电气工程

我开始阅读关于电池，我感兴趣的是锂电池，我发现了一个描述关于稳定性和容量/重量，但我读了一些不清楚的描述，如“循环”。 “循环寿命”是什么意思？充电/放电次数是多少？如果电池放电至60％，然后充电至80％，该怎么办？这算作一个周期吗？

10 batteries  battery-charging  lithium-ion 

我有一个SFH235红外光电二极管（可在此处找到其数据表），并且只有电子学的基础知识。 我想将光电二极管连接到Arduino（总体计划是添加一个红外二极管并构建一个距离传感器）。 我知道光电二极管会产生电流，并且落在其上的光越密集，它就会产生越大的电流。 我已经看到了连接光电二极管的示意图，连接方式与光敏电阻的连接方式相同。其他人将其连接到“运算放大器”（为什么？），也有那些文章说我需要放大电流。我还看到电容器添加到电路中。 哪种方法适合我的申请？如何将光电二极管连接到Arduino的模拟输入（用于测量电压）？

10 arduino  infrared  photodiode 

电压增益的定义为。V出/ V在Vout/VinV_{\text{out}}/V_{\text{in}} 但是，我读了一些有关分贝增益的文章，现在我感到困惑。 这是一篇关于它的文章：https : //en.wikipedia.org/wiki/Gain#Voltage_gain 在这里，我了解了以分贝为单位的功率增益的定义，即增益= 10 log（P出P在） 分贝Gain=10log⁡(PoutPin) dB \text{Gain} = 10 \log \left( {P_{\text{out}} \over P_{\text{in}}} \right)\text{ dB} 但是，我无法理解为什么以分贝为单位的电压增益为20 对数（五出V在） 分贝20log⁡(VoutVin) dB 20 \log \left( {V_{\text{out}} \over V_{\text{in}}} \right)\text{ dB} 如果从这是功率增益，而不是电压增益，不是吗？但是，维基百科说这是分贝电压增益的公式。我认为以分贝为单位的电压增益将是。实际上，该链接页面中的示例部分使用电压增益。10log（ V 2 输出20 对数（五出V在） 分贝20log⁡(VoutVin) dB 20 \log \left( {V_{\text{out}} \over V_{\text{in}}} \right)\text{ dB} 10log（V输出10 日志（五2出[R出）（五2在[R在） …

10 gain  decibel 

我正在从事一个涉及远程Arduino与计算机之间大量数据通信的项目。无线连接是通过一对XBees进行的，因此我们在Arduino和计算机之间建立了RS232链接。对于少量数据，将一些简单的通信协议组合在一起很容易。但是，对于较大的项目，有什么好的简单的通信协议？ 我看过MODBUS，这似乎是一个可行的选择，但我想看看是否还有其他更好的选择。

10 serial  communication  xbee  protocol 

我正在尝试自我教育，以便在C中为我要尝试的PIC32 USB项目创建USB HID描述符。 我已经从http://www.usb.org/developers/hidpage/下载了HID使用表文档，并试图弄清楚在HID描述符中指示不同元素的实际值的位置。 让我解释一下我正在看的样本的摘录： ROM struct{BYTE report[HID_RPT01_SIZE];}hid_rpt01={{ 0x05,0x01, // USAGE_PAGE (Generic Desktop) 0x09,0x05, // USAGE (Game Pad) 0xA1,0x01, // COLLECTION (Application) 0x15,0x00, // LOGICAL_MINIMUM(0) 0x25,0x01, // LOGICAL_MAXIMUM(1) 0x35,0x00, // PHYSICAL_MINIMUM(0) 0x45,0x01, // PHYSICAL_MAXIMUM(1) // ... 从上面的示例中可以明显看出，BYTE数组由键/值对组成，如果可以这样称呼的话。例如第二行： 0x05,0x01指示键0x05，这是“ 用法”页面，而0x01是指示通用桌面的值 我试图找出这些值在HID使用表PDF文档中的指示位置。例如，我找不到任何参考资料 USAGE_PAGE == 0x05 例如 COLLECTION == 0xA1 我尝试在PDF中搜索0xA1，没有结果。我能够找出值的唯一方法是查看示例注释或使用上面链接中 USB Descriptor …

10 usb  hid 

我不明白为什么MOSFET的栅极电荷曲线（恰好是Miller高原部分）取决于漏极-源极电压Vds。 例如，IRFZ44的数据表在第4页（图6）上显示了不同Vds值的栅极电荷曲线。 为什么更大的Vds的Miller高原时间更长？高原不依赖Cgd吗？但是对于较大的Vds，Cgd（= Crss）会变小（请参见数据表中的图5）。米勒高原不应该变短吗？

