Questions tagged «eeprom»

缩写:电可擦可编程只读存储器。有时与类似于旧EEPROM部件的Flash部件一起使用。


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为什么仍然使用普通的EEPROM而不是闪存?
如今,为什么有人仍在使用(而不是在新系统中实现)普通EEPROM而不是闪存? 从Flash维基百科: 闪存是从EEPROM(电可擦可编程只读存储器)开发的。 使用闪存而不是普通的EEPROM是否有不利之处(功耗,空间,速度等)?
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为什么串行EEPROM优于并行EEPROM?
在EEPROM的Wikipedia页面上:http : //en.wikipedia.org/wiki/EEPROM,给出了“并行EEPROM设备通常具有8位数据总线和足够宽以覆盖整个存储器的地址总线”,并且“与串行EEPROM相比,并行EEPROM的操作既简单又快速”。在那种情况下,为什么串行EEPROM变得比并行EEPROM更流行?
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微控制器的EEPROM上的磨损均衡
例如:ATtiny2313的数据表(与大多数Atmel AVR数据表一样)指出: 128字节系统内可编程EEPROM耐久性:100,000个写入/擦除周期 想象一个程序只需要两个字节来存储一些配置,其他126个字节实际上被浪费了。让我担心的是,两个配置字节的定期更新可能会使设备的EEPROM失效,并使其失效。整个设备将变得不可靠,因为在某个时刻您无法跟踪EEPROM中的哪些字节不可靠。 当您仅有效使用可用128个字节中的一个或两个字节时,是否存在一种明智的方法来对微控制器的EEPROM进行损耗均衡?

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为什么大多数非易失性存储器都将逻辑1作为默认状态?
我在嵌入式应用程序中使用了EEPROM和FLASH存储器等非易失性存储器,并且我始终发现1默认情况下始终将未使用的存储器(EEPROM / FLASH)位位置设置为。为什么用它代替0? 例如,一个地址,例如第0个地址(内存的第一个字节),如果用户未写入,则始终存储,0xff而不是0x00。为什么制造内存芯片的人会这样保存呢?我敢肯定,保留默认的内存位置0xff将为制造商带来一些好处或重要的东西。 内存芯片中这种结构背后的原因是什么?

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闪存和EEPROM
Atmega16数据表说它有 a)16 KB的系统内自编程闪存程序存储器,以及b)512字节的EEPROM。 微控制器能否有两个单独的ROM,可以通过EEPROM技术和闪存技术进行编程? 还是我从数据表中得出的推论是错误的? 我知道我们的程序存储在闪存中,为什么没有人需要EEPROM?如果我们有程序的闪存,它有什么用? 也有人可以解释什么是“系统内自编程” 我所知道的是:闪存技术可以按数据块编写程序,而EEPROM可以按字节写数据。

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I2C最低时钟速度和可靠性
I2C是否指定了最小时钟速率?我知道使用最广泛的时钟频率是100kHz,并且某些设备支持400kHz的“快速”模式,而其他设备则支持较快但又模式的模式(我认为1MHz?)。由于SCK信号是由主机生成的,所以我认为一个主机的运行速度可能比任何一个主机都要慢得多-实践中是否存在下限?从属设备在多大程度上关心时钟速率(例如,它们的超时时间短是常见的)?我问的原因是我想知道是否可以在更长的距离(例如20英尺)上运行I2C以在生产测试仪设置中可靠地对I2C EEPROM进行编程。我假设它在标准数据速率下无法在该距离上可靠地工作。

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在没有微控制器的情况下保存数据?
有没有办法将电压数据直接(无需微控制器)保存到任何地方,例如EEPROM,SDCARD等? 例如,我使用的MPX压力传感器可提供0V至5V模拟输出。首先,我要保存模拟数据,然后将这些数据保存到计算机中以将电压转换为压力,而不是在微控制器中将电压转换为压力并进行节省(这需要时间,金钱,空间等)。

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内置闪存容量不足
我在我的项目之一中使用了德州仪器的TM4C1230C3PMI控制器。它具有32KB的内部闪存,不足以满足我的应用程序的需要。市场上有更高闪存大小的微控制器可以使用,但我只想使用该微控制器。据我所知,可以使用外部EEPROM来增加总闪存大小(程序存储器)。 我的想法是正确的吗? 如果不是,请建议如何增加控制器的总闪存容量?


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直接从C源代码编程AVR EEPROM
在AVR C源代码中包含以下代码时,显然可以直接对保险丝进行编程,而无需额外的命令或.hex文件: #include <avr/io.h> FUSES = { .low = LFUSE_DEFAULT , .high = HFUSE_DEFAULT , .extended = EFUSE_DEFAULT , }; 在EEPROM中编程值是否有类似的技巧? 我已经检查了/usr/lib/avr/include/avr/fuse.h在哪里可以找到有关宏的一些注释,但是找不到类似的注释,/usr/lib/avr/include/avr/eeprom.h并且解释预处理器的内容有点超出我的范围了。 如果我可以在C源代码中包括默认EEPROM值,那将非常方便。有人知道如何做到这一点吗? 编辑1: 此FUSES技巧仅在ISP时执行,而不在RUN时执行。因此,在控制器中生成的汇编代码中没有对保险丝进行编程。相反,程序员会自动在额外的FUSES编程周期中循环。 编辑2: 我在Linux上使用avr-gcc和avrdude工具链。
11 avr  c  attiny  eeprom 

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用阳光擦拭EPROM
我听说(我不确定它的有效性)通过暴露在紫外线下可以擦除EPROM。我的教授在我的微处理器设计课上曾提到过它。但是,我不确定他是否在虚张声势。 谁能验证这是真的吗?如果是这样,擦除芯片需要花费多长时间?为什么要用这种方法而不是像今天那样通过编程器擦除芯片呢? 编辑:我的教授实际上确实说过EPROM。
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电子玩具中使用哪些典型的低成本微控制器和芯片?
我正在研究用于简单电子玩具的微控制器,存储芯片和声音芯片。这些玩具可能会通过按钮或开关接受用户输入,然后播放存储在存储芯片中的声音,并可能通过某些声音芯片或音频放大器播放它。 这些芯片的典型型号是什么?过去,我曾是业余爱好者使用PIC芯片。我正在寻找玩具制造商通常在其产品中使用的产品。这些可能比我以前作为业余爱好者工作时更具成本效益。 澄清 我正在研究这个b / c,我有一个玩具主意,想了解制作它的成本。我希望能够大量生产此产品。

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频繁写入非易失性存储器
我正在设计一种会随温度变化自动调整其物理位置的设备。如果设备关闭或电源断开,则设备需要记住其上次的温度和位置。我可以将这些值存储在EEPROM中,但问题是位置和温度变化非常快。如果每次更改后将温度和pos写入EEPROM,这将(1)降低固件速度,(2)一两年后可能会杀死EEPROM。因此,正如我所见,我的选择如下... 1)断电后,请使用电容器/电池在短时间内保持设备供电,以便我只能在那时将值写入EEPROM。我不喜欢这样,因为该板有点耗电,这需要很大的限制。而且我没有大量的可用空间。而且,我不希望电池和电池座的额外成本或大笔费用。 2)使用F-RAM代替EEPROM,这样我就可以写万亿次而不会用完。我不喜欢这个选项,因为FRAM比EEPROM贵很多,而且是用于生产产品的(不仅仅是一个)。 3)仅每5分钟左右写一次位置和温度。这样,我总是会记录最近的位置/温度,但我不会每秒写入一次,因此程序不会变慢,而EEPROM不会死得那么快。这似乎是我最好的选择。 还有其他人有我没有想到的建议吗?

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