Questions tagged «memory»

而是考虑使用更具体的标签,例如dram,sram,flash

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如何制作1位永久存储电路?
我想做一个简单的电路来存储或保存1位数据。即使电源与电路断开连接,电路也应能够记住LED的状态(亮或灭)。我需要它像手机的硬盘驱动器,闪存或SD存储卡一样工作。 我制作了一个如图所示的电路,输出是一个与470欧姆电阻串联的LED。我使用两个衬套按钮对电容器进行充电或放电,以便输出LED亮起或熄灭。 断开电源或关闭电源后,电路能够记住LED的状态几分钟。 2或3分钟后,电容器完全放电,电路丢失了数据。 如何停止电容器放电?或者如何降低放电速度,以使电路在一周或更长时间后丢失其数据? 在此电路中,我将555用作逆变器(而不是栅极),但我可以使用任何其他IC。我的目标只是制作一个简单的永久性存储器。

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USB鼠标是否具有可用于存储恶意软件的内存?
我担心这可能会被标记为范围太广,但是在这里: 最近,我一直在考虑在外围设备上加载数据的可能性。鼠标是最常用的外围设备之一。我意识到有101种方法可以构建鼠标。为了将我的问题细化为几个,我提出以下问题: 是否可以构建没有内存的鼠标?如果是这样,通常是否看到鼠标没有存储空间? 假设鼠标确实有内存(如果这不是一个现实的假设,请指出),通常只看到ROM类型的内存吗?存储器可以像CMOS存储器一样闪烁吗? 有没有人从鼠标的记忆中看到过计算机攻击/恶意软件攻击? 我问第三点,因为我最近一直在想的是对各种高级持续威胁进行的攻击的概括。

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ARM与外部存储器接口的最佳选择是什么?
我刚刚使用LPC2132芯片完成了一个项目,但遇到了用尽整个64kb RAM的问题。 对于我的下一个项目,我想使用可以引用更大的外部存储芯片的东西。哪种类型的ARM可以做到这一点,我需要怎么做才能使两个设备相互通信?
13 arm  memory 


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如何制作一个模拟电压存储电路?
我正在寻找一种电路,即使输入被取走,该电路也可以在输入时记住一定的电压并无限期地输出该电压。在提供新的输入之前,电路不应更改其输出。 我知道可以通过以任意分辨率对输入进行数字采样来制作这样的电路,但是我想知道是否可以使用简单的模拟解决方案。 我还希望使该解决方案保持纯电子化,因为我还可以设想一种机械解决方案,其中反馈电路通过机械方式控制电位计。 最后,理想情况下,我不希望电路依赖于任何浮动输入的无源稳定性。电路应至少稳定几个小时。
13 voltage  analog  memory 

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需要具有几乎无限的读/写操作能力的非易失性存储IC
我需要一个内存解决方案,该解决方案将用于跟踪基于微控制器的项目中的累计计数。 通过累计计数,我的意思是说微控制器使用此存储位置来保留事件发生的计数。断电期间需要保留该计数,因此需要非易失性存储器。 另外,计数增加事件的发生是频繁的,因此将有很多写入存储器,因此我犹豫使用EEPROM。 首选的通信接口是I2C,但也欢迎使用其他替代方法。 我想到的是SRAM低功耗易失性存储器IC,可以选择在断电时由备用电池(例如纽扣电池)供电。

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当微控制器内存不足时会发生什么?
这可能只是一个巧合,但我注意到我用过的微控制器在内存用尽时重新启动(如果是硬件,则为Atmega 328)。这是微控制器在内存不足时会做什么吗?如果没有,那会发生什么? 为什么/如何?堆栈指针肯定会盲目地增加到未分配的内存范围(或翻转),但是随后会发生什么:是否有某种保护措施使其重新启动,或者(除其他影响外)是覆盖临界值的结果?数据(我认为与我认为直接从Flash运行的代码不同)? 我不确定这应该在此处还是在Stack Overflow上,请告诉我是否应该移动它,尽管我很确定硬件在其中起作用。 更新资料 我应该指出,我对内存损坏背后的实际机制特别感兴趣(这是SP翻转的结果->是否取决于uC的内存映射等)?

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使用PROGMEM有什么含义?
对于大量的文本变量,我发现有必要使用PROGMEM将它们存储在闪存中。在Arduino上将大变量存储在Flash中(使用PROGMEM),SRAM和EEPROM有什么正面和负面影响?

