Questions tagged «mosfet»

我正在使用MOSFET驱动器（TC4427A），该驱动器可以在大约30ns的时间内为1nF的栅极电容充电。 我正在使用的双N沟道MOSFET（Si4946EY）的栅极电荷为每英尺30nC（最大值）。我现在只考虑一个，因为两者在模具上都是相同的。我将栅极驱动到5V。（这是逻辑级别的fet。） 这是否意味着我可以应用Q = CV计算出电容？C = 30nC / 5V = 6nF。因此，我的驱动程序可以在大约180ns的时间内将门完全打开。 我的逻辑正确吗？ MOSFET的栅极电阻规定为最大值。3.6欧姆。这对以上计算有影响吗？驱动器的电阻为9欧姆。 栅极放电而不是充电时，有什么显着差异吗？（关脚） 附带的问题是，在180ns期间，fet尚未完全启动。所以Rds（not-quite-ON）很高。如何计算这段时间内将发生多少功耗？

20 mosfet  efficiency 

我将n个mosfet门连接到4043逻辑，Id约为100mA。4043和mosfet都具有+ 5v。我打算使用2N7000 mosfet 问题是：我需要在4043和mosfet之间连接多少栅极电阻？逻辑输出有时会迅速投入使用。多快？主板硬盘控制。我是否需要在4043和mosfet之间放置从逻辑下拉电阻到-0v的电阻？

20 resistors  mosfet  cmos 

没有散​​热器的TO-220是否可以在静止空气中耗散1W？ 或者，提出问题的另一种方式是：假设环境温度为25C，如何计算可以在TO-220封装MOSFET上消耗的最大功率？如果有帮助，MOSFET是FDP047N10。它将处理约12.5A的连续电流（即，无开关）。 我还想了解连续导通的MOSFET与以100KHz开关（占空比为50％导通）的MOSFET的功耗差异。 最后一个问题：如果我将两个MOSFET并联以减少每个FET的功耗，我是否可以做些事情来确保（或增加概率）两者都提供相等的功率？

19 mosfet  heatsink 

当我上学时，我们有一些基本的电路设计之类的东西。我知道这是个坏主意： 模拟此电路 –使用CircuitLab创建的原理图 由于电流几乎肯定不会在这三个保险丝上均匀地流动。但是我已经看到使用并联晶体管和MOSFET的多个电路，如下所示： 模拟该电路 电流如何流过这些？是否保证流量均等？如果我有三个MOSFET，每个MOSFET都能处理1 A的电流，我是否可以在不油炸MOSFET之一的情况下汲取3 A的电流？

18 current  mosfet  parallel  fuses 

我设计了一块具有IR2113高低侧栅极驱动器的PCB（旨在作为原型构建块），该驱动器以半桥配置驱动两个IRF3205（55V，8mΩ，110A）功率MOSFET： 物理设置图片 在对电路进行负载测试时，我发现，尽管低端开关非常整洁，但每次高端接通时，半桥（X1-2）的输出都会产生很多振铃。调整输入波形死区时间设置，甚至移去负载（一个电感和一个带功率电阻的电感器串联模拟从X1-2到X1-3连接的同步降压转换器）都不会减少这种振荡。以下测量是在没有连接负载的情况下进行的（X1-2处没有，示波器探头除外）。 显然，寄生电感和电容足以引起这种情况，但是我无法弄清楚为什么低压侧会如此出色地工作。对我而言，两个栅极驱动波形看起来都足够干净，电压在MOSFET的阈值电压之间过渡的速度相当快。切换时不存在低谷。问题的可能原因是什么，我可以采取哪些措施来减轻症状？ 我知道这里和其他站点上有很多非常相似的问题，但是我发现张贴的答案对我的特定问题没有帮助。 编辑 尽管在输入（X1-1至X1-3）处有一个2200uF的电解电容器来抑制瞬态和噪声，但显然它不能抑制任何高频。与电解电容器并联添加一个100nF电容器（Andy aka的答案中建议），可将输出（X1-2接地）的振铃减半，而将电源（X1-1接地）的振铃减半。之10

