电气工程

我将别人设计的Gerber文件发送到PCBWay。这是Commodore 64的墨盒。 他们今天回答了这个问题，我不确定他们要问什么。 请参阅随附的屏幕截图，请告知我们是否应该将手指位置调整为30度。如果是的话，我们将切碎铜以使铜垫到轮廓的距离达到1mm。 当我将设计加载到EAGLE中时，它确实说过卡边缘连接器垫太靠近。它们是指“手指”之间的1毫米距离还是“手指”与板边缘之间的1毫米距离？ 我知道我说是/否的机会是50/50，但我想是正确的。这很奇怪，因为设计此工具的人说他制作它没有问题。

37 pcb  pcb-fabrication 

这是缓存基准的屏幕截图： 在基准测试中，L1缓存的读取速度约为186 GB / s，延迟约为3-4个时钟周期。这样的速度怎么达到？ 在这里考虑内存：理论上的最大速度为665 MHz（内存频率）x 2（双倍数据速率）x 64位（总线宽度），大约为10.6 GB / s，接近于9.6 GB / s的基准值。 。 但是，使用L1高速缓存，即使我们可以在处理器的最大频率（3 GHz）的每个周期读取数据，我们也需要大约496条数据线来实现这样的吞吐量，这听起来是不现实的。这也适用于其他缓存。 我想念什么？我们如何根据其参数计算缓存的吞吐量？

37 cpu  computer-architecture  cache 

我知道一个简单的CPU（例如Intel或AMD）可以消耗45-140 W的功率，并且许多CPU的工作电压为1.2 V，1.25 V等。 因此，假设CPU工作在1.25 V且TDP为80 W ...，它将使用64 Amps（很多安培）。 为什么CPU的电路需要超过1 A的电流（假设使用FinFET晶体管）？我知道大多数时候CPU处于空闲状态，而60 A都是“脉冲”，因为CPU有时钟，但是为什么CPU无法在1 V和1 A下工作？ 一个小型且快速的FinFET晶体管，例如：工作在3.0 GHz的14 nm需要多少安培（大约）？ 更高的电流会使晶体管更快地打开和/或关闭吗？

37 power  transistors  current  amperage  cpu 

我一直在学习欧姆定律，并测试家用电器插头上的电阻并计算电流。 例如，我的水壶为22欧姆（10.45安培），并由13 A保险丝保护。 这是有道理的，我对此还可以，但是随后我测试了吸尘器，该吸尘器的电阻为7.7欧姆，相当于29.8安培，可以肯定会烧断13 A保险丝，但事实并非如此。我现在测试了两种不同的真空吸尘器，它们在带电和中性线上的电阻读数相同。 当然，这将是直接短路，但它可以正常工作，那么电阻会发生变化吗？

37 resistance 

为什么硬件除法要比微控制器上的乘法花费更多的时间？例如，在dsPIC上，除法需要19个周期，而乘法仅需要一个时钟周期。 我浏览了一些教程，包括Wikipedia上的除法算法和乘法算法。这是我的理由。 像在Wikipedia 上恢复的慢速除法一样，除法算法也是一种递归算法。这意味着step的（中间）结果k用作step 的输入k+1，这意味着这些算法无法并行化。因此，n完成分割至少需要花费周期，而n被除数中的位数是很多。对于16位除数，这至少等于16个周期。 乘法算法不需要递归，这意味着可以并行化它。但是，有许多不同的乘法算法，我不知道微控制器可以使用哪种算法。乘法在硬件/微控制器上如何工作？ 我发现了一种Dadda乘法器算法，该算法只需要一个时钟周期即可完成。但是，我没有得到的是Dadda的算法分三步进行，而步骤1的结果用于步骤2，依此类推。因此，这至少需要三个时钟周期才能完成。

37 microcontroller  hardware  math  algorithm  arithmetic-division 

所以我查看了Arduino R3的原理图，注意到这个小的设计选择： 这样做的原因是什么？我的意思是很难知道设计师在想什么，但也许这样做是为了节省空间。您还有其他好处吗？

37 arduino  led  layout 

我想尝试一下VFD，所以我订购了几个8x14分段显示模块。 他们是今天到达的，但我很担心，因为每个角落都有黑色的大污点。如果它在LCD上，我会怀疑它们坏了，但是由于我根本不了解这种显示技术，因此有人可以告诉我： 这些显示是否破裂或污渍是正常现象？ 如果这个东西有名字，它叫什么名字？ 这是模块的图片（污点在右上角）： 请注意，在查看卖家网站并在其他在线资源上查看了几张图片后，这种污渍在其中一些上可见，因此可能是正常现象。

