Questions tagged «bootstrap»

我非常熟悉用于驱动N沟道高端MOSFET的MOSFET驱动器IC上的自举驱动器的操作。此站点和其他站点详尽介绍了基本操作。 我不了解高端驱动器电路本身。由于良好的驱动器会推拉大量电流，因此在IC中存在另一对晶体管以将VH引脚驱动为高电平或低电平是有意义的。我看过的几个数据表似乎表明它们使用P通道/ N通道对（或PNP / NPN）。除去IC芯片的结构，我可以想象电路看起来像这样： 模拟该电路 –使用CircuitLab创建的原理图 似乎我们刚刚引入了递归问题。假设标记为“浮动”的节点可以是任意高电压，那么如何驱动M3和M4而不需要另一个驱动器来驱动该驱动器（依此类推）。这也假设高端驱动器最终由某种逻辑电平信号控制。 换句话说，给定任意高的浮动电压，如何通过来自芯片外的逻辑电平信号来激活M3和M4的推挽驱动？ 澄清点：我要问的特定问题仅与使用逻辑电平信号激活高端推挽自举驱动器有关。当高端电压相对较低时，我认为这是微不足道的。但是，一旦电压超过晶体管上的典型Vds和Vgs额定值，这将变得更加困难。我希望会涉及某种隔离电路。确切地说，电路是我的问题。 我认识到，如果M4是P沟道FET（或PNP），则无需其他自举电路。但是我在构想一个电路时会遇到麻烦，因为当外部晶体管来回切换时，该电路会为M4和M3生成正确的Vgs。 这是来自两个不同数据表的屏幕截图，显示了与我上面绘制的电路类似的电路。两者都不涉及“黑匣子”驱动器电路的任何细节。 从MIC4102YM： 还有FAN7380：

15 gate-driving  mosfet-driver  bootstrap 

我试图了解这种“自举偏置”放大器电路。下面的图片改编自GJ Ritchie的“晶体管技术”一书： 该电路是“分压器偏压”的变型，在加入了“自举组件”的和Ç。作者解释说，使用R 3和C是为了获得更高的输入电阻。作者对此进行了如下解释：R3R3R_3CCCR3R3R_3CCC 加上自举组件（和C），并假设C在信号频率下的电抗可忽略不计，则发射极电阻的AC值由下式给出：R3R3R_3CCCCCC R′E=RE||R1||R2RE′=RE||R1||R2R_E' = R_E || R_1 || R_2 实际上，这表示的小幅下降。RERER_E 现在，随着射极电阻的发射极跟随器的电压增益 是甲= - [R ' ÈR′ERE′R_E'，这是非常接近于1。因此，与输入信号v我Ñ施加到基，与在发射极出现的信号（甲v我Ñ）被施加到的下端- [R3。因此，出现在整个信号电压 - [R3是（1-甲）v我Ñ，比全输入信号，并且非常少得多- [R3现在似乎具有的一个有效的值（AC信号）：- [R'3=A=R′Ere+R′EA=RE′re+RE′A=\dfrac{R_E'}{r_e+R_E'}vinvinv_{in}AvinAvinAv_{in}R3R3R_3R3R3R_3(1−A)vin(1−A)vin(1-A)v_{in}R3R3R_3。R′3=R31−A≫R3R3′=R31−A≫R3R_3'=\dfrac{R_3}{1-A}\gg R_3 为了理解这一点，我制作了电路的AC模型。这是AC模型： 从AC模型中，我可以验证作者关于发射极电阻为的说法。| R 1 | | R 2和节点中标记为V的电压略小于输入电压。我还可以看到，R 3两端的电压降（由V i n - V给出）非常小，这意味着R 3将从输入中汲取很少的电流。RE||R1||R2RE||R1||R2R_E || R_1 || R_2R3R3R_3Vin−VVin−VV_{in} - VR3R3R_3 但是，从该解释中我仍然不太了解两件事： 1）为什么我们可以简单地将公式用于发射极跟随器电压增益（）这里，忽略的效果- [R3？A=R′Ere+R′EA=RE′re+RE′A=\dfrac{R_E'}{r_e+R_E'}R3R3R_3 2）说对于交流信号似乎具有不同的“有效值”是什么意思？我不明白为什么R 3会改变价值。R3R3R_3R3R3R_3 …

13 transistors  amplifier  bjt  bootstrap  biasing 

在OPA454数据表中，我发现了一个有趣的电路思想，我不确定它通常被称为什么（如果有一个通用名称）。 它涉及使用两个运算放大器来移动第三个运算放大器的导轨。请注意，与桥接式[tied load]配置不同，此电路需要将供电轨加倍。另一方面，该电路中的负载不是浮动的，因此您可以将TS思想与电桥相结合，以获得4倍的输出电压摆幅（相对于使用单个运算放大器）。我在这里省略了6运放桥接的图片，这很明显。您可以在上述数据表中找到一个。 我的问题是该电路构想的通用名称（如果有）。如果要给我起个名字，“动态导轨”，“动态工作点”或类似的名称对我来说似乎很合理。（但是这些名称不会通过Google搜索返回任何有意义的结果。） 编辑：我还看到了类似的东西，但价格便宜，在1999年EDN的一篇题为“自举运算放大器产生了宽电压摆幅”的论文中，用两个BJT代替了用于“移轨器”的运放（A1和A2）， 然后由AD撰写。员工Grayson King和Tim Watkins。毫无疑问，使用BJT会引入更多的非线性。因此，也许“ bootsrapping”可能是该技术的名称... 尽管Rod Eliott在讨论这种方法问题的页面上从未称呼它，所以我不相信“ bootstrapping”是它的名称...（EDIT3：好吧，这是对该电路用途的错误理解；请参阅问题下方的注释。） EDIT2：在另一篇文章和AD应用笔记AN-232（该文章中引用）中，“电源自举”或“基板自举”指的是类似的东西（通过“反馈”更改电源电压），但是在这些文章中出于不同的目的而做：降低具有FET输入级的运算放大器的输入电容非线性...因此，我猜“自举”涵盖了我所问过的想法，但通常可以意味着使用其他目的的电源电压转换技术。

9 operational-amplifier  bootstrap