电气工程

电子和电气工程专业人士,学生和爱好者的问答

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如何使用MCU测量电池电压?
我目前正在使用PIC24FJ128GA010,并且打算使用输入/输出端口连接4.2 V LiPo电池,并检查电压值是否不低于3.7V。 我正在考虑将其连接到任何输入/输出引脚,但我想知道两个问题: 是正确的图钉吗? 我应该使用电阻器进行特定的剪辑吗?

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为什么打印机的浪涌电流在240V和120V时翻倍?
在此答案中,激光打印机的浪涌电流列出如下: Inrush Current: (Duration: significantly < 1 second) Model A (120V): 23 A peak (20 deg C, from cold start) Model AB (240V): 40 A peak (20 deg C, from cold start) 丹·尼尔(Dan Neely)在评论中提出的问题激起了我的兴趣,并使我质疑我对电子理论的理解。我本来希望较高电压模型的电流消耗相同,甚至可能是后者的一半。我应该注意,我是基于过去在数据中心中构建机架的经验来进行此假设的,因为在此机架中,我们通常可以将比240V服务器更多的240V服务器放置在机架中,因为它们的电流消耗要小得多。 因此,请给我上课:为什么240V模型的浪涌电流几乎是120V模型的两倍?

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使用ADC测量电线的电阻
我正在尝试设计一种电路,该电路可以测量低至0.1欧姆和最大的小电阻。10欧姆。我不会测量实际的电阻,而是测量最大500 m的大线圈线圈(您可以想象,这些导线很粗)。 这是我想出的电路: 该电路通过维持流过被测器件R2的恒定电流来工作。在100 mA的电流下,R2将产生10 mV至50 mV的电压。 我认为这在理想的世界中是可行的,但实际上我可能很难用它来测量0.1欧姆-主要是由于ADC。假设ADC为10位,VREF为5V。转换为每步5mV。如果R2 = 0.1且Iout = 100 mA,则ADC上的电压将为50 mV-但我不确定这将如何掩盖在噪声下。 我的问题是,是否应将增益增加到50。如果增益为50,则ADC上的电压将为500 mV-但最大值为50 mV。可测量的电阻为1欧姆。要测量10欧姆,我需要将电流降低到10 mA,而不是100 mA。一种方法是使用FET断开R1并在Iout处连接20欧姆电阻。 我不需要电路来精确测量电阻-+/- 10%的公差就可以了。

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帮助优化简单的限流电路
我一直在尝试模拟限流电路。在固定的 4.8V电源下,我试图将电流限制在〜500mA。我已经开始使用这种维基百科页面上的电路... 我已经使用CircuitLab对这个电路进行了仿真。我在下面显示结果。左边的电路使用一个简单的串联电阻来进行电流限制,而右边的电路则基于Wikipedia电路。我将R_bias和R_load的值调整为通用电阻值,以防止在负载为0 Ohms时从源汲取超过480 mA的电流。我还将晶体管的hFE设置为65,以匹配我对一些必须处理的功率晶体管所做的一些万用表测量。电流表附近的值是模拟值。 如果我现在负载为10欧姆,那么很清楚为什么限流电路优于串联电阻。限流电路会降低其有效电阻,从而比使用串联电阻时允许更多的电流通过。。 但是,在这种情况下,限流电路仍提供一些串联电阻。理想的限流器将完全没有电阻,直到负载尝试汲取超过限制的电流为止。是否有一种方法可以调整R_bias和R_load以更好地实现这一目标,和/或是否存在电路调整可以帮助更好地实现这一目标?

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LED阵列中的电阻热量
我使用10mm白色(3.3v)LED和270 ohm 1 / 2W电阻和24v输入电源(24v 1A AC / DC适配器非变压器)构建了一个5x8 LED阵列。 现在电阻非常热(温度计显示56ºc)。 我怎样才能解决这个问题?更换1W版本的电阻器是否可以解决? 这是原理图: 谢谢
8 led  resistors  heat 

