电气工程

我打开了一个非常小的手机充电器，看看它是如何设计的。整个“充电器”被集成到一个小的2针电源插头（1 x 1.25 x 0.5英寸）中，该插头具有用于电话的USB充电电缆的USB插座。 我找不到任何似乎是电路中任何地方的变压器的东西，但是我已经测试过它是隔离的5伏稳压良好的输出。这种微小的柔性PCB仅具有十几个SMD部件，范围从0402至4516（公制），并且在两端分别具有用于电源和USB的连接器。SMD零件均已打磨零件编号。 他们如何管理这些充电器中的隔离？ 对评论的回应：这是一个没有名字的“ Hi-Standard USB电话充电器，超强大！” 我刚在韩国买的，应该可以在任何带USB充电功能的手机上使用。他们在盒子上有六个不同手机的图片，里面有一个hyta USB电缆，其中有mini-USB，micro-USB和一些其他类型的连接器。 我买它只是为了看看它是否安全。这就是为什么我首先进行隔离测试。

18 dc  transformer  charger  adapter  isolation 

我目前正在使用Xilinx ISE和ISIM在VHDL中设计一个简单的CPU。设计部分进行得非常好，但是我似乎无法找到一种以一致的方式进行验证的方法。 现在，我有一个VHDL测试平台，可以随时更新以测试我正在处理的功能。这是非常临时的，它不能帮助我了解回归，也不能用于验证对规范/指令集的符合性。 我考虑过要开发一个广泛的测试套件，但是问题是，通用零件作为CPU的潜在状态与通用零件相比要大得多。 我正在寻找一种方法，使我能够以更可控的方式执行设计和测试。如果可以的话，可以使用某种“硬件TDD”。这样的事情存在吗？是否可以相对容易地应用于CPU等通用部件？

18 fpga  vhdl  cpu  test 

我希望有人能给我一个关于TRIAC所做的简单解释。 为了满足这个要求，我是一名嵌入式系统软件工程师，因此我与硬件进行了交互，但是我没有接受过正式的培训。我在查看工作原理图时，看到一堆TRIAC被放置，但是对此我并不熟悉。我阅读了Wiki，但对我来说有点多。 能否有人给我一个有关TRIAC的基本示例，以及为什么您需要它们？ 例如 我知道一个电阻，可以抵抗电流， 我知道一个电容器可以存储电荷， 我知道二极管只允许一个方向的电流通过。 因此，像这些基本概念一样，有人可以向我解释TRIAC吗？谢谢。

18 triac 

关闭。这个问题是题外话。它当前不接受答案。 想改善这个问题吗？ 更新问题，使其成为电气工程堆栈交换的主题。 4年前关闭。 3.3伏MCU电路可用于切换更高电压的设备，与2n7000等效的流行方法是什么？ 背景： 对于基于5伏微控制器的原型和实验，我的首选解决方案是廉价，低端开关（由数字/ PWM引脚驱动的50-200 mA电流或10-40伏器件），非常便宜（0.05美元）印度的零售店）和无所不在的2n7000 MOSFET。 使用此MOSFET的最佳方面是，我制作了一堆带有100 Ohm栅极电阻和10 k栅极下拉电阻的小构建块PCB，并将其插入几乎所有非高频或高负载的环境中。它只是有效，并且几乎是防弹的。如果我可以在本地找到任何4 x 2n7000阵列部件，那么我肯定我也会制造4通道构建块。 当使用3.3伏MCU和板卡（例如TI MSP430 Launchpad）工作时，可以采用什么等效的易于使用的，健壮的开关解决方案（如果有的话）用于非关键的快速原型制作？ 我目前最终要么使用2n7002，要么打开得不够硬，要么使用各种IRL / IRLZ部件，尽管它们的成本高达10到20倍。IRL / LZ通常在“电子零件市场街”上不可用，在我不使用BOM或计划时，我会在我的个人零件货架上随机挑选零件。 在此问题的评论中建议的AO3422根本无法在本地零售中获得。 我想避免使用BJT，因为BJT的运行温度通常比MOSFET高，并且无论如何我都会创建足够多的魔术烟雾小玩意。 我知道不一定有一个正确的答案，但是我敢肯定，好的建议会对跳入3.3伏设备的许多人有益。

18 microcontroller  mosfet  pwm  msp430  3.3v 

我们正在基于ATmega328P构建低功耗数据记录器，以利用Arduino引导加载程序和IDE等。理想情况下，功耗应小于0.3mA @ 3.3V，这样才能一次获得约4个月的使用寿命AA电池。传感器数据将在4个月内最多以76字节/秒的速度存储，从而提供大约750 MiB的数据。因此，我们需要仍然低功耗的大型存储设备。 据我所知，存储这么多数据的唯一实际解决方案是使用SD卡。但是，SD卡似乎消耗的功率超出了我们的承受能力，目前拥有的卡的闲置电流为0.2mA，并且在写入时消耗的电流更多。 所以有些问题： 高端开关是控制SD卡功耗的唯一实用方法吗？ 在切换卡的电源时，有什么需要注意的警告吗？例如，损耗均衡是在块写入之后执行的过程，还是可以随时发生的过程。 我们还有其他选择吗？

18 arduino  low-power  microsd  datalogger 

我正在学习电子学，目前正在通过Charles Platt的“ Make：Electronics”阅读/工作。这是他给出的基本防盗警报器的电路图之一： 我的问题是，切换后1K电阻的作用是什么。我理解所有其他组件的要点，但是为什么该电阻必须存在？我已经重读了本书的这一部分几次，但似乎没有提到为什么存在该电阻或它的作用。可以省略吗？