18 mosfet  driver  h-bridge  ringing 

关闭。这个问题是题外话。它当前不接受答案。 想改善这个问题吗？ 更新问题，使其成为电气工程堆栈交换的主题。 4年前关闭。 3.3伏MCU电路可用于切换更高电压的设备，与2n7000等效的流行方法是什么？ 背景： 对于基于5伏微控制器的原型和实验，我的首选解决方案是廉价，低端开关（由数字/ PWM引脚驱动的50-200 mA电流或10-40伏器件），非常便宜（0.05美元）印度的零售店）和无所不在的2n7000 MOSFET。 使用此MOSFET的最佳方面是，我制作了一堆带有100 Ohm栅极电阻和10 k栅极下拉电阻的小构建块PCB，并将其插入几乎所有非高频或高负载的环境中。它只是有效，并且几乎是防弹的。如果我可以在本地找到任何4 x 2n7000阵列部件，那么我肯定我也会制造4通道构建块。 当使用3.3伏MCU和板卡（例如TI MSP430 Launchpad）工作时，可以采用什么等效的易于使用的，健壮的开关解决方案（如果有的话）用于非关键的快速原型制作？ 我目前最终要么使用2n7002，要么打开得不够硬，要么使用各种IRL / IRLZ部件，尽管它们的成本高达10到20倍。IRL / LZ通常在“电子零件市场街”上不可用，在我不使用BOM或计划时，我会在我的个人零件货架上随机挑选零件。 在此问题的评论中建议的AO3422根本无法在本地零售中获得。 我想避免使用BJT，因为BJT的运行温度通常比MOSFET高，并且无论如何我都会创建足够多的魔术烟雾小玩意。 我知道不一定有一个正确的答案，但是我敢肯定，好的建议会对跳入3.3伏设备的许多人有益。

18 microcontroller  mosfet  pwm  msp430  3.3v 

所述FDC855N是在一个6引脚封装，其中4连接至漏极，并且只有1到源极。为什么会有这种差异？源极看到的电流与漏极相同，不是吗？

18 current  mosfet 

这个问题可能太本地化了，但是我尝试了。 在下图所示的条件下，是否可以用MOSFET代替可变电阻？ 如果是，有人可以提出MOSFET类型或所需的MOSFET参数。 模拟该电路 –使用CircuitLab创建的原理图 更新资料 我实际上要完成的工作是用我可以用微控制器（DAC）控制的简单方法代替R2a。 我正在入侵现有设备，无法替换电阻器R1。

18 resistors  mosfet  voltage-divider 

在MOSFET的属性中，Digi-Key列出了几种不同的电压。我想我了解其中大多数，但是我不了解其中的一个：“驱动电压”。 让我们以这个P沟道MOSFET为例： 因此，有一个“漏极至源极电压”，即100V，这是MOSFET可以切换的最大电压。 “ Vgs（th）”为4V，这是栅极电压必须变化多少才能使MOSFET进行开关。 有“ Vgs（Max）”，它是±20V，我猜这是可以施加到栅极的最大电压。 然后是“驱动电压”，即10V。这是我不了解的那个。这是什么意思？

17 mosfet 

参见Sedra＆Smith microelectronics，第6版，第287页的以下电路： 它说，望向源极的栅极和源极之间的电阻为1 / gm，但是望向栅极的源极与栅极之间的电阻是无限的。为什么？“调查”甚至意味着什么？它有什么区别？ 根据我的理解，无论您查看源极还是栅极，G和S之间的电阻均为1 / gm。如果在G和S之间施加一个电压，并根据欧姆定律测量电流，您会发现R为1 / gm。 一定有些我不懂的东西。 编辑：这是我不了解的另一件事。看到这个电路： 它说Rin是vi / -i。我可以看到此表达式的来源，但我不知道Rin的正式定义。为什么在i前面有一个-？

17 transistors  mosfet  resistance 

我想切换50V交流电压。最大消耗电流为5A。频率为50Hz。切换速度并不重要，可以真正降低速度，这对我的应用程序来说不是问题。 为此，我想首先使用固态继电器。但是，当我开始搜索SSR时，我发现它们的价格太高了。对于更便宜的替代解决方案，我想使用MOSFET晶体管（也可以是其他类型的晶体管）代替固态继电器。 您能建议我上述规格的固态继电器的MOSFET等效电路吗？

