Questions tagged «tvs»

以瞬态电压抑制器为例，以单向Fairchild P6KE11A为例，如第2页的图表所示，反向隔离电压（）和击穿电压（）之间的主要区别是什么？V[R w ^中号V[Rw ^中号V_{RWM}V乙[RV乙[RV_{BR} 在我的该器件具有反向偏置的实验中，它仅在10.65V时开始导通。这在的10.5至11.6范围内。我想我知道从一个特定的P6KE11A到另一个，我可能期望的V_ {BR}范围是多少，但是反向隔离电压有什么用？V乙[RV乙[RV_{BR}V乙[RV乙[RV_{BR}

15 diodes  tvs 

我一直在研究使用TVS和齐纳二极管的电路保护。 我在电路图中已经看到以下用于表示TVS二极管的符号： 模拟该电路 –使用CircuitLab创建的原理图 我想第一个问题是TVS和齐纳二极管之间是否存在有意义的区别，答案似乎是：“它们的特性相似，但是它们的设计和测试规格以及预期的应用是不同的：齐纳二极管针对特定的和TVS二极管的电压精确度较低，其设计目的是分流（并承受）大功率瞬变。” 到目前为止，我对上述符号的印象是： 应假定是指齐纳二极管（除非另有说明）。 明确表示一个TVS二极管。 明确表示一个TVS二极管。 可能是指一对齐纳二极管，但可能是指单个TVS二极管。 这些合理的假设吗？ 我想，唯一一个持续遇到麻烦的时间就是使用TVS二极管而不是一对齐纳二极管。例如，使用TVS二极管，其击穿电压不精确，当电路需要“波形削波器”时，将产生可怕的结果。另一方面，如果打算在TVS上使用齐纳二极管，那么如果大功率瞬变不是常规操作的一部分，则可能永远不会注意到该差异，或者当齐纳二极管被油炸时，人们可能会很快注意到差异吗？ 还是对这种歧义的正确答案仅仅是：“是的，它们是模棱两可的。在您确定要使用哪个二极管之前，还没有准备好构建电路。”

15 diodes  zener  diagram  tvs 

我的板上有两个DB37连接器，这些连接器最终连接到CPLD。所有这些连接/信号都是设备的输入。 为了防止ESD，我使用TVS二极管ESD9C3.3ST5G。我有这样的董事会： DB37->二极管->上拉电阻-> CPLD。 1K上拉用于不同的目的，与ESD保护无关。我的PCB为4层，具有以下堆叠： 讯号 地面 3.3伏 讯号 二极管通过通孔接地。通孔的走线较厚-比CPLD的走线厚。除了通孔焊盘和过孔之外，接地层是完整的。我认为这至少可以防止轻微的ESD。但是我需要进一步做些什么？这不是商业设备，将在内部使用-但是我确实需要它可靠。 我想到的一件事是在二极管和CPLD之间增加串联电阻（大约22欧姆）。但是，由于CPLD上的所有引脚都是输入，因此它们已经是高阻抗的。ESD 应通过TVS二极管接地。我的假设正确吗？ 我还读到与二极管并联增加一个电容器会有所帮助。我的信号速度不高，因此不会太大失真。但是，请注意，由于我有74个信号，因此我将必须使用这些上限中的74个。所以在我添加这些内容之前，我想知道这是否值得。 这是布局的特写： 最后，最后一个问题-以上是我开发板的输入端。从某种意义上来说，输出是相似的，因为我还有另外两个DB37连接器和一个CPLD。在这种情况下，CPLD的引脚为输出。 布局是这样的：CPLD-> MOSFET-> DB37 在这种情况下，我没有任何二极管。但是，正如我最近读到的那样，MOSFET对ESD的敏感性比其他器件要高得多，我也应该在这里添加二极管吗？MOSFET的漏极连接到DB37。然后将该DB37连接到前面所述的输入侧DB37。 如果MOSFET导通，则其漏极-源极电阻将非常低。因此，这可能是ESD派克通过而不是另一端的TVS二极管吸引人的途径。我是否也应该在此处添加TVS二极管，对吗？如果是这样，天哪，还有72个二极管！

