Questions tagged «zener»

对于一个更广泛的问题，我将不再赘述。 在决定使用齐纳二极管或瞬态电压抑制器来针对特定应用进行过压保护时，应使用什么标准？还有什么时候使用双向TVS？

26 diodes  zener  transient-suppression 

我刚刚在http://www.electronics-tutorials.ws/io/io_5.html上关注本教程，在讨论飞轮二极管时，它包含了这句话，无需进一步阐述： 除了使用飞轮二极管来保护半导体组件外，用于保护的其他设备还包括RC缓冲网络，金属氧化物压敏电阻或MOV和齐纳二极管。 我可以看到，如果它是一个大型设备，可能会需要RC网络，因此，线圈释放的电流可能比您希望通过单个二极管消散的电流更多。（如果不是这个原因，请纠正我。） 我不知道MOV是什么，所以暂时我不会理会它。:-) 我已经阅读了一些有关齐纳二极管的信息，但我不明白为什么在这里可能需要较低的反向击穿电压？ 编辑：我也对以上教程中的下图感到困惑： 这不会接受任何反激电压并将其倾倒到Vcc网络中吗？将继电器线圈置于TR1与地之间，并且二极管将反激电压耗散到地，这不是更好的主意吗？

22 relay  diodes  zener 

我有以下基于齐纳噪声源的示意图： 模拟此电路 –使用CircuitLab创建的原理图 建成后，示波器会在“噪声”节点处显示锯齿噪声信号，例如： 时基为1us / div。谁能解释为什么信号呈锯齿形？最初，我期望的是三角形甚至正弦波形。我认为这与齐纳二极管的阻抗以及更高的100 kOhm电阻有关。电子在结上自由级联，但是当雪崩停止时，电阻器会限制电流。我们正在谈论60uA。其结果是比雪崩期间电流流动时电荷积累更慢。 这种波形并不特定于我的设置。当人们真正放大信号时，Interweb上还有其他示例，其中一个是https://youtu.be/CAas_kbTW3Q?t=714。这里也有一个很好的图表，显示上升沿略微弯曲。这可能是陌生的，因为通常显示时基要慢得多。我对电阻/阻抗的解释正确吗？

20 zener  waveform  avalanche-breakdown 

为什么在齐纳二极管电路中需要一个电阻，如下图所示？ 我知道这是限制电流，但是如何限制电流，为什么我们需要一个齐纳二极管呢？ 选择不同的电阻值会影响电路性能吗？因此，当我们选择齐纳二极管时，我们会在规格中寻找可流经它们的不同反向电流。但是，如果可以通过电阻器改变电阻值，我们是否可以在不考虑最大电流的情况下选择任何电压的齐纳二极管？

18 zener 

我很难理解可以使用齐纳二极管构建的简单稳压器（摘自《电子艺术》第2.04节）。我知道最好使用放大器等，但我只是想了解一下该电路的工作原理。 我不太了解电路的工作原理，但是我猜想，当负载施加到输出时，它会从电源（Vin）汲取电流，从而导致电压下降？齐纳二极管如何帮助维持电压，从而使该电路充当稳压器？

16 voltage-regulator  diodes  zener 

在Digikey上，5.1V齐纳二极管的结果约为1300，而5V二极管的结果为6。 是否有任何与物理学相关的原因？还是其他原因？

15 zener  materials 

我一直在研究使用TVS和齐纳二极管的电路保护。 我在电路图中已经看到以下用于表示TVS二极管的符号： 模拟该电路 –使用CircuitLab创建的原理图 我想第一个问题是TVS和齐纳二极管之间是否存在有意义的区别，答案似乎是：“它们的特性相似，但是它们的设计和测试规格以及预期的应用是不同的：齐纳二极管针对特定的和TVS二极管的电压精确度较低，其设计目的是分流（并承受）大功率瞬变。” 到目前为止，我对上述符号的印象是： 应假定是指齐纳二极管（除非另有说明）。 明确表示一个TVS二极管。 明确表示一个TVS二极管。 可能是指一对齐纳二极管，但可能是指单个TVS二极管。 这些合理的假设吗？ 我想，唯一一个持续遇到麻烦的时间就是使用TVS二极管而不是一对齐纳二极管。例如，使用TVS二极管，其击穿电压不精确，当电路需要“波形削波器”时，将产生可怕的结果。另一方面，如果打算在TVS上使用齐纳二极管，那么如果大功率瞬变不是常规操作的一部分，则可能永远不会注意到该差异，或者当齐纳二极管被油炸时，人们可能会很快注意到差异吗？ 还是对这种歧义的正确答案仅仅是：“是的，它们是模棱两可的。在您确定要使用哪个二极管之前，还没有准备好构建电路。”