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如何连接PIC单片机?
我是PIC微控制器和电气工程领域的新手,所以请放轻松:) 无论如何,我设法对PIC 16f627进行了编程,以便在按下按钮(触发按钮)时打开三个LED,并在另一个按钮被按下时启动关闭序列(基本上每个LED彼此之间以5秒钟的延迟关断)。按下(重置按钮)。我已经在Velleman的K8048 PIC编程器/实验板上进行了测试。引脚RA0和RA2分别是触发按钮和复位按钮的输入,而引脚RB0,RB1和RB2分别是LED的输出引脚。 使用实验板很棒,但是我想将其移至实际电路。问题是我不知道从哪里开始。我已经购买了3个LED(每个3.3伏),一些按钮和电线,并构造了以下电路: (对不起的原理图很抱歉) 在我构建的电路中,我首先进行测试以查看LED是否可以使用3个1.5伏AA电池,并且它们可以正常工作,因此我认为不需要电阻器。 但是,这不起作用,我完全迷失了。供参考,这是我的PIC代码。它使用MikroC用C编写。它可以在实验板上使用,所以我认为这不是问题 void main() { TRISB.RB0 = 0; TRISB.RB1 = 0; TRISB.RB2 = 0; PORTB.RB0 = 0; PORTB.RB1 = 0; PORTB.RB2 = 0; CMCON = 0x07; TRISA = 255; for(;;){ if(PORTA.RA0 == 1 && PORTB.RB0 == 1 && PORTB.RB1 == 1 && PORTB.RB2 == …

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这种数字数字LCD叫什么类型?
我已经在体重秤,计算器,仪表,千分尺等上多次看过这种类型的LCD。我知道它是一种相当传统的显示器,但是我非常喜欢它的紧凑,简单,甚至与TFT或智能手机相比,价格甚至更低,键入触摸显示。 [ 这叫什么?@ kevlar1818和@stevenvh的回答:“七段显示”] 我想使用这种类型的LCD,例如,我刚从Digikey目录中找到了这种8位数的VIM-878。这是它的数据表。 我如何与之交互?我想知道从简单的AVR微控制器(如Atmega8)与其进行接口的一种好/常见的方式-最好与物理上不太大的接口电路/部件进行接口。 我认为需要某种驱动程序或多路复用器?我想我正在寻找其他与这种LCD交互方面有更好经验的人一个新的视角。

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SMPS中的EMI滤波器计算
我正在使用飞兆半导体Semi FSGM300N电源开关构建SMPS。FSGM300N数据表 如果该数据表链接走伤,请尝试FSGM 300N数据表 我使用了Fairchild Semi提供的设计工具来获得下图。但是给出了所有参数,除了EMI滤波器Lin的值(图中的红色圆圈)我将需要知道如何计算Lin的值。查看数据表,参考设计使用30mH。我不知道这是一个固定值吗?这是我的第一个SMPS设计。 有什么想法吗? 谢谢。

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陀螺仪是否需要放置在旋转中心?
使用陀螺仪芯片测量角速度时,是否位于旋转中心是否重要? 我看到它在网上提到时并没有太多解释,应该放在中心,但是在我的物理入门课程中,我了解到,刚体上每个点的角速度都相同。维基百科似乎在“ 角速度”的最后一部分中对此进行了确认,但是我不确定我是否正确解释了这一点。 我预计加速度项通常在陀螺仪测量中存在一些不理想的耦合-这是主要问题吗? 有什么明显的我想念的东西吗?
8 gyro 

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最小二极管电流/实时时钟备用电池
我知道二极管有一个最低的正向电压,但是电流有类似的特性吗?我试图使用类似BAT54C的二极管作为转向二极管,以使3V锂电池充当备用电源,因此我的电流将在0.7uA的范围内。我的应用是为DS1347实时时钟IC供电,该IC没有独立的Vbat输入。

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业余爱好者的ARM设置可以像此AVR一样简单吗?
我喜欢Atmel AVR设置对于业余爱好者汇编语言编程的简单性。例如: 将普通的ATmega DIP芯片{A}放在面包板上 将6针连接到连接到计算机(例如)的USB编程器{B}。(在写入和正常操作期间,芯片都通过此连接的一部分供电)。 使用任何文本编辑器编写汇编语言程序。 使用Avra {C}汇编程序 使用avrdude {D}将程序写入芯片 ARM世界是从根本上讲是更高层次/更复杂的世界,还是可以告诉我等效于{A} {B} {C}和{D}的类似设置的等效条件?仅限Windows的所有内容与我无关。 谢谢。 注意:简单设置的动机是汇编编程,我想完全避开编译器和IDE。
8 avr  arm  assembly  avrdude 

