如何测量栅极电容？
是否有一种直接测量功率MOSFET的栅极电容（例如IRF530N）的有效方法？ 我的电路表现方式表明有效栅极电容可能是数据表中所列数值的两倍或更多，这将通过降低运算放大器ROROR_O + 的频率而降低运算放大器的稳定性。小号小号CissCissC_{iss}极。 这是帮助的电路原理图，但是我真的只是对测试夹具的一般情况感兴趣，我可以将其连接起来，在其中弹出一个任意的TO-220 MOSFET，然后从示波器迹线或其他计算出有效电容像那样。 有没有可行的方法可以在工作台上对MOSFET输入电容进行有用的测量？ 成果报告 这两个答案都提供了重要的见解。回想起来，我认为我的直接问题的简短答案是：“我如何测量栅极电容？在栅极和漏极电压的许多不同组合下！ ” :) 这对我来说是一个很大的见解：MOSFET没有单个电容。我认为你需要至少两个图表，使一个体面的开始，在描述的范围，并且至少有一个条件，其中电容可能的方式比报价更值。CissCissC_{iss} 关于我的电路，我通过用具有小于一半的引述IRFZ24N切换出IRF530N作了一些改进值。但是，尽管这克服了第一个不稳定性，但它启用的以下测试显示了在更高电流下的完全振荡。CissCissC_{iss} 我的结论是，我需要在运算放大器和MOSFET之间添加一个驱动器级，为MOSFET输入电容提供非常低的有效电阻，并驱动其产生的极点超过运算放大器的0dB频率。原始文章中没有提到我需要相当不错的速度，例如1µs阶跃响应，因此对运放施加沉重补偿以实现稳定性不是一个可行的选择。它只会牺牲太多带宽。