Questions tagged «heatsink»

这个问题涵盖了外壳。但是，从安装在散热器上的风扇的角度来看，空气是通过散热片吹出还是通过散热片吸入都没有关系。换句话说，气流的模式是否足够重要？

57 fan  heatsink 

集成电路的晶体管位大约在（塑料或陶瓷）封装的中心。它们有时会变热，我们通过将散热器固定在一侧来冷却它们。有时我们只是用风扇向它们吹气。这些热量中的一部分向上传播，但有些也必须向下传播至PCB。我不知道比率。以下是耗散91W热量的Intel Core i7-7700K CPU的底面：- 有许多连接垫。显然，它们起着许多微型散热器的作用，这些微型散热器将一定比例的热量转移到插座/ PCB。实际上，许多表面安装的组件都通过（通过缝合的）铜层散热。 因此，如果冷却很重要（对于CPU超频社区而言），为什么也不能用风扇从PCB下方冷却CPU？ 编辑： 尽管以下评论总体上是负面的，但有两个新内容。之一，有一个长的螺纹上超频表明的度显著数可以采取关闭CPU温度与在背板的风扇。还有两个，我尝试过（只能使用Raspberry Pi）。我用布覆盖了顶部，以隔离Broadcom CPU，同时仅用60mm风扇冷却底部。风扇将最高CPU温度从82度降低了。到49。还不错，所以我认为这个主意...

28 heat  cpu  thermal  heatsink  cooling 

我打算使用IRFR5305PBF功率MOSFET（http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irfr5305pbf.pdf）接通负载。我确定我需要一个Rthsa <29 C / W的外部散热器。 如何确定要提供小于29 C / W的热阻所需的PCB上的铜面积？ 我曾尝试在Google和IEEE数据库上进行搜索，但文章并未清楚地向我展示如何进行计算。 编辑：我使用的是4层PCB，顶部和底部的铜箔厚度均为1 oz，内层的铜箔厚度为0.5oz。

28 pcb  heat  heatsink  thermal  copper 

在我当前的项目之一中，我使用D2PAK封装中的MC7805从可用的24 VDC电源生成5 V的逻辑电源。电路所需的电流为250 mA。这导致MC7805的功耗为： P= （24 伏 − 5 伏 ）* 230 m A = 4.37 瓦 P=(24 V−5 V)∗230 mA=4.37 WP=(24\ V-5\ V)*230\ mA=4.37\ W 必须将PCB组装到带有MC7805的小塑料外壳中。安排是这样的： 因此，像这样的散热器是不可能的。此外，外壳本身的体积很小，并且会发热。 解决该散热问题的第一步是在焊盘上增加通孔，并在PCB的另一侧制作裸露的焊盘。这样，我想消散外壳外部的热量。显然，这还不够好，因为大约一分钟后MC7805的热过载保护装置开始起作用。 因此，我在PCB背面的裸露焊盘上添加了一个小的散热器，现在看来它可以正常工作（散热器仍然很热！）。 除了我的反复试验方法之外，我还想更好地了解这种热设计并对其进行优化（到目前为止，我无法说出结点的温度是多少，因此我不知道这种方法的可靠性如何。 ）。 我已经读过其他几个问题，但到目前为止，我仍然不太清楚（甚至将功率视为电流，将温度视为电压，将电阻视为热阻，热设计始终使我感到困惑...） 因此，对于这种设计，我会有两个问题： 使用过孔时，过孔的镀层会传导热量，而过孔中的空气或多或少会被隔离。因此，如果未填充焊料，则需要最大化通孔的铜面积，以最小化上下层的热阻。当我保持阻焊层保持打开状态时，应在通孔上覆盖焊锡膏，并在回流焊接时进行填充。为了使顶层和底层之间的热阻最小，我认为最好具有尽可能大的“孔”面积。这个假设正确吗？ 有没有一种“令人难以置信的复杂”方式来计算结与底焊盘之间的热阻？ 如果没有，我可以以某种方式测量此热阻（使用温度传感器吗？ 由于顶垫和D2PAK外壳也会散发一些热量。我可以（按照电阻的类比）将它们并联吗？该系统的热敏电阻网络如何？ 我想进一步优化该散热设计。 我无法增加外壳和PCB的尺寸。 我无法添加粉丝。 我无法增加顶层垫的尺寸。 我已经将底垫的尺寸增加到最大可能的20 mm x 20 mm（上图提到两个垫均为15 mm x 15 …

