电气工程

对于线性电源及其输入电流（即在稳压器的输入侧），我有些困惑。 首先，这是一个测试电路： [Rb Ò 克ü 小号[RbØGüsR_{bogus}只是为了使LTspice满意（所有节点都需要接地）。 顺便说一句，我想我应该为高频噪声增加另一个输入上限-尽管这与这个问题几乎没有关系（无论如何，原理图只是一个非常粗糙的测试电路）。目标是0-12 V，最高2 A（不过1.5可能就足够了）。电压源为230Vř 米小号V[R米sV_{rms} 因为这将继续运行，并且变压器设置为模拟〜15 V RMS，因此峰值约为21V。 问题是，取决于您的查看方式，电流尖峰太大或由于串联电阻而导致的电压降太高。或两者兼而有之。 此处，红色电压是稳压器的输入，绿色/蓝色是通过两个整流二极管的电流。请注意，由于串联电阻与5.5 A电流峰值相结合，电压如何降低很多（从15 Vrms-2个二极管压降）。 该图为最大输出电流（12 V / 6ΩΩ\Omega由于输出纹波，负载）= 1.87-1.99 A; 由于次级上的压降，输入电压太低而无法正常调节。 当然，平滑电容的峰值与二极管相似，但是幅度较小（〜1.8 A）。 变压器的次级会具有什么样的串联电阻？我正在寻找一个2x 10-15 V多抽头变压器，每个次级额定电流为2.2 A（总计66 VA）。该数据表列出了一些细节，但没有串联电阻。 假设1在次级串联电阻（如在上面的模拟）和0.11 ESR上平滑电解（一些球场附图我发现搜索时），我结束了类似上述情况。次级为时，输出在12V及更低电压下（目标电压）较好，但当然5+安培峰值仍保留在输入侧。ΩΩ\OmegaΩΩ\OmegaΩΩ\Omega 所以，最后，问题是： 我在与0.5大致正确在二次，或两倍更接近事实？我确实意识到变压器之间当然有所不同，但是我真的找不到任何数字，也没有什么可以衡量自己的……但是，在这种模拟中，一个可行，而另一个却不可行。ΩΩ\Omega 2 A电源的正常电流峰值为〜5-6 A，是否正常？平滑电容（〜2.4 A）也一样-顺便说一句，我认为这是电容器的“纹波电流”规格吗？ 处理该变压器需要多少额定功率？我肯定不需要6安培的变压器来输出2 A直流电吗？电流RMS低于2.2 A，但这真的可以吗？ 而且，尽管上面的回答几乎可以解决： 我真的应该期望负载有如此大的压降吗？如果峰值为5 A，次级为0.5-1，那么即使在桥式整流器之前，我显然也会损失多个电压，这会导致整个器件失效（大量输出纹波）。ΩΩ\Omega

8 power-supply  current 

如果每次交流开关切换时极性改变，那么电容器为什么不爆炸呢？

8 capacitor  ac  polarity 

我正在尝试创建一个类似于C语言中的Arduino的库。 我曾经尝试过，尽管我丢失了代码，但我记得只是简单地获取了对未定义引用的加载，这些未定义引用是在头文件和包含所有目标文件的库中指定的（由avr-objdump检查）。 我想知道我应该如何编译该库（示例makefile）以及如何将程序编译到该库。另外，我是否需要针对每种AVR和时钟速度重新编译该库，或者是否可以解决？ 如果您需要更多信息，请询问。 谢谢 编辑：示例（不起作用） 程式 #include "test.h" int main(void) { test_function(); } 测试 #include "test.h" void test_function() { int i; i++; } 测试 #ifndef __TEST_H_ #define __TEST_H_ void test_function(void); #endif

8 avr  c  library  avr-gcc 

我目前正在从事一个项目，该项目涉及在很长的生命周期内快速连续记录相当特定于应用程序的指标。为此，我最终使用了NXP M0和32MiB SPI闪存芯片。测井是连续的，需要在现场持续数年（超过10年），并且需要人工进行定期检查以发现趋势。最终，缓冲区填满并开始覆盖旧数据，这是完全可以的。我想出了一个简单的算法，在加电后（整个设备在我的控制范围之外经常断电），可以遍历整个闪存设备以找到当前磁头，因此记录可以从中断处继续进行。在这种情况下，我可以蛮力地进行一下，最坏的情况是用〜4s来完成。 这让我开始思考，是否有任何适合闪存设备和微控制器的日志结构文件系统？JFFS和所有其他众所周知的日志结构化FS我想对于一个简单的微控制器来说会有点沉重（当然取决于应用程序）。更具体地说，我想知道任何专门设计为具有快速头搜索时间的循环日志的算法，和/或专为可在闪存设备上运行的“传统”文件系统设计的算法。微控制器。在这种意义上，传统与JFFS之类的东西相提并论，在JFFS中，有一个数据结构表示分层名称空间中可变的随机访问文件的集合。

