1 DDR存储器封装和封装背后是否存在与PCB布局相关的推理？ BGA DDR封装具有独特的外观。设备两侧有两列焊盘，中间有一列空白。 这些焊盘的放置背后是否有理由（就PCB布局而言），或者这仅仅是ddr3硅芯片设计的结果？ 更具体地说，我想知道的是，是否有任何技巧/窍门/指南将DDR模块直接放置在板的两侧，或者彼此非常靠近？ 9 pcb-design layout ddr ddr2 ddr3
1 补偿DDR3路由中的不平衡通孔计数 我正在采用平衡T配置的533Mhz时钟速度的DDR3布局。我目前无法使用等量的过孔（数量有限的+1）来路由地址/ ctrl行。所有线路均已在20密耳内路由到相同的长度。 我计算出我的过孔延迟为68皮秒，相当于这些线的有效长度的整个厘米差，电路板的传播速度已分别计算为每厘米外部/内部54ps和69ps。在533Mhz处，信号在半个周期内传播13.6厘米至17厘米（取决于内部/外部层），这对于这些线路而言大约是6-7％的偏斜。 我可以依靠DQS并进行水平校准来吸收有效长度上的这种差异吗？还是应该使用额外的过孔将线距减少一厘米？ 8 high-speed via ddr3