电气工程

我希望这是一个简单的问题！我找不到任何明确的答案... 我正在为SST25VF064C闪存芯片编写驱动程序。它通过SPI通信。 像所有闪存（据我所知）一样，需要对其进行擦除（所​​有位= 1），然后才能对其进行写入（位= 0）。对于该芯片，可以擦除的最小区域为4kB。 它的内存分为256个字节的页面。使用一条指令，我可以将1字节到256字节的任何内容写入指定的页面。我不必从页面边界开始：要编程的第一个位置可以在页面内的任何位置。 一般规则是确保在写入页面之前先擦除页面。但是，如果我避开了已经写入的区域，可以写入先前写入的页面吗？例如，假设我将数据存储到字节0-127中。如果我从字节128开始，以后可以再写128字节到同一页中吗？

16 flash 

我知道关于该主题的讨论已经很少，但是由于英语不是我的母语，所以我最好能获得更多有关此的信息。 我曾使用示波器对电子设备问题进行故障排除并在启动时测量交流引擎电流尖峰，但是我没有使用它们测量高压电平的经验，我的经验是使用旧的模拟示波器。 因此，现在我有了这个新的DSO，输入额定值为400V峰峰值交流电，因此它可以处理大约140V交流RMS？并不是说我要在那输入那么多。 由于我住在欧洲，这里的主电源为230 V @ 50 Hz，因此无法直接测量它们。 如果将示波器和探头的衰减设置为10X，则电压为23 RMS，可以安全测量吗？是的，探头的额定电压为1kV。 如果是这样，那么测量两条主线之间的电压（400V RMS）也是安全的，因为峰峰值约为112伏？ 安全：当我测量交流电时，我将使用示波器的内部电池或隔离变压器（1：1）使示波器处于浮动状态，这意味着没有接地。还有其他我没有意识到的安全问题吗？

16 ac  oscilloscope  mains 

我的板上有两个电源选项： USB 5.0V 5.0V直流电源插孔 我的意图是设计一个或一个电源选项，因为一次将使用它们之一。可能的解决方案如下所示： 使用二极管 或使用两个p-mos 使用以上选项观察到的可能问题： 使用二极管便宜且不错的选择，但是普通二极管的压降为0.7V，而肖特基二极管的压降为0.16至0.20伏，这也是不可接受的，因为我的处理器IMX.28 建议的工作电源为5.0V，而最小电源电压为4.75。使用0.2V的肖特基二极管时，5.0V降至4.8V，推荐电源和供电之间的空间很小。 然后我考虑使用p-mosfet，其目的是为了与反向极性保护一起使用，但假设一种情况是两个电源被错误地馈入，并且USB电源和DC插孔之间的微小差异，例如USB和4.9V。 DC插孔为5.10V。然后，DC插孔电源可能会将电流泵入USB插孔，这可能会损坏USB。 我是否应该使用其他更便宜的选择来供应产品，或者我的分析有问题吗？

16 power-supply  protection 

每当我遇到用于MCU或处理器中任何一个的晶振时，无论是32.768 kHz的晶振负责实时时钟，还是需要25 MHz的晶振来为与MCU或处理器连接的不同接口提供时钟。如图所示，始终有两个电容器与石英晶体相连。 我在这里有几个问题： 如果不将电容器与晶体连接会怎样？ 这些电容器的值如何确定？ 在检查晶体数据表时，我会遇到诸如稳定性+/- 5ppm或+/- 10ppm的规范。这个名词的意义是什么？ 什么是第二泛音和三泛音晶体？

16 oscillator  crystal 

我想使用多个并联的晶体管来控制通过负载的电流。这是为了使流过负载的电流跨晶体管分布，以便可以将额定集电极电流小于流过负载的单个晶体管进行组合，以控制负载。 两个问题： 如下图所示的布置是否可以正常工作？（电阻值仅非常粗略地近似）。 电阻值应如何计算？我当时正在考虑将晶体管的hfe值范围如下：计算两个集电极电流：对于VR的最小值，对于最小和最大hfe值，最小和最大集电极电流。 谢谢 模拟该电路 –使用CircuitLab创建的原理图 编辑：实际上，我将删除R限制，并使VR越过导轨延伸，将抽头连接到R1-R3