25 heatsink  thermal  via  7805 

我一直在阅读Tanenbaum的结构化计算机组织，他说提高CPU时钟速度的主要瓶颈之一是热量。所以我开始思考：是否可以将散热器完全移除，然后利用该热量产生更多的电能？我一直在搜索，发现了这些热电材料和这个热电发生器： 我在Wikipedia上的文章中读到“硅锗合金是目前在1000°C（...）左右最好的热电材料”，我知道CPU通常在30〜40°C左右工作。因此，达到1000°C将需要更多的CPU。 所以我想：将许多没有散​​热器的CPU并行放置会产生更多热量吗？我们还可以对这些CPU进行超频很多，看看它们会产生多少热量。 但是我被困住了。我不知道接下来要怎么想。我什至不知道这是否是一个好的思路。 我的问题是：为什么不开发某种通过CPU的热量发电的散热器？我知道有人一定已经考虑过这一点，并考虑了为什么不这样做的原因，但我无法弄清楚。 那么，为什么不可能呢？ 编辑以澄清：我不希望CPU在1000°C下工作。我将列出我的推理步骤（不一定正确），大致如下： CPU时钟速度受工作温度（T）的限制。 CPU产生热量。热量使T升高。 散热器会照顾这些热量，以保持T = 40°C。 用热电发电机（由SiGe或类似材料制成）替换散热器 并排放置许多CPU以增加热量产生。 CPU发热量到TEG，因此CPU保持在T = 40°C。 这可能吗？ 如何建立这样的TEG？使用哪种材料？ 为什么这样的设备不存在？ 问了这个问题。 EDIT2：我看到我的想法从根本上来说是错误的，也是错误的。感谢您的所有回答和评论。对不起任何误解。

22 heat  cpu  heatsink 

没有散​​热器的TO-220是否可以在静止空气中耗散1W？ 或者，提出问题的另一种方式是：假设环境温度为25C，如何计算可以在TO-220封装MOSFET上消耗的最大功率？如果有帮助，MOSFET是FDP047N10。它将处理约12.5A的连续电流（即，无开关）。 我还想了解连续导通的MOSFET与以100KHz开关（占空比为50％导通）的MOSFET的功耗差异。 最后一个问题：如果我将两个MOSFET并联以减少每个FET的功耗，我是否可以做些事情来确保（或增加概率）两者都提供相等的功率？

19 mosfet  heatsink 

买铜或铝的散热片会更好？铝没有什么铜？我知道它更贵且更重，那么铜的优点是什么？ 编辑：有关应用程序的更多详细信息。我需要散热片用于TEG珀尔帖模块。能量的来源仅仅是手的热量，来自热的一面。为防止其中和珀尔帖的两面，我使用散热器冷却另一面。因此，我需要最强大的散热器，以便珀耳帖将产生更长的电压。

16 heatsink 

编辑：似乎我最初的问题（为什么没有隔热散热器？）是基于一个错误的前提，实际上是隔热散热器-我只是无法通过粗略的搜索找到它们。因此，我改为更改此属性以询问其稀有性。 散热器似乎几乎都由铝，铜或其某种组合制成。这很有道理；铝和铜易于加工且导热率高。但是钻石具有任何已知物质中最高的导热率-当然，很显然，至少可以说，适合用作散热片的钻石的价格非常昂贵，因为它可能必须是单一的宝石品质的晶体，但无法使用导热率类似的立方氮化硼吗？ 是的，制造大尺寸的c-BN单晶的制造困难可能与制造大的钻石单晶几乎相同，但是我希望最终价格不会那么高，因为没有戴比尔斯集团追求氮化硼。当然，还有其他具有良好导热性的非金属化合物，其中一些可能更适合于制造。我怀疑它们是否能够达到挤压铝的价格，但有时您确实需要更高的性能。 因此，总而言之，我的问题是：是非金属散热片如此稀有的原因仅仅是成本，还是在最深奥的应用之外还有其他一些缺点使它们不那么受欢迎？

15 thermal  heatsink 

热量通过传导，对流和辐射离开散热器。我被告知，黑色表面最适合辐射热量，因此许多散热器都是黑色的。但是它们也有散热片。大型散热器上有很多大型散热片。因此，对流似乎很重要。 那么，如果出于美学原因我必须将散热器涂成亮白色，会发生什么？当然，白色是反射热辐射的最佳颜色。那会像铝箔包裹的火鸡一样将热量反射回内部吗？有人可以猜测效率的损失或必要的补偿性评级提高吗？ PS家用散热器为白色。 PPS 散热器术语“材料表面处理”意味着什么？并没有完全回答。

15 heatsink  thermal 

将这个 LM7805稳压器需要散热片吗？ 它可以将12V调节至5V，并用于5V传感器，可吸收4mA电流。

14 heatsink 

我在通用PCB上使用7805 IC以及二极管桥Br805D（桥整流器）IC，并具有220V / 50Hz AC输入。 这两个组件的加热速度都非常快，我计划安装一个散热器。 我的问题是：对两个IC使用单个散热器/风扇组合是否正确，还是应该对两个IC单独使用散热器？ 我应该知道哪些潜在的问题？