15 diodes  zener  diagram  tvs 

我在电路的5V / GND导轨上绑了一个6V的齐纳二极管，我想知道如果我的电源因某种原因无法通过12V直达电路板的其余部分，将会发生什么情况。 齐纳管肯定会煎炸，但是之后会发生什么呢？我可以确定结果是短路还是断路？有什么方法可以确保我短路（从而保护电路板上的其他组件）？我已经了解了所有有关二极管的知识，但是没有人提到炸过二极管后会发生什么。

14 diodes  protection  zener 

我今天发现，当玻璃封装被固定在低功率紫色（405nm）激光指示器的光束中时，玻璃封装的轴向引线5V齐纳二极管将成为约0.450伏的电源。 测试设置：齐纳两端都装有示波器探头（带接地夹）。关闭激光后，示波器将按预期读取零伏电压。开启激光并将其对准二极管的玻璃封装，示波器读取的读数相当稳定，为450mv（尽管有噪声：30mv pp〜100kHz）。 （编辑：此噪声可能是激光驱动器升压电路的产物） 该激光器是一种便宜的激光器，据称额定功率为1mW。 用不透明材料中断光束会立即停止从二极管读取电压。用5kHz方波对激光器进行调制会导致二极管表现出5kHz的响应（就我的范围而言，与激光器的调制同相）。 我意识到这是不科学的，但是我的问题是： 这是玻璃齐纳二极管的典型特征吗？如果是，那么设计人员应避免在敏感的模拟电路中使用玻璃齐纳二极管。还是说这太过具体而无法解决现实世界中的问题？

13 diodes  zener  laser 

您可能知道，在电磁阀关闭速度至关重要的应用中，简单的反激二极管无效。有人将一个电阻与反激二极管串联来缓解该问题，但是对于真正快速的应用，建议使用齐纳二极管。 您可以在图片中看到它（左侧第三个）。 我认为（但是我不确定，如果我错了，请纠正我）仅当电压高于齐纳电压V_z时电流才流经环路。 我不明白的是： 线圈中低于V_z的电压会发生什么情况？它会留在那里吗？我的意思是在某个时刻，电压降到V_z以下，并且包含二极管的支路熄灭了！但是剩余的电压将如何影响电路中的所有内容？下一个打开命令？ 最重要的问题：这是否会对下一次打开命令产生负面影响？对于我的应用程序，我需要每秒将其打开和关闭10次（大约5次打开/关闭周期） 在选择较高的V_z值与较低的值之间有什么权衡？假设它从未达到开关（MOSFET）的安全电压？较低的V_z是否意味着较慢的关闭速度？V_z如何以积极/消极的方式影响一切？ 仅供参考，我想使用Arduino 打开 /关闭Airtec 2P025-08。12Vdc，0.5安培，不知道线圈的电感/电阻！

13 zener  flyback  solenoid-valve 

我正在考虑将齐纳二极管用于数字输入引脚的过压保护。 典型IC引脚的绝对最大额定值从（GND-0.3V）至（VDD + 0.3）。 我可以使用齐纳二极管将电压限制在VDD以下。但是，典型的齐纳二极管的正向电压为0.7V。无法将低电压限制为-0.3V。 我的信号是1MHz信号，因为它是边际差异并且持续时间很短，可以安全地忽略吗？