8 arm  flash 

我最近遇到了一个有趣的装置，叫做闸流管。我对晶闸管作为充气真空管有基本的了解。我了解他们可以在短时间内非常准确地切换大量电流和电压。但是，我遇到了很多有超过4个引脚（有时6或7）当我看到数据表的（如闸流管的 这一个）引脚标签似乎从他们的SCR couterparts很大的不同。 我试图了解这些引脚之间的相互作用-因此，如果该设备是一个黑匣子，我将观察到不同引脚之间的电流和电压之间有什么关系？

8 transistors  relay  datasheet  thyristor  tube 

我目前正在研究一些多导体连接器，这些连接器可处理相当大的电流（24 v时约为30 A）。阅读数据表时，我看到连接器同时具有最大电流和最大电压。例如， 额定电压： 600 VAC / 额定电流： 9 Amps Max。在2位应用中。 我很难解释这一点。我的理解是，最大电流由引脚的电阻决定。我的直觉是，这意味着只要电压不超过600 VAC，就可以安全地将连接器用于任何消耗功率小于（9 A）（600 V）= 5.4 kW的应用中。 这是真的？如果是这样，为什么没有一个“最大功率”等级？如果没有，您能解释一下如何在不同电压下干扰额定值吗？

8 current  connector  ratings 

我想知道从理论上讲我是否有可能建立自己的领导或领导能力。我知道这不是很实用，我只是作为练习而感兴趣。我了解led背后的基本理论和必要的材料，但我不知道所需的过程。 我的环境都不是。这是纽约市的黑客空间，我们在那里建造各种东西。我的预算可能是几百美元。我一直在研究半导体油墨，认为这可能是最简单的方法。我真的只是想看看是否有人尝试过这种方法。 如果有人能指出我正确的方向，将不胜感激。 谢谢

8 led  light  oled 

在这两个回路中，您是否愿意选择一个而不是另一个？

8 transistors  pnp 

存在许多库仑计数芯片，其测量流入或流出电池的积分电流以估计充电状态。是否有任何易于使用的电路好的芯片，用于测量特定操作可能要花费1-500毫秒的电量？我看过的所有计费芯片都无法在短时间内提供良好的分辨率。例如，典型的芯片在最大输入电流下每秒将输出大约两个计数。如果某个操作需要100mA持续10ms，而25mA持续90ms，则在最大电流（100mA）下每秒输出两个计数的库仑计数器每50mC将提供一个计数。所描述的操作将消耗3.25mC，因此计数器每15次操作仅产生一个计数。 我正在考虑的一种方法是使用不连续模式的开关电源，该电源以稳定的输入电压工作，并对开关脉冲的数量进行计数。这应该产生高分辨率的计数；如果开关电源在每个脉冲中始终使用相同的电流量，并且如果电流在两个脉冲之间始终降为零，则脉冲数应与总积分电流成正比。不幸的是，这不是操作切换台的最有效方法，并且大多数切换台都试图更有效地进行操作。 假设电源电压为3或6伏，最大电流为250mA，目标是最低效率为50％，静态耗散为3mW，那么最佳方法是什么？ 附录 尽管我想使用通用的测量方法，但是我想到的特定应用是确定哪些因素会影响将在户外使用的各种“智能” RF模块的能耗。例如，如果模块通常每15秒消耗一个mAs来维持网格，但是在暴雨期间某些模块偶尔会在几分钟内开始每秒消耗10maS，那么了解这种情况将很有用。如果由于某种原因，通常为25uA的闲置电流有时高达40uA，我也想知道这一点。 许多电荷积分设备通过测量瞬时电流并积分测量值来工作。我担心的是瞬时电流将具有相当大的动态范围（我希望在低电流情况下尽可能精确到10uA，但能够捕获高达250mA的事件），并以此读取数据预先设置的级别足够快，以确保即使是短时间事件也能得到准确整合，这似乎有些棘手。 我正在考虑的一种解决方案是使用带有内置或外部模拟比较器的PIC，其工作电压为3.30伏；每当输出低于3.10伏时，请使用一个串联电阻将PFET接通，该电阻经调整可通过0.50A，且压降为0.20伏。如果输出上有足够的上限，则只要输出上有足够的电压，PIC就应该能够休眠；当电压降到3.10伏以下时，PIC可能会唤醒，向PFET馈送脉冲，直到电压恢复到3.10伏以上为止，并且，如果充电没有太多的脉冲，则“回到床上”。 我希望测量刻度的精度会受到PIC时钟精度，PFET和串联电阻的有效组合电阻以及输出电压与3.10伏的比较，3.30伏输入的调节的影响。测量偏移精度将纯粹是泄漏的函数。 如果目标是使总体精度达到10％，则PIC通常必须将其输出保持在目标电压的0.02V之内。面对250mA的负载，1000uF的电容会下降0.250V / ms。要使电压降保持在0.02伏以下，就需要使PIC在80us之内唤醒，我认为这对于使用基于RC振荡器的PIC可能是可行的。