11 layout  esd  tvs 

我目前正在开发一种产品，该产品具有可以由操作员控制的简单SPDT继电器。对于最终用户，只有公共，常开和常闭触点可用。继电器由我们设备中的电路驱动，该设备具有适当的反激二极管。 最近，我们的一个原型单元出现了问题，其中技术人员将继电器直接连接到电感负载，而没有任何形式的瞬态电压抑制，这导致我们的无线通信由于EMI而被击倒，还可能导致接触拱形。 在确定问题是由于感应尖峰引起的之后，通过将适当的反激二极管连接到负载，可以快速解决问题。 在这种情况下，我们可以控制要连接的负载，这使我意识到，无论警告和警告的数量如何，当我们将产品用于感性负载时，我都不相信最终用户会实际安装适当的瞬态电压抑制设备。我们可能提供的典型应用原理图。 现在，很明显，有很多解决感应尖峰的解决方案，但是该设备必须工作的特定情况使得实现TVS非常棘手： 1）该继电器是通用SPDT继电器，额定值为250VAC / 120VAC @ 10A或30VDC 8A。这意味着TVS电路必须能够处理交流电（主电源或非市电）和直流电，电流最高可达10A。这使得找不到PTC保险丝成为可能，因为大多数保险丝无法处理电源电压，特别是不能承受10A的电压。 2）该设备将安装在不可能更换任何物品的地方，安全是我们的主要关注点。如果客户端未安装保险丝，并且继电器短接失败（这种情况很少见，但有可能发生），则他们很可能会怪我们。这也意味着我不能使用MOV，排气管或任何其他使用寿命有限的TVS设备。 3）任何TVS设备都绝不能短路，如果短路，我必须确保保护负载免于短路。 我已经尝试了RC缓冲网络的仿真，但是仅凭这些就无法在电感负载足够大的情况下起作用。同样，使用更大的电容器意味着在使用交流电时会损失更多。理想情况下，1nF会提供足够的阻抗（在50 / 60Hz时为1Mohm以上），以使任何损耗都微不足道。 这是电感负载较大的模拟结果。更改电阻器和电容器的值仅影响振荡稳定下来的时间，而不影响峰值电压，这肯定会杀死任何电阻器或电容器，或使触点产生电弧。 背对背的齐纳二极管与RC缓冲网络一起有效地限制了电压尖峰，但是由于它们必须阻断电源电压，因此，它们所需要的阻断作用远不止于近似。350V（电源峰值电压）直到它们开始导通为止，我担心这仍然是一个很高的峰值，足以杀死附近的任何EMI无线通讯。 那么，在这种情况下我完全没有希望了吗？ 在这种情况下我还能使用其他TVS设备/技术吗？如果是这样，我是否可以保证它们不会短路故障，或者至少可以防止TVS设备短路？ 还是仅仅是RC缓冲器实际上是解决此问题的好方法？如果是这样，为什么？我该如何选择合适的零件？ 请记住，我无权访问实际负载，也无法对用户如何连接负载进行任何假设。

10 relay  surge-protection  tvs 

对我来说，保护AVR引脚的最佳方法是RC滤波器和TVS二极管，但我一无所知。我已经看过原理图，其中TVS二极管位于RC滤波器之前，就像第一个原理图一样。 模拟此电路 –使用CircuitLab创建的原理图 但是在电阻器之前，它需要更大的电流，因此TVS二极管的熔断速度比第二个原理图中TVS二极管在RC后面的情况要快。 模拟该电路 问题是：首先还是第二种保护AVR输入的方法更好？

10 diodes  filter  protection  remote-control  tvs 

我有一个可在21V DC上工作的电路，可吸收3A最大电流。我需要对其进行IEC 61000-4-4和61000-4-5标准的浪涌抗扰度测试。 我使用UL认证的开关模式电源为设备供电。电源实际发出的浪涌超过21V（大约+/- 150V）。 因此，我在电路中加入了TVS二极管SMLJ22CABCT-ND，以防止电涌。该二极管的响应时间约为5皮秒。但是浪涌测试中给出的脉冲是2KV的8/20μs脉冲。如图所示，这反过来使电源产生浪涌。如您在图像中所见，输出变化了几微秒。 我的问题是为什么TVS二极管没有抑制高压。过压会损坏我的电路。 电源电路原理图如下。 电路中没有很多保护。21V用于不同的接口。我需要找到解决方法，而不是设计新的电路板。 IEC 61000-4-5 的测试电路是标准的。 1KV跨越实时和中性；2KV穿越地线，中性线和地线（详细说明）

9 surge-protection  tvs  transient-suppression  ul 

甲负载突降时，其将发电机输送电流的负载突然断开发生。在汽车电子设备中，这适用于在发电机充电时断开电池的连接。这份65美元的SAE文件中对此进行了很好的描述；维基百科声称它可能“高达120 V，并且可能需要长达400 ms的时间才能衰减”。该文件声称12V系统转储可以高达87V且长400ms： 12V system 24V system Us 65V to 87V 123V to 174V // maximum voltage Ri 0.5Ω to 4Ω 1Ω to 8Ω // source resistance td 40ms to 400ms 100ms to 350ms // pulse length tr 10ms?? 5ms?? // rise time 最后一个链接文档还具有一个表格，列出了TVS（瞬态电压抑制器）的能量吸收，如下所示： 表2-吸收的能量[J]（V 钳位 = 45V） td [ms] …

9 protection  automotive  tvs 

我研究了几种设计和建议。 为什么TVS二极管有时会连接在变压器之前和之后？ 前后连接的优缺点是什么？

8 ethernet  surge-protection  tvs