Questions tagged «mosfet»

如何确定（估算）2SK2554晶体管的最大合理PWM频率？ 我在数据表中找到了时间： 我可以据此估算频率（并确保所有这些时间都比我的PWM周期长度短20-50倍或类似的时间。但是我的Vgs在4-5V之间，我的最大电流为10A。 我问是因为我现在的PWM速度很慢（〜1kHz），但是想知道我的PWM可以有多快，而不会在切换时损失太多功率。 我的负载是大铅酸电池（正在充电）或电阻性（正在放电）。 到目前为止-我已经用较小的类似晶体管（2SK2553）进行了仿真，因为Multisim中没有2SK2554。 这是Vgs = 4V时的曲线图。 PWM周期时间可以花多少时间（例如百分比）？

8 transistors  mosfet  switching-losses 

（免责声明，以防它不是很明显-我非常n00b，尤其是在理解晶体管时）。 我以为我已经弄清楚了-p沟道MOSFET是（或可用作）高侧开关，用于与我的MCU所运行的电源不同的电压源。为了检验我的理解，我在面包板上放了以下内容： 模拟此电路 –使用CircuitLab创建的原理图 U1（5V arduino）上的代码使我可以将线路驱动为高电平或低电平，或者将其置于高阻态以模拟所有3种情况。我希望将线驱动为低电平会以9V点亮LED，而将线驱动为高会关闭LED（mosfet漏极为0V）。实际发生的是-完全没有光，并且漏极的电压为6V（5.9V）。我很困惑-这是怎么回事？ 这是我正在使用的mosfet：https : //www.sparkfun.com/datasheets/Components/General/FQP27P06.pdf 它甚至应由3.3V逻辑电平控制，因此5V应该就可以了。

8 mosfet 

我想通过3 V电源控制N沟道MOSFET。 问题是，我很难理解如何知道要使 MOSFET饱和的最小V gs值。例如，MOSFET CSD19501KCS（80 V N沟道NexFET）怎么样？

8 mosfet  3.3v 

我试图发现一个电路，该电路将产生一个电压，该电压是输入电压平方根的一部分。即Vout(t)=KVin(t)−−−−−√Vout(t)=KVin(t)V_{out}(t) = K\sqrt{V_{in}(t)}。因子K是无关紧要的。 我看着本页底部的电路。问题在于它使用MOSFET，并且预测输出的公式需要各种参数μn,Cox,Vthμn,Cox,Vth\mu_n, C_{ox}, V_{th} （我想其中一些即使在相同型号的设备之间也相差很大，而其中一些我不知道如何从数据表中找到） 在购买必要的组件之前，我想找到一种具有一致且可预测输出的替代电路。 当我说K无关紧要时，我只是说我以后可以根据需要以一个恒定因子放大输出。但是，它必须是一致且可预测的。

8 voltage  operational-amplifier  mosfet 

我已经将Arduino连接到MOSFET来控制阀门。 我已将Arduino的GND连接到试验板上的负通道（单词？）（为清楚起见，由SW1在电路图中建模）。我注意到，如果不这样做，它将无法正常工作（栅极无电压）-为什么我需要使用相同的接地？ 并且：我的电路好还是会损坏我的Arduino？ 模拟此电路 –使用CircuitLab创建的原理图

8 arduino  mosfet 

我建立了一个超级威尔逊电流镜。Iin在24Vdc时为4-20mA。Iin到Iout的准确度非常差5％。我在源上将100欧姆电阻器接地，这有所帮助。如何提高输入和输出之间的精度？下面是我的电路 这是电路的仿真器链接：sim链接 编辑：500欧姆是使用镜子的电路的负载电阻。470欧姆是读取Iin电流的PLC的最大可能电阻。 屏幕截图：