37 vacuum-fluorescent 

在Wikipedia中，电气组件的常见温度范围是： 商业：0至70°C 工业级：-40至85°C 军用：-55至125°C 我可以理解较低的部分（-40°C和-55°C），因为这些温度确实存在于加拿大或俄罗斯等寒冷国家或高海拔地区，但是较高的部分（85°C或125°C）是某些部分有些混乱。 晶体管，电容器和电阻器的加热是非常容易理解的，但是某些IC产生的热量几乎恒定不变（例如逻辑门） 如果我正在考虑使用微控制器或在撒哈拉沙漠中在50°C的环境下运行（我不知道地球上是否有更高的温度），为什么我需要125°C或85°C？内部功率损耗所产生的热量不应为50°C或70°C，否则商用部件会在例如25°C的环境中立即失效？ 如果我生活在温和的气候中，全年温度只能在0-35°C范围内波动，并且仅针对同一国家/地区设计工业产品（无出口），我可以使用商业级组件（假设没有认证，法规，并且存在问责制，只有工程道德规范您的行为）？

37 temperature  semiconductors  reliability  industrial 

我是电子设计的初学者。我在相当复杂的PCB设计方面有一些经验。我想设计一种希望可以卖很多东西的产品。从制造的角度来看，如何确保设计便宜？我的意思不是要进行单个PCB制造，而是要进行批量生产。我使用常见的微控制器，例如德克萨斯州的atmel仪器。这是批量生产的方式吗？

37 microcontroller  pcb  manufacturing  fabrication 

即使在主要是数字电路的情况下，我使用电感器的次数也比以前更多，这通常是因为所有降压或升压转换器（我参与的最近开发的板具有12个不同的电压轨-TFT仅需要其中的六个电压轨） LCD）。 我从未见过具有电感范围的标准数字万用表（DMM）。因此，我最终购买了另一台进行LC测量的仪表。 但是，许多数字万用表都有电容等级。由于可以将电容器和电感器看作是电压和电流发生翻转的互为镜像，因此为什么DMM也不包括电感刻度？测量电感时有什么困难，以至于无法将其保留在数字万用表中而只能使用专用仪表？ 由于电感计通常是LC计（甚至是LCR），它们以不同于DMM的方式测量电容吗？它们比数字万用表的电容刻度更准确吗？

37 multimeter  inductance 

我想制作一个可以贴在飞盘上的小设备，它可以测量诸如RPM /飞盘投掷时的速度之类的统计数据。现实可行吗？ 我一直在研究近场通信，以将数据从飞盘传输到智能手机，但这只是一个主意。看起来很难做得足够小而不影响飞盘本身的飞行。谁能想到这个主意吗？

37 microcontroller  pic 

我是高中生。我喜欢计算机和电子产品。几周前，我曾想过要建立自己的电子产品，但不幸的是，我对电子产品的了解并不多。因此，我决定学习。在这里到那里谷歌搜索之后，我遇到了很多信息。除了一件事之外，没有什么让我胆怯和恐吓，这就是“ 充电 ”一词的含义？没有一本书说明其含义。有人说这是问题的基本属性，仅此而已，不再赘述。而有些人甚至不愿意谈论它。在维基百科上，其定义为： 电荷是物质的物理性质，当与其他带电物质接近时，电荷会使其承受力。 该定义相当困难且令人困惑。同样，从《关于电路的所有网站》教程中，我得到了不同类型的定义和理解。 从书本上，我知道即使对像斯蒂芬·霍金爵士这样的伟大科学家也不甚了解，我们仍然对指控并不了解。这是对的吗？如果不是，那为什么要写在书中（我的意思是书不是书），它的正确定义是什么？为什么大多数书籍都没有定义收费标准？

37 computers  basic  charge  books 

通常，如果旧标准过时，那是因为它们已被新技术取代。在过去，网络是使用同轴电缆来代替今天使用的双绞线。他们为什么使用更昂贵的同轴电缆？看起来双绞线技术当时并不存在，因此技术的进步似乎并不是原因。

37 cables  coax  twisted-pair 

我需要同步两个微控制器，以便它们可以测量传播波的速度。延时测量需要具有微秒的精度（误差小于1/2微秒）。 我有两个使用12MHz晶体的微控制器（ATmega328）。 它们都配备了蓝牙收发器。蓝牙收发器以约15毫秒的抖动发送和接收数据包。 我希望使用蓝牙收发器或其他一些创新方法来使微控制器同步。 我尝试通过触摸它们来同步它们，但是我需要它们保持同步约10分钟，并且它们的时钟漂移得太快。也许如果可以准确地预测时钟漂移，则此方法将起作用。 我应该如何实现这种同步？

37 microcontroller  bluetooth  clock  timer  synchronous 

我对如何设计自己的基于ARM的CPU有几个问题？ 一个人如何以ARM许可证开头并以准备好可焊接到板上的封装结束？ 我从ARM那里可以获得什么（我确信他们有多个可用的许可证选项-体系结构许可证（高通Snapdragon风格）和核心许可证（TI OMAP风格））？ 一旦获得ARM的“帮助”，我需要继续使用哪些工具？ 我要寄给工厂什么？ 我相信只有某些晶圆厂获得许可才能在硅晶片上蚀刻ARM内核。我对吗？ 作为一名学生，我可以负担得起在FPGA上执行此操作的能力吗？我如何获得类似这样的经验？

37 arm  architecture  physical-design