14 heatsink  cooling  heat-protection 

我对散热问题有疑问，我无法通过上网来解决。使用这些肮脏的廉价焊盘将TO220封装安装在散热器上时，我产生了疑问，但实际上它的适用范围很广。 关于导热垫与导热油脂之间的比较，有很多文章（大多数人认为油脂在导热性方面更好），但是我发现关于在需要时是否完全需要导热界面垫几乎一无所获不必担心将翼片与散热器电绝缘。 维基百科说： 导热垫和导热膏用于填充因不完全平整或光滑的表面（应进行热接触）而导致的气隙；在完全平坦和光滑的表面之间不需要它们。导热垫在室温下相对坚硬，但在高温下会变软并能够填补缝隙。 因此，似乎暗示着导热垫始终是放置在TO220凸片和散热器之间的好东西，以改善热耦合。但是真的是这样吗？参考文献很少，通常集中在CPU / GPU冷却设置上。 此外，我还记得曾经见过一些设备，其中TO220固定在散热器上而没有导热油脂或导热垫。我能很好地理解为什么不使用导热油脂（更复杂，更昂贵的构建过程），但是导热垫价格便宜，而且在已经必须将金属垫拧紧/拧紧到散热器时也不需要花费太多精力。 底线：如果我不关心TO220和散热器之间的电绝缘，并且我不想使用导热油脂，从热耦合的角度来看，在两者之间放置导热垫是否总是有用的？

13 heatsink  thermal 

我正在构建一个小型开关电路，该电路由8个MOSFET（双向阻断，每个方向上有4个）组成，应以大约1kHz的频率开关100-200A。 我得出的结论是，由于尚不容易获得具有厚铜层的PCB​​，因此更好的解决方案是将MOSFET直接安装在母线上，并在母线上也安装电源线。因此，我只需要在MOSFET之间焊接源极引脚（露天）。这解决了几个问题：良好的散热，从电缆到MOSFET的低压降以及只需很少的焊接即可轻松安装/更换所有组件。 我的问题是：应将TO-220封装紧固到母线上多紧？我是否正确地假设所有电子设备都在黑色塑料部件内，并且因此可以按照自己的意愿尽可能地拧紧它？是否存在任何潜在的问题，例如热变形导致连接不良等？ 这是我好奇的示意图： 模拟该电路 –使用CircuitLab创建的原理图 编辑：添加了到MOSFET数据表的链接。制造商的数据表显示了包装的详细信息，但未显示D连接到选项卡。

12 mosfet  heatsink 

我的应用中有AD811，它工作正常，但由于它以大约14.5 mA的+/- 15 V电源工作，因此功率约为瓦特的三分之一。触摸时会很热。我在此网站上检查这是否是故障，并联系了ADI公司的技术支持，并且我确信这是该设备的正常行为。 现在，我正在考虑该设备的冷却方法，但是由于此DIP封装没有散热器的安装位置，因此我想到了一些类似的选择（关于该设备在高达50MHz的高频下工作）： 使用风扇：风扇的马达可能会产生一些噪音 将平坦的散热器放在设备顶部，将其粘贴在硅膏上并接地 使用热电冷却剂元件。 我从未听说过DIP封装的冷却方法，尤其是在高频情况下，我想知道是否有任何标准方法。

11 heatsink  dip  cooling 

我正在设计一种设备来切换由市电驱动的加热设备。我已经做了大量的研究，并且意识到那里有很多信息，但是由于我正在处理可能致命的交流电，因此我想在订购PCB之前验证我的设计。这是我第一次使用电源，所以请假设我一无所知:) 要求： 切换加热设备（=电阻）负载，最大功率为1000W 兼容110-240V，50和60hz 由5v MCU（ATMega328）驱动 无需通过法规等，但绝对需要安全 编辑：切换速率大约每5秒一次 这是原理图： 笔记： D8是MCU引脚 光耦合器和三端双向可控硅开关之间​​的电阻是1 / 4W通孔电阻，其他电阻0603 5A快速熔断器 串联的两个330电阻器可以使BOM更加简单 双向可控硅开关市电中性 问题： 首先：这里有什么我想念或忽略的东西吗？ 三端双向可控硅开关上的散热器对我来说还不清楚。我计算出的最大值为10C / W，可以吗？我的计算是：（最大温度-室温）/（最大舞台电压*（毫安/电压））-结点到基极的热阻（(110-25)/(1.65*(1000/230))-1.5 = ~10.35）。这是否意味着三端双向可控硅开关元件一直都处于110c，对我来说似乎有点高？。 光耦合器是随机相位。相位仅对衰落的灯光等重要，对吧？相位对加热装置重要吗？ 是否需要缓冲电路？据我了解，这仅对感性负载有用吗？ 该电路的大部分位于2层1.6mm电路板的底部，顶部距离其他组件至少4mm。据我了解，爬电距离应至少为6mm，但中间的爬电距离是否相同？ 无论如何，我都需要订购零件，所以如果您有更换组件的建议，那是完全可以的。 数据表： 光耦合器（MOC3023M）：http : //www.farnell.com/datasheets/94947.pdf 双向可控硅（BT138-600）：http : //www.farnell.com/datasheets/1651175.pdf 任何其他技巧也将受到高度赞赏！ 更新 在这里的技巧之后，我将保险丝更换为带电的（现在似乎很明显了。）并添加了缓冲器。更新了原理图：

11 ac  opto-isolator  triac  heatsink  mains