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是否缓存了页表遍历?
在具有硬件TLB管理的微处理器(例如Intel x86-64)上,如果发生TLB未命中并且处理器正在页表中,这些(片外)内存访问是否会通过缓存层次结构(L1,L2等)进行访问。 )?
12 memory  cpu  cache 

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内置闪存容量不足
我在我的项目之一中使用了德州仪器的TM4C1230C3PMI控制器。它具有32KB的内部闪存,不足以满足我的应用程序的需要。市场上有更高闪存大小的微控制器可以使用,但我只想使用该微控制器。据我所知,可以使用外部EEPROM来增加总闪存大小(程序存储器)。 我的想法是正确的吗? 如果不是,请建议如何增加控制器的总闪存容量?

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SDRAM原型与生产困境
我有一个使用LPC1788和ISSI(IS42S32800D)的SDRAM模块的设计。这是一个32位接口。 我已经把这种设计排除在外了,并有一个由PCB制造商制造的原型,该原型制造6层原型。原型PCB可以正常工作。然后,我以为我可以从通常的PCB供应商那里小批量(100)批量生产PCB。我给了他们我的原型用来确保不会出现问题的堆栈信息。 然而!我的生产板有很多问题。最初,我无法使用原型板中使用的相同代码来提高SDRAM的响应能力。前一块板的工作频率为120Mhz,所以我确定这个新板有问题。然后,我发现了一个帖子,有人建议在SDRAM数据线上使用“转发器模式”(我以前没有使用过),这引起了SDRAM的响应,但是它并不稳定。我可以写入16个左右的地址,但是随后的读取操作(每个地址处)返回的数据就是我最后写入的数据(可能是由于Repeater Mode)。当我禁用中继器模式时,返回的数据为0xFFFFFFF。我现在正在尝试以48Mhz的速度连接,这是我有时间限制的最低配置。 我在两块板上都使用相同的22Ω终端电阻(数据线上),数据线平均长3厘米。时钟线长2.4厘米。地址线平均长3.8厘米。 这是否太不合规格,如果时钟明显缩短,我应该延迟更长的时间吗?我真的被困在这里,因为我对设计的任何改变都没有改变,我希望可以无缝制造这些板。 Maximum Data Line Length: 59mm (Although this includes the branch to the NAND Flash) Minimum Data Line Length (Ctrl to Res): 18mm Maximum Address Line Length: 44mm Minimum Address Line Length: 24mm CLK: 24.5mm CKE: 25mm CAS: 28mm RAS: 28.7mm 这是原始(工作中)原型的PCB堆栈配置: 这是用于生产(非工作)PCB的PCB堆栈配置 这是SDRAM的路由:

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FPGA链接到外部存储器
我正在尝试在Nexys 4 FPGA开发板上使用蜂窝ram。我正在使用Xilinx Vivado,并且希望Microblaze软核处理器能够执行读写操作。到目前为止,我已经在模块设计中创建了处理器。 经过互联网的大量搜寻之后,我最终找到了一个我认为看起来很有前途的外部存储器控制器或EMC。我将如何连接Ram?我创建了HDL包装器,并尝试将EMC的端口连接到ram的引脚,但是,端口数量超出了我的需要。我找不到Nexys 4或Vivado EMC的任何示例。 我还发现Nexys 2具有板载内存控制器的示例。我看到RAM的部件号是相同的。这会有用吗,我将它与Mircoblaze结合使用吗?
10 fpga  memory  ram 

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为什么必须以页/块的形式写入/擦除闪存?
标题说明了一切。 我试图从晶体管的角度了解闪存技术的工作原理。经过大量研究,我对浮栅晶体管以及如何注入电子或将其从电池中移除有了很好的直觉。我来自CS领域,因此我对诸如隧穿或热电子注入之类的物理现象的理解可能有些不稳定,但我仍然对此感到满意。我也对如何从NOR或NAND存储器布局中读取数据有一个了解。 但是我到处都读到闪存只能以块为单位擦除,并且只能以页为单位写入。但是,我发现此限制没有任何道理,并且我想对为什么要这样做有一个直觉。


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CCS中的MSP430代码大小
这应该很简单,但是我的googleing并没有解决任何问题...我可以在TI Code Composer Studio(CCSv5)中成功构建我的项目并定位我的设备。 现在,我想知道程序代码的大小,以便知道将来还有多少空间。当我使用avr-gcc工具链在Eclipse中开发AVR时,它很方便地在控制台的编译器输出中告诉我这一点。 。甚至Arduino编译也可以在IDE中报告此信息。看起来CCS运气不好。 所以问题是,如何在CCS中获取MSP430的内存利用率统计信息?一个额外的好处是当我进行构建时,如何配置IDE以在控制台输出中告诉我该信息。 注意:我知道使用Run => Debug将其加载到设备上时,它会在控制台中告诉我。我正在寻找编译时的输出。

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