8 battery-charging  current-measurement 

这个问题不太可能对将来的访客有所帮助；它仅与较小的地理区域，特定的时间段或格外狭窄的情况（通常不适用于Internet的全球受众）有关。要获得使该问题更广泛适用的帮助，请访问帮助中心。 8年前关闭。 我正在寻找MP3编码芯片，我所发现的只是这款MAS3587f，其价格约为4美元。还有其他便宜的芯片吗？

8 audio  integrated-circuit 

我在制作的木板上遇到麻烦。该处理器是NXP LPC1788 Cortex-M3。 我正在使用12 MHz外部晶振为数据手册中建议的处理器提供时钟。 由于某种原因，我无法使晶体振动。我不确定我是否在示波器上正确检查了它，但是看不到任何一致的振荡。 这是晶体的数据表：http : //www.txccrystal.com/images/pdf/8z.pdf。 它具有18 pF的负载电容，LPC1788数据表建议使用39 pF的外部负载电容器，负载晶体为20 pF，因此我尝试了39 pF的负载电容器。我还尝试了LPC1788数据手册推荐的18 pF负载电容器，以用于负载电容约为10 pF的晶体。 我真的很想至少理解为什么在我再次进行该板之前，该晶体为什么不能振荡，因为它非常昂贵（四层板）。 这是晶体布线的图像。

8 oscillator  crystal  routing 

我正在考虑使用两个稳压器来创建±5 V电源。我将使用10 V稳压器和5 V稳压器，并将5 V稳压器的输出用作电路的接地，并将10 V稳压器的接地用作-5V。 像这样： 在此设置中使我感到困惑的是如何计算+ 5 V稳压器的功率。 我猜想10 V稳压器的负载将是整个电路（包括5 V稳压器）的负载。那么，5 V稳压器上的负载将仅仅是流入GND引脚的返回电流吗？

8 power  voltage-regulator  negative 

在计算某些信号的N点FFT时，结果总是除以N。我可以理解为什么在N点上求和是这种情况，但通常FFT运算的结果是长度为N的向量比总结。那么，为什么FFT输出的长度N向量被用于计算FFT的点数（N）缩放？谢谢。

8 fourier 

目前，我的固件中有一个硬编码的序列号，用于正在使用的设计。固件可以读取并报告序列号。可以满足我的需求。麻烦在于，每个新的序列号都需要我更改代码并重新编译。当要建造许多单元时，这很麻烦，可能会引入错误，并且是全面的不良做法。序列号是给我的，硬件设计是一成不变的，因此我无法在硬件中添加任何功能来序列化这些单元（EEPROM /硅ID芯片/上拉）。我想做的是将序列号定位在固定地址，编译一次代码，然后在已编译的HEX文件中为每个新序列号编辑该地址。该数字在多个地方都有引用，因此理想情况下，我想一次定义和定位它，然后在我的代码的其他地方引用该“变量”。有谁知道如何使用C18编译器在我选择的特定可寻址存储器位置中定位常量数据？有没有人可以建议的更好的方法？

8 microcontroller  pic  compiler 

我在一些电源中使用78L12或类似的稳压器。我在它们的基本设置中使用它们，请参见图片： 该图对于所有78xx和78Lxx稳压器都是通用的。表示输出电容器应为100nF。我能够以几乎相同的价格（几乎没有价）获得这些100nF电容器，无论是陶瓷电容器，钽电容器还是薄膜电容器，因此我想知道哪种电容器最适合这种情况。 注意：我知道为SMPS输出推荐使用钽电容，但78xx不是开关模式。

8 capacitor  voltage-regulator  ceramic  tantalum