Questions tagged «nmos»

英特尔8080是1974年发布的经典微处理器，使用增强模式NMOS工艺制造，并显示了与此工艺相关的各种独特特性，例如需要两相时钟和三个电源轨：-5 V， +5 V和+12V。 在Wikipedia 的电源图钉描述中，它说 引脚2：GND（V SS）-接地 引脚11：-5 V（V BB）--5 V电源。必须连接第一个电源，最后一个断开电源，否则处理器将被损坏。 引脚20：+5 V（V CC）-+ 5 V电源。 引脚28：+12 V（V DD）-+12 V电源 这必须是最后连接的电源，也是第一个断开的电源。 我交叉引用了原始数据表，但信息有点矛盾。 绝对最大值： 相对于V BB（-5 V）的V CC（+5 V），V DD（+12 V）和V SS（GND ）：-0.3 V至+20 V. 即使在未连接时V BB为0 V，V DD也将为+17 V，并且不应超过绝对最大值。在Wikipedia上最初声称如果在+5 V正确之前连接+12 V会破坏Intel 8080芯片吗？ 如果正确，那么执行此操作的确切失败机制是什么？如果先施加+12 V而没有-5 V，为什么会损坏芯片？我怀疑它一定与增强模式NMOS工艺有关，但我不知道半导体如何工作。 您能解释一下如何在Intel 8080内部实现电源吗？在使用相似工艺制造的同一时代的其他芯片中是否存在问题？ 另外，如果我需要为Intel 8080设计电源，比如说使用三个稳压器，那么如果+12 …

27 power-supply  integrated-circuit  semiconductors  nmos  8080 

为什么旧的PMOS / NMOS逻辑需要多个电压，例如+ 5，-5和+12伏？例如，旧的Intel 8080处理器，旧的DRAM等。 我对物理/布局级别的原因感兴趣。这些附加电压的目的是什么？ 是的，这个问题与35年前使用的东西有关。

26 voltage  digital-logic  nmos  pmos  history 

在NMOS中，电流是从源极流向漏极还是反向流动？ 这个Wikipedia页面让我感到困惑：http : //en.wikipedia.org/wiki/MOSFET 上图使我感到困惑。对于N通道，它显示二极管的极性在某些情况下朝向源极，而在另一些情况下则远离源极。 我想知道哪个端子应该连接到电源（即正极电池端子），哪个端子应该连接到电力用户（即电动机）。

23 mosfet  nmos  polarity 

在学校里，我曾教过PMOS和NMOS晶体管以及增强和耗尽型晶体管。这是我所了解的简短版本： 增强意味着该通道是正常关闭的。耗尽表示通道为常开状态。 NMOS表示通道由自由电子组成。PMOS表示通道由自由孔组成。 增强型NMOS：正的栅极电压吸引电子，从而打开沟道。 增强PMOS：负栅极电压吸引空穴，从而打开沟道。 耗尽NMOS：负栅极电压排斥电子，从而关闭沟道。 耗尽型PMOS：正的栅极电压排斥空穴，从而关闭沟道。 自从我开始谋生设计工作已经六年了，至少有一次我想要（或者至少以为我想要）耗尽型PMOS晶体管。例如，对于电源的自举电路来说，这似乎是一个好主意。但是似乎没有这样的设备。 为什么没有耗尽型PMOS晶体管？我对它们的理解有缺陷吗？他们没用吗？不可能建造？建造起来如此昂贵，以至于首选其他晶体管的便宜组合？还是他们在那里，我只是不知道在哪里看？

11 transistors  components  nmos  semiconductors  pmos 

PMOS中的输出如下： I/P O/P 0 1 1 0 为什么我不能只使用它而不是使用CMOS进行逻辑反相呢？ （请以简单的方式进行解释，因为我是该主题的初学者）

8 mosfet  digital-logic  cmos  nmos  pmos 

我有一项家庭作业，需要帮助。 我想知道是否有人可以告诉我我是否正确地进行了直流偏置计算，如果不能，那么有人可以向正确的方向推动我吗？ 我不是在谈论交流分析，而只是在谈论直流。 这是问题 这是我的尝试

8 bjt  nmos