10 mosfet 

这是我制作真正简单的音频放大器的第一次尝试。原理图如下： 首先，我尝试将电路连接到9V电池。（根据数据表，万用表读取的电压约为8.3 V，这在LM386的工作电压范围内）我得到的结果是很多噪音，有时会出现裂纹和爆裂声，并且音频输入几乎听不到声音（感觉像高度衰减的形式）输入是非常糟糕的）。听起来甚至不等于输入！我想要的增益为大约200，所以我做有一个10的引脚1和LM386的8 F电容器。μμ\mu 我还尝试连接到额定9.6V-250mA的未稳压DC适配器。结果几乎相同...（尽管我似乎在这里得到了更高的电压。） 最初，我只是使用入耳式耳机接收单声道输出。我还尝试连接一个小型扬声器（如图）。显然是0.2W 8扬声器。输出为低，但最终结果类似于耳机的输出。ΩΩ\Omega 这是试验板的快照。对不起，质量差的照片。此配置使用DC适配器和0.2W 40扬声器。我什至使用万用表检查了所有零件的导通性。由于我是新手，因此我也乐于解答有关此问题的提示。 ΩΩ\Omega 顶部总线是V s，底部总线是公共接地。输入音频连接到“绿色” 1k电阻的左端。它是一根非常细的电线，因为它来自3.5mm的TRS小电缆。 我不希望任何东西超大声，只是听得见，大概是输入信号的2倍。如果是这样，该放大器将能够驱动哪种扬声器？我需要什么使它听起来可以接受？基本上，这条电路怎么了？ 更新：我随后所有的建议和我的设置现在包括附加的100电容器并联到电源，一个100nF电容器串联到所述输入音频信号和10电容器连接到旁路引脚。但是，有一个问题，我使用的9.6V非稳压适配器似乎在电源轨上（负载下）显示22伏特。.这似乎使LM386的运行非常响亮。当我在这里微调一些零件时，我似乎有时听到放大的音频，但是无论如何，一段时间后，IC变得过热，电源上的电容器也是如此。μFμF\mu FμFμF\mu FμFμF\mu F 我真的无法确定是否全部是由于适配器，IC或面包板或电容器质量差所致。这些电容器是从另一电路的旧PCB板上抢救下来的。另外，由于我认为最后一个LM386已油炸，因此我从另一块板上拆下了另一块LM386，并保留了库存。这是我手头的最后386个，我不想把它弄糟。 现在，为了进行安全测试，我从笔记本电脑USB（5V稳压）汲取了电源。.新386引脚6上的电压显示为稳定的5V。扬声器真的很安静，所以我将其连接到AUX电缆上并聆听它。输出奇怪且不令人满意。当我在第6针上轻推电源电缆时，声音似乎被放大了（即，声音峰值）仅在开始时发生，然后逐渐消失；请参见附件中的图像/线的声音） （在针脚1和8上没有使用帽盖） 声音片段 UPDATE-2：我严重怀疑该放大器的音量输出..通过扬声器，我认为它的音量不够大..信号听起来有点“放大”，但扬声器似乎没有输出大声。顺便说一句，我尝试了9V电池，带有5V DC，7.8V DC，5V DC的9V电池，它们的声音都一样。是因为我的演讲者吗？也感谢所有建议在电源轨上增加额外电容的人。该部分确实有助于过滤大量噪声。我用10 ˚F帽有与100nF的帽一起。还是增加更多的电容会导致功率损耗或其他原因？μμ\mu

10 audio  noise  lm386 

有人可以告诉我RTL和行为性Verilog代码有什么区别吗？在这两个级别的设计之间是否有明确的界限？

10 digital-logic  verilog  vhdl  hdl 

目前，我的arduino上有一个阳极RGB连接到11、10和9 PWM引脚。但是我想在我的项目中增加3个LED，但是我不想占用每个PWM引脚（我仍然想连接一个屏蔽罩）。有没有办法让我连接所有4个LED并且仍只能使用最少数量的引脚？请记住，我确实要将所有12个电阻用于4个LED。哦，如果有帮助的话，所有的LED都将做完全相同的事情（它们都将变成红色，并且都变成蓝色，等等）。 这是我的董事会现在的样子： 我有三个NTE123AP晶体管可用于该项目。 PS我附加了.fzz文件，因此，如果您想编辑原理图图像，这将非常容易。实际上，由于我是新手，这样做会更好，而且更容易理解！:)