16 transistors  parallel  npn 

我的Intel CPU根据使用情况更改时钟速度，但是它如何决定以什么时钟速度运行？时钟速度是由OS软件使用算法确定的还是基于硬件的？是否取决于中断次数？缓存周转率？CPU本身是否设置自己的时钟？还是由单独的控制器进行设置？还是软件？

16 clock  cpu  computer-architecture  clock-speed 

我了解到需要抑制驱动感性负载的开关，而RC对似乎是最好的（最便宜的）选择。我有一台大型交流感应电动机（用于制冷剂压缩机），该电动机由电磁继电器切换（大约每30分钟一次）。电机规格如下： 功率：1500W（输入功率作为对瓦特表读出。） 最大。电流：10A 额定电压：230VAC / 50Hz。 我遇到了这样的解决方案： 如何选择合适的缓冲器？一个非常常见的组合似乎是0.1uF-120Ohm。但是我无法证明这一点。 它应该与开关或负载并联吗？

16 inductive  snubber 

我根本没有做很多无铅工作，所以我出于无知而问这个问题。我一直在使用含铅焊料，但我从未遇到烙铁头的问题。烙铁头的镀层始终保持光泽，我正在清洁熨斗，请谨慎对待使用的温度，切勿长时间不使用熨斗。 我去实验室借了一个熨斗，笔尖是深灰色且粗糙。除非我尝试擦掉某些这种材料，否则它不会接受任何焊料，即使那样，它也只是一个很小的点，很快就会被氧化。我得出的结论是，烙铁头已经毁了，然后又去买了另一个烙铁，烙铁头更好，但是那个实验室中的所有烙铁都处于相同的状态，甚至更糟。我得到了一个崭新的吸头并安装了它，吸头持续了约15分钟，然后才涂上完美的涂层，无法清洗。在整个过程中，我一直在使用可用的焊料：具有松香芯的99.3％锡，0.7％铜混合物。 为了进一步介绍这首诗，我遇到了另一个实验室，该实验室使用相同的铁，但仅含铅基焊料。该实验室中的技巧从完善到中度滥用，不一而足，但所有这些技巧都能够轻松熔化焊料。许多熨斗都设定在450摄氏度，并且它们的烙铁头看起来还不错。我不确定我对温度有多信任，因为熨斗只是我见过的最便宜的“控温”熨斗。 使用另一个新的烙铁头并使用基于铅的焊料，我最终得到了一个烙铁头，我将在焊接后将其分类为“使用状况良好”。我的结论是，无铅焊料比普通铅焊料腐蚀性更强或保护性更差。哪个（最终）导致我的问题： 有无铅冶金学更适合于烙铁头吗？ 我在使用烙铁时有天生的问题吗？ 我需要用这种成分焊接什么？ 这些与无铅材料一起使用的技巧是否有希望？（我的直觉说不） 烙铁是Stahl Tools SSVT可变温度焊接台。 焊料为Elenco LF-99：99.3％锡，0.7％铜；松香芯。 编辑： 所使用的其他氧化铁被用来组装简单的套件。据我所知，没有什么花哨的或异国情调的。他们是由新手处理的，这使我最初相信学生已经破坏了小费。当我最后得到的是干净的氧化尖端时，我认为学生们杀死铁的可能性较小。当我使用无铅焊料时，施加焊料似乎从未清洁过烙铁头。我没有将熨斗的温度设置为我认为过高的温度（400摄氏度），但我不知道熨斗的实际温度是多少。

16 soldering  lead-free 

笔记本电脑通常附带开关电源，其中有一个短语仅可用于身体上的信息设备。 如果输出电压和瓦数合适，为什么不能使用相同的电源为电动机或一组LED或灯供电？我的意思是说它输出的直流电压为36伏，可以提供50瓦的功率-好的，这对我的电机/ LED /灯来说可以，为什么我不能使用该电源？ 这些电源带有“仅IT设备”标志，有何特别之处？

