节会使我的MOSFET炸毁?