8 current  mosfet  analog 

应用： 我在真空室内有一个铜网（10cm x 10cm正方形），该铜网通过24厘米长的铜线连接到BNC连接器。的目标是从8 V 0 V快速切换目电压（相对于地）到〜。（这将切换腔室中的电场，这是我们原子物理实验的控制机制。） 至关重要的是，在切换开始后约500 ns，信号稳定至<10 mV（〜<0.1％）。 网格是浮动的；它没有在腔室中终止。 问题： 我的倒方波底部有一个“驼峰”。我需要弄平它。 电路：我已经确定了一个简单的MOSFET开关电路： 说明： MOSFET（ZVN2110A-ND，N通道增强模式）由IRS2117PBF-ND驱动器驱动，该驱动器输出15 V正脉冲。该触发脉冲的基线浮在V_S上，该V_S通过一个小电阻器连接到V_LO。网格连接到点B。输出低通滤波器是解决该问题的尝试。所有电阻值均通过实验确定（即最初使用电位计确定）。结果是在覆铜板上使用“死虫”样式进行硬接线。 探针详细信息： 为了模拟网格，我将24厘米长的导线焊接到一块覆铜的穿孔板上，并将其连接到电路输出（点B）。我使用Tektronix探头（500 MHz，8.0 pF，10MOhm，10x）将性能板上的信号探查到Tektronix示波器（TDS3012 100 MHz数字示波器）中。 观察结果： 它的切换速度足够快（尽管我可以通过移除滤波器来加快速度），振铃幅度和持续时间是可以忍受的，但是在（基本）微秒时间尺度上，会有很大的“驼峰”和下垂/下垂20 mV（在图像中用红线标记）。这太大了，无法进行我们的实验，该实验是从切换开始到切换后大约10微秒的时间。 应用细节： 我们在实验中使用电场来调整原子共振。扫描施加到原子上的电场可以让我们记录这些共振的“频谱”，从而显示其位置和形状。这些共振的宽度和间隔约为1-10 mV / cm（非常小！）。要施加电场，我们将原子放置在两个扁平的铜网片之间，相隔1厘米。铜网片之间的电场只是网片之间的电位差（1 V差等于1 V / cm电场，以1对1转换）。在收集频谱时，我们通过切换到相应的电压并在检测之前等待几微秒来采样一个电场值。 如果在采样期间电压（以及由此产生的电场）的漂移大于共振的大小（<10 mV），则分辨率会下降到光谱图像变得模糊不清的程度。 其他想法： 我考虑了MOSFET发热的可能性，从而改变了它的导通电阻（通常〜4欧姆）。为了对此进行测试，我尝试了两件事：（1）并联放置两个MOSFET，（2）用具有低得多的导通电阻（100 mOhm）的IRF1010EZ MOSFET代替ZVN2110A。两种情况均无济于事，“驼峰”仍然是20 mV，仍然持续几微秒。在我看来，增加上拉电阻（如注释中所建议）也可能会有所帮助，因此我将尝试这样做。 更新1： 我尝试将上拉电阻从470欧姆增加到10 kOhms。对输出没有影响；初始振铃后，它仍然具有20 mV的“驼峰”。 更新2： 从电路上断开“模拟”电线+网格的连接，并直接探测B点对测量的信号没有影响。 更新3： 下面是上面示意图中相应点的迹线： …

8 voltage  mosfet 

我已经设计（并且现在大部分已实施）用于打开和关闭24VAC螺线管的系统。为了实现这一目标，我使用了带TRIAC输出的光耦合器（Sharp PR26MF1xNSZ系列）。该设备的数据表将其描述为“固态继电器”，“红外发光二极管（IRED），光电三端双向可控硅开关检测器和主输出三端双向可控硅开关的集成”。 我对这些东西的兴趣使我到处寻找这部分的其他选择。我碰巧看到了Vishay Semiconductor提供的类似零件产品，Vishay将这种类型的元件分为两类：固态继电器和具有TRIAC输出的光耦合器。 我查看了Vishay的两种代表性器件的数据表，发现光耦合器似乎与Sharp部件非常相似，但固态继电器部件并未使用TRIAC进行输出。相反，它似乎使用一对MOSFET作为输出级。 这两种不同类型的零件有哪些优缺点？使用MOSFET代替TRIAC作为输出级的好处是什么？“固态继电器”和“带TRIAC输出的光耦合器”之间是否有真正的区别，还是“固态继电器”是任何可用于切换交流或直流设备的术语？

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