10 arduino  led  transistors  breadboard  rgb 

在军事，医学，太空，专业等方面。设计上需要能够证明您的设备可以以一定的置信度持续一定时间。或者必须在设计中使用可靠性来通过组件选择，组件测试和排序或改善技术（例如冗余，FEC-前向纠错等）来告知设计方向。 在设计和验证的可靠性方面如何使用FIT（及时失效）？计算示例？ FIT是如何确定/得出的？ 这与MTTF（平均故障时间）和MTBF（平均故障间隔时间）有何关系？

10 design  reliability 

我有一个低功耗应用，该应用将由Li纽扣电池供电。我选择的MCU已达到令人满意的睡眠电流。 然而，应用ADC IC是另一回事：不活动时为900µA，对于纽扣电池应用而言太多了。 因此，我想为什么不使用时不隔离ADC的电源。有两个想法：ADC的Vdd上的高端FET或仅将ADC的Vdd（或Vss）引脚连接到MCU GPIO引脚之一（假定电流在MCU的源/宿规格之内）。 我以为会有很多关于这个想法的文章，应用笔记等，但是我还没有找到任何东西。在开始实验之前，谁能在网上指出我相关的文章/应用笔记？还是一个坏主意？如果是这样，为什么呢？ （是的，知道大多数MCU都内置了ADC。出于超出查询范围的原因，我确实必须使用此外部ADC IC。） 谢谢！

10 low-power 

在我的系统中，我正在使用I2C，并且我意识到在繁重的中断负载（来自其他来源）下，I2C通信很容易中断。这是I2C的预期行为吗？我本来希望尽管有中断负载，但仍然可以，因为I2C并非完全是时间紧迫的接口，时钟随数据一起提供。 更新： 处理器是STM32。中断是由于ADC引起的，因此我无法在读取事件期间禁用中断，因此我必须找到一种可以使i2c通信更加稳定的解决方案。STM32是主设备，从设备是另一个设备（加速度计）。 更新2： 当我用一根小的飞行电缆将逻辑分析仪连接到时钟时，问题就消失了。有趣的是，没有中断加载，读写工作良好，有中断加载却没有。但是，如果我将探针连接到时钟上，则在中断负载下也可以进行读写操作。我认为某个地方存在电容问题。

10 i2c 

我有一块电路板（电阻抗）可以输出高达3.3v的电压，并且我需要用至少5v的电压来控制继电器，以影响线圈并闭合电路。我有一个5v的电源，所以我在考虑也许使用一个栅极连接到我的3.3v信号的晶体管，并以某种方式控制该晶体管将5v电源推向继电器。 但是如何？我唯一的想法是制造一个逆变器，将5v连接到pmos，将pmos漏极连接到vout，还要将nmos漏极连接并从那里连接到GND。然后当3.3v-> vout = 0时，以及0v-> vout = 5v时。不完全是5v，因为ii需要知道Vsd

10 transistors  relay 

我们大学的实验室中有一个HP E3631A电源。有6个端口。我的问题如下。 什么是名为240VDC Max的绿色端口？有人给我解释说，那是与建筑物地面相关的地面。我只是不完全了解它，以及为什么有这样的选择。 在25V选项下，两个红色端口之间有一个黑色的端口，名为“ COM”。为什么命名为COM？这是什么意思？我知道这是我每天使用此端口时要接地的端口，但不知道为什么将其称为“ COM”。 如前所述，在25V选项下有两个红色端口和一个黑色端口，名为“ COM”。我很困惑为什么红色端口之一的标题为“-”。这与极性有关吗？有人可以解释这个定义或在标题为“-”的红色端口后面使用吗？ 谢谢你的帮助。

10 power-supply 

最近有关循环给电容器充电的问题使我想起了我曾经读过的东西。我记得，它表明不可能用理想的元件构建效率为100％的电荷泵，但如果元件理想，则可以用电感器构建效率为100％的升压转换器。 这会与其他人产生共鸣吗？有什么办法证明或反驳这一事实吗？ 需要明确的是：我们假设我们有理想的组件。我意识到，使用真正的元件，没有真正的电路会100％高效。二极管的压降可能为零。晶体管可能是不消耗能量来改变状态的理想开关。导线的电阻可能为零。

10 efficiency  dc-dc-converter