10 diodes  protection  zener  surge-protection 

尽管这可能是一个基本问题，但我仍在努力。在该示意图中，两个齐纳二极管D1和D2跨接在继电器线圈L1上。Q1的BVds = -30V。我可以对D1和D2使用15V（Vz = 15V）齐纳管，而不是5.1 V齐纳管吗？继电器关闭期间继电器线圈或触点会损坏吗？如果需要，我正在使用此继电器（5V DC标准线圈）。 另外，为了减少继电器线圈的稳态电流消耗，我想使用示意图中所示的RC ckt。Q1接通后，未充电的电容器会立即以完全短路的形式出现，从而使最大电流流过继电器线圈，并闭合继电器触点而不会产生颤动。但是，随着电容器充电，继电器线圈两端的电压和通过继电器线圈的电流都会下降。当电容器充电到所有流过继电器线圈的电流都流过R1时，电路达到稳态。触点将保持闭合状态，直到移除驱动电压。 这是放置此RC ckt的最佳位置-原理图中标有“ A”或“ B”的部分。会有所不同吗？在我看来，B部分似乎是最佳选择，因为当Q1关断时，电容器C1可以通过R1接地。相反，当我将RC ckt放在A部分时，C1将如何放电？我在这里想念什么吗？将此RC ckt放置是否有副作用？有更好的解决方案吗？ 如果我错了或遗漏了什么，请纠正我？ 2012年7月9日的UPDATE1： 在上面的示意图中说，我有6V DC标准线圈（请参见上面的数据表），48.5欧姆继电器。并假设C1 = 10uF。假设在上图中，R1C1 ckt放置在A部分。电源为+ 5V。 对于继电器线圈两端的3V（保持电压）下降，电流必须约为62mA。通过线圈。因此，稳态时R1两端的压降为2V。对于稳定状态下通过继电器线圈的62mA电流，R1必须为32.33欧姆。 在稳定状态下，C1上的电荷为2V x 10uF = 20uC。 现在，在本数据表中，运行时间最坏情况下为15ms。根据以上数据，我们得到RC = 48.5ohm x 10uF = 0.485 ms。因此，一旦Q1打开，C1将在2.425 ms内充满电。 现在我如何知道2.425 ms的持续时间足以使继电器使其触点闭合？ 同样，一旦Q1关断，由于产生的反电动势并由齐纳二极管D2（Vz = 3.3V）钳位至3.3V，加上二极管D1的压降为0.7V，C1两端的电压将为-2V +（-3.3 V-0.7V）= -2V。但是C1上的电荷仍为20uC。由于电容是恒定的，因此在关闭Q1之后，当C1两端的电压立即从+ 2V降至-2V时，电荷必须减少。 违反Q = CV吗？ …

10 relay  zener  snubber  transient-suppression  flyback 

我想从+ 3.3V±5％电源获得稳定的3V参考（因此它可以低至3.135V和高至3.465V。） 我知道TL431是并联/齐纳稳压器，因此实际上没有压差，但可能在3V以上的某个点它无法维持3V输出。我想知道典型的TL431是否能够处理此问题？ 我的电路配置如下： 115R +3.3V-+-/\/\/\---+----------+-------+-- 3V out | | | | --- 100n / | --- 4.7u --- 16V \ 634R | --- 10V | / ___|__| | --- | | / \ --- - +--------/___\ - | | / | \ 3.16k | / | | | --- …

10 zener  tl431 

我将齐纳二极管和带有继电器的反激二极管一起使用，以加快其速度。这工作得很好，但是我目前使用的库存中有一个过大的齐纳管。 为了进行适当的设计，我试图确定上述示意图中的齐纳二极管的功率（或额定电流）应为多少。继电器的线圈电流为80mA。假设齐纳二极管的击穿电压为24V。 如果线圈电流为80mA，齐纳电压为24V，则耗散功率约为。2W-但这是连续的额定值，不是吗？如何选择具有足够电流和功率额定值的齐纳二极管，使其能够承受继电器的反冲效应？

9 relay  zener 

我正在一个项目中，我将从Arduino控制各种负载（继电器，螺线管，电动机），并且我想确保为微控制器和其他组件建立足够的保护。我已经看到了使用晶体管并添加去耦电容器，反激二极管和齐纳二极管的各种解决方案。我想知道如何在这些选项中的一个或多个之间进行选择？

9 protection  zener  decoupling-capacitor  flyback