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具有快速稳定时间的MOSFET开关,用于开关电场
应用: 我在真空室内有一个铜网(10cm x 10cm正方形),该铜网通过24厘米长的铜线连接到BNC连接器。的目标是从8 V 0 V快速切换目电压(相对于地)到〜。(这将切换腔室中的电场,这是我们原子物理实验的控制机制。) 至关重要的是,在切换开始后约500 ns,信号稳定至<10 mV(〜<0.1%)。 网格是浮动的;它没有在腔室中终止。 问题: 我的倒方波底部有一个“驼峰”。我需要弄平它。 电路:我已经确定了一个简单的MOSFET开关电路: 说明: MOSFET(ZVN2110A-ND,N通道增强模式)由IRS2117PBF-ND驱动器驱动,该驱动器输出15 V正脉冲。该触发脉冲的基线浮在V_S上,该V_S通过一个小电阻器连接到V_LO。网格连接到点B。输出低通滤波器是解决该问题的尝试。所有电阻值均通过实验确定(即最初使用电位计确定)。结果是在覆铜板上使用“死虫”样式进行硬接线。 探针详细信息: 为了模拟网格,我将24厘米长的导线焊接到一块覆铜的穿孔板上,并将其连接到电路输出(点B)。我使用Tektronix探头(500 MHz,8.0 pF,10MOhm,10x)将性能板上的信号探查到Tektronix示波器(TDS3012 100 MHz数字示波器)中。 观察结果: 它的切换速度足够快(尽管我可以通过移除滤波器来加快速度),振铃幅度和持续时间是可以忍受的,但是在(基本)微秒时间尺度上,会有很大的“驼峰”和下垂/下垂20 mV(在图像中用红线标记)。这太大了,无法进行我们的实验,该实验是从切换开始到切换后大约10微秒的时间。 应用细节: 我们在实验中使用电场来调整原子共振。扫描施加到原子上的电场可以让我们记录这些共振的“频谱”,从而显示其位置和形状。这些共振的宽度和间隔约为1-10 mV / cm(非常小!)。要施加电场,我们将原子放置在两个扁平的铜网片之间,相隔1厘米。铜网片之间的电场只是网片之间的电位差(1 V差等于1 V / cm电场,以1对1转换)。在收集频谱时,我们通过切换到相应的电压并在检测之前等待几微秒来采样一个电场值。 如果在采样期间电压(以及由此产生的电场)的漂移大于共振的大小(<10 mV),则分辨率会下降到光谱图像变得模糊不清的程度。 其他想法: 我考虑了MOSFET发热的可能性,从而改变了它的导通电阻(通常〜4欧姆)。为了对此进行测试,我尝试了两件事:(1)并联放置两个MOSFET,(2)用具有低得多的导通电阻(100 mOhm)的IRF1010EZ MOSFET代替ZVN2110A。两种情况均无济于事,“驼峰”仍然是20 mV,仍然持续几微秒。在我看来,增加上拉电阻(如注释中所建议)也可能会有所帮助,因此我将尝试这样做。 更新1: 我尝试将上拉电阻从470欧姆增加到10 kOhms。对输出没有影响;初始振铃后,它仍然具有20 mV的“驼峰”。 更新2: 从电路上断开“模拟”电线+网格的连接,并直接探测B点对测量的信号没有影响。 更新3: 下面是上面示意图中相应点的迹线: …
8 voltage  mosfet 


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吹保险丝以永久禁用功能
某些电气设计需要在运行中永久禁用硬件功能。向弱熔断器发送过电流可能是实现此目的的一种方法,它会断开设备特定区域中的电路。我的问题是: 假设保险丝比较弱,此过程可能带来什么潜在风险? 是否有此方法的替代方法来永久禁用功能?

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从头开始为Molex连接器创建Altium封装?
我正在尝试为Molex连接器创建占用空间,但我认为不可能与Altium内的向导一起使用,因此我想我必须手动完成操作,但是我完全迷失了。任何帮助,技巧,窍门,教程,视频或任何可以帮助我的东西。组件向导具有“边缘连接器”,但我认为这有所不同。 这是我要为其创建封装的连接器。这是3针版本。

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