17 transistors  relay  mosfet  solid-state-relay 

ESD放电会损坏微控制器和其他IC上的CMOS输入。大型分立MOSFET（2N7000，IRF9530等）的栅极会被ESD放电损坏吗？

17 mosfet  esd 

我尝试了一些配置，每个配置中有16 + 16个MOSFET的240A（实际上，由于源极端子，它们被限制在80-90A的情况下，但是我用一个非常粗的铜线将这个端子加倍了）。这是非常对称的布置，晶体管位置有16个MOSFET，同步整流器配置有16个，它们似乎在某些时候仍然失效，我不知道如何避免失效。 他们全部受到IR21094S作为驱动器的攻击，每个2个晶体管均由MOSFET图腾柱TC4422驱动器驱动。该电机是10kW直流复合电机，标称值为200A，启动时可能需要1600A。电感似乎为50uH，在50V时以脉冲为单位的上升电流速度为= 1 A / µs所选频率为1kHz，具有同步整流配置的PWM降压 我什至不知道为什么，即使电路是精心制作的，对称地提供了4个模块，并具有直至电动机的独立输出导体，具有独立的缓冲器，以及电动机的缓冲器，晶体管仍然出现故障。电路似乎工作正常，但经过一段时间后，例如数十分钟（温度正常，约45 C），通常会加速，通常同步二极管会失效，随后所有晶体管 最初，我尝试使用并联的小MOSFET来检测MOSfet上的电流（漏极，漏极，齐纳栅极/栅极，小mos源到22欧姆电阻器，再到电压放大器以启动快速关断保护电路） ，但是由于换向时间变短，所以小MOSFET总是在主晶体管之前进入，从而干扰了保护电路并使其无法使用... 没有直通，我在驱动器上使用了2us的间隙，我只怀疑寄生电感中的辅助测量。你们在什么条件下成功并联了多少个MOSFET？ 8个电源模块之一 所有电源模块 一些司机 组装的一半 全部堆叠，不带电容器 输出信号 下降沿，输出为黄色，电源为48V，蓝色为蓝色仅通过零星分布的100uF和100nF陶瓷电容器来维持电源供应，以避免由于初始测试处理不当而造成MOSFET烧毁 上升边缘；您可以看到过冲很小，只有5伏。晶体管额定电压为75v

16 mosfet  parallel  high-current 

如今，功率MOSFET普遍存在，而且零售价也相当便宜。在大多数数据手册中，我看到功率MOSFET额定用于开关，没有提到任何线性应用。 我想知道这些MOSFET是否也可以用作线性放大器（即在其饱和区域）。 请注意，我知道MOSFET工作的基本原理及其基本模型（交流和直流），所以我知道“通用” MOSFET既可以用作开关也可以用作放大器（“通用”是指一种用于教学目的的半理想设备）。 在这里，我对实用设备的实际可能的警告感兴趣，而在基本的EE大学教科书中可能会忽略这些警告。 当然，我怀疑使用这样的器件将是次优的（噪声更大，增益更少，线性度更差），因为它们针对开关进行了优化，但是将它们用作线性放大器会不会引起细微的问题，从而损害简单的放大器电路（从一开始）？ 为了提供更多的背景信息：作为一名高中老师，我很想使用这种便宜的零件来设计非常简单的教学放大器电路（例如，A类音频放大器-几瓦最大），这些电路可以在电路板上进行安装（并可能基于最好的学生矩阵PCB）。我可以（或可能可以）便宜地买到一些零件，例如BUK9535-55A和BS170，但是我不需要这两个零件的具体建议，而只是我以前所说的关于可能出现的问题的一般性答案。 我只是想避免某种“嘿！您不知道当用作线性放大器时，开关功率mos可以做到这一点吗？！？” 死电路（油炸，振荡，闩锁等）之前的情况！

16 mosfet  amplifier  audio  linear 

我通常会在NPN晶体管的基极看到弱下拉电阻。许多电子站点甚至建议这样做，通常将其值指定为基本限流电阻的10倍。 双极晶体管是电流驱动的，因此，如果基极悬空，则无需将其接地。 另外，我通常会在FET上看到栅极限流电阻。 它们是电压驱动的，无需限制向栅极供电的电流。 这两种情况的例子是人们在晶体管（需要基极限制电阻）和FET（需要下拉电阻）之间混淆规则还是将规则或其他东西组合在一起... 还是我在这里想念东西？

16 transistors  mosfet