16 power-supply  power 

什么类型的，潜在的影响是什么？为什么会发生这种情况？ 编辑：是的，我说的是物理学而不是超自然现象。我认为除非人们以为我在开玩笑，否则潮汐是很明显的。潮汐是有影响的，我知道很明显这里发生了一些物理现象，而且我知道某些电子设备在很小的水平下可能非常敏感（不确定是否我在这里寻找“小”这个词。

16 interference 

我似乎正在以惊人的速度掌握焊接技巧。每小时四个或五个小时，它全部被腐蚀了。 这听起来是对的，还是我应该做些不同的事情？这是标准的40瓦平价铁。

16 soldering 

我已经看到一些PCB的组件以45度（45、135等）的倍数安装。我最近发现我的PCB程序（gEDA PCB）支持这些功能，尽管它不是GUI功能，您必须运行命令。什么时候适合以这些角度安装？那么30度和60度的角度或任意角度呢？

16 pcb  geda 

因此，我知道这可能不是问这个问题的最佳地点，但是也许你们中的一些人熟悉数字无反光镜相机的原理和CMOS传感器的技术。 我不太了解为什么与机械快门组合使用时会产生滚动快门伪影的电子图像传感器无法产生此问题的图像。我没有得到的是以下内容： 由于传感器从一侧到另一侧（通常是从上到下）的读数而发生卷帘快门，因此实际图像是从连续的不同时刻的扫描线上缝在一起的。以我的理解，扫描线读数模拟了机械快门窗口在传感器（？）上方移动。现在，当在传感器前面使用机械快门时，快门将接管此任务，而传感器一次会全局读取一次（？）。因此，滚动快门伪影不会出现在最终图像中。但是，如果一次可以全局读取传感器，为什么在使用电子快门时不仅仅发生这种情况？为什么不能仅在1/2000秒内完全打开和关闭传感器，避免卷帘快门？为什么需要“扫描线法”来拍摄图像， 当我有相机时，可以使用机械快门以10fps拍摄静止图像，这为什么不代表传感器可以电子方式以10fps拍摄图像而又不会产生滚动快门？ 我发现这篇文章解释了卷帘的一般原因，但没有具体问题。 我什至不知道我的假设是否正确，但是如果有人可以对此有所了解，我会感到很高兴。

16 sensor  cmos  camera  physics  image-sensor 

PCB组装商需要一个描述组件标识符，中心的X和Y坐标以及旋转角度的文件。我从我的CAD软件包（DesignSpark PCB）自动生成该文件。但是，生成的旋转角度是基于库中的覆盖区的。当拾放机根据指定的“旋转角度”旋转组件时，如果假设角度= 0°时具有不同的占位面积，则该组件将以错误的方式结束运动。 因此，如何确定我的CAD库和取放数据库对零件方向的假设相同？我只能看到一个解决方案，即使用数据表的占用空间图（或引脚排列，如果不可能的话）作为初始方向，但是我想确认一下，也许想知道更多有关此工作原理的信息。另外，无源组件又会发生什么呢？ 我在网上四处张望，没有找到一个标准，这很奇怪，尤其是设计人员和组装人员都应该就角度的顺时针或逆时针定义达成一致，即使我认为它是逆时针的。

16 pcb  pcb-assembly 

当LED包含在施加超过反向击穿电压的反向电压的电路中时，反向电流会流过，并且LED可能会损坏。但是到底是什么破坏了LED：是反向电压本身，还是流过的反向电流，或者仅仅是反向电流和电压超过器件额定值而导致的整体功耗？或者是其他东西？ 因此，例如，如果我通过电阻器将12伏电源反向连接至在5伏击穿的LED，则反向电流的通过将导致电阻器两端的电压降，进而限制电阻上的电压。器件的反向击穿值（从而定义将要流动的电流）-与正向发生的情况非常相似。只要总功率在LED额定值之内，这本身是否会破坏LED？ 当然，通常，通常会在反向方向上与LED并联放置一个常规二极管，以将LED反向电压限制在0.7伏左右，但是在某些情况下，这样做可能是不可行或不经济的。我只是想了解我可能需要满足不同要求的电路设计灵活性。 并且，如果有可能使LED承受反向电压，应采取哪些预防措施以避免损坏，哪些规格参数相关？

16 led  voltage  damage