18 resistors  components 

我有一个14位ADC。但是，查看数据表（请参阅第5页的表2），有效位数（ENOB）始终小于12位。 为什么我的DAC仅具有12位精度时却声称自己是14位ADC？如果多余的两位毫无意义，那又有什么意义呢？

18 adc 

为了理解电气工程，我偶然发现了本教程： http://www.ladyada.net/learn/arduino/lesson5.html 在开始切换之前，我已经了解了这些图。我不确定在面包板或图表上开关的工作方式。这是我正在考虑的特定电阻（这是下拉电阻）： 实现是： 根据该图，我认为正在发生的事情是：电源接通了开关，如果按钮向上，则电路未完成。如果按下按钮，则电流会流向引脚2的电阻最小，因为它具有更大的拉力（100ohm <10kohm）。 教程中描述的方式听起来像是当按钮按下时，电路仍然完整，但是10k欧姆的电阻器将电源拉到了地面。我不敢肯定，如果10k ohm和100ohm都受到相同的电流，那么该电流如何或为什么通过比2号引脚开路的电阻高的电阻接地。

18 resistors  switches  pulldown 

关于上一个问题，我试图了解USB 2.0对浪涌电流的要求。我了解基本概念，但我仍然不清楚一些细节。该规范部分指出： 可以在电缆下游端施加的最大负载（CRPB）为10 F， 与44Ω 并联。10 F电容表示功能中直接跨VBUS线连接的任何旁路电容，以及通过器件中的稳压器可见的任何电容效应。44Ω电阻表示设备在连接过程中汲取的电流的一个单位负载。 如果设备中需要更多的旁路电容，则设备必须结合某种形式的VBUS浪涌电流限制，以使其与上述负载的特性相匹配。 USB-IF还提供了浪涌电流测试的描述： 连接后至少要测量100毫秒的浪涌电流。在插头的VBus和接地引脚与插座匹配时定义连接。 在100 ms间隔内任何超过100 mA的电流都被认为是浪涌电流事件的一部分。浪涌电流分为多个区域。区域是电流超过100 mA的间隔，直到电流下降到100 mA以下至少持续100 µs。在100毫秒内可能有多个浪涌区域。通过/失败取决于电荷最高的区域。 就目前而言，这是明确的，但是它仅给出了最短的测量时间，并且没有说明对突入区域采用哪种算法来得出通过/失败的决定。我认为这个想法是，在电流超过100 mA的区域内，对电流进行积分以在此窗口内转移总电荷，并且总电荷不得大于10 uF // 44的电荷量。 Ω负载。根据一个消息来源，这将是5V * 10 µF = 50 µC。那是我的理解有些动摇的地方。 为了帮助我理解，我分析了以下电路： V1/R1V1/R1V_1/R_1V1/(R1+R2)V1/(R1+R2)V_1/(R_1 + R_2)(1/R1+1/R2)−1C1(1/R1+1/R2)−1C1(1/R_1 + 1/R_2)^{-1} C_1 ttt Q(t)=V1R1+R2t+V1R22C(R1+R2)2{1−exp(−tC1(1R1+1R2))}Q(t)=V1R1+R2t+V1R22C(R1+R2)2{1−exp⁡(−tC1(1R1+1R2))} Q(t) = \frac{V_1}{R_1 + R_2}t + \frac{V_1 R_2^2 C}{(R_1 + R_2)^2}\{1 - \exp(\frac{-t}{C_1}(\frac{1}{R_1} …

18 usb  passive-networks 

我们使用1.5Mhz，内部开关的开关调节器（semtech.com/images/datasheet/sc185.pdf）设计了一个开关调节器电路。Vin是5V，Vout是3V3。我们有一个输入电容器（47uf），一个输出电容器（47uf）和一个电感器（1uH）。问题是，当打开系统电源时，我们大概听到了电感发出的高音。当电路消耗非常小的电流时，声音似乎更明显。随着当前需求的增加，声音通常变得不明显，但并非总是如此。 有什么想法我们可能做错了吗？我还有其他信息可以提供更具体的信息吗？我已经看过调节器的输出，就在电感器之前，我看到了一些振铃，但是我无法确定振铃是否正常。

18 power-supply  noise  inductor  switch-mode-power-supply 

我想保护MCU（PIC18F67J60）ADC输入（0至3.3V）免受ESD浪涌的影响。 我看到了不同的方法，并且怀疑哪种方法是首选方法。或可能只是每种方法的利弊。 方法是： 具有正确反向工作电压的TVS二极管接地。 两个肖特基二极管：一个在V +和adc输入之间，一个在GND和adc输入之间。 选择什么？

18 esd 

如果断电，我公司将使用超级电容为设备供电。我想知道您是否可以使用电感器做同样的事情。如果不能，为什么不呢？

18 power  capacitor  inductor 

所述FDC855N是在一个6引脚封装，其中4连接至漏极，并且只有1到源极。为什么会有这种差异？源极看到的电流与漏极相同，不是吗？

18 current  mosfet 

我更多地是软件程序员，但是我对电子学有一个基本问题。 当设备消耗的电流超过电源供应能力时，会发生什么？而且在什么情况下会发生-电路板设计不良或无法确定器件工作的最坏情况？ 在示波器上如何实际看到这一点？如果不纠正该设备又会发生什么？

18 power 

使用9伏电池，将两个端子接触在一起（或使用有故障的端子）会在我希望的位置大致引起火花。 这怎么可能？发生这种情况时，它是否会仅使电线周围的一小部分空气电离，并变得更明显？我相信，在极小的距离处，〜300v是空气的击穿点（通常，例如，根据帕申定律），所以我不理解电池是如何做到这一点的。

18 voltage  physics