Questions tagged «buffer»

在提供额外电流的同时,尽可能精确地保留信号电压特性的电路或子电路。通常用于电路无法驱动施加给它的负载的情况。

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缓冲门的目的是什么?
据我了解,缓冲门与非门相反,并且不会更改输入: 但是,我有时会看到电路中使用的缓冲门IC,而且经验不足的人似乎根本什么也没做。例如,最近我看到在发射极跟随器的输出端使用了同相缓冲门,大致是这样的: 那么,何时需要在电路中使用缓冲集成电路呢?上述示意图中的浇口用途是什么?

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为什么BJT在功率放大器的输出级中很常见?
根据我的理解,输出级的作用是将输出阻抗减小到几乎为0。为此,MOSFET似乎更适合,因为它们的RdsRdsR_{ds}更低。 但是我经常看到BJT在离散设计中作为缓冲器,通常在达林顿配置中以增加输入阻抗,而只有一个MOSFET具有足够高的输入阻抗。 我的想法是它更便宜或更简单。功率BJT确实比功率MOSFET便宜一些,在我看来,用BJT发射极跟随器制作相对线性的缓冲器比较简单,而MOSFET源极跟随器可能需要一些反馈。
15 mosfet  bjt  buffer 


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运算放大器逆变器,后跟缓冲器。为什么?
在一个示意图中,我一直试图理解我遇到了以下子电路: 它是一个运算放大器反相器,其后直接带有一个缓冲器。VIN来自微控制器中的DAC,该电路产生的VOUT为负VIN。运放由正极和负极供电(此处未显示)。到目前为止,一切都很好。 但是我没有完全看到在此电路中使用OA2的原理。我能看到的唯一原因是:如果没有缓冲器(OA2),则VOUT上的突然负载会从VIN汲取电流,直到运放OA1反馈调整(大约1µs)。使用缓冲区(OA2)不再是这种情况。我说对了吗?还是我错过了什么?

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具有运算放大器的反相缓冲器
我知道用运算放大器(作为电压跟随器)制作单位增益缓冲器很容易: 模拟该电路 –使用CircuitLab创建的原理图 我也知道,使用运算放大器(反相放大器)来制作反相缓冲器很容易:[R1= R2[R1=[R2R_1 = R_2 模拟该电路 但是,该反相放大器的精度取决于和R 2的精度-如果它们不紧密匹配,则输出将与− V i n有点不同[R1[R1R_1[R2[R2R_2− V我ñ-V一世ñ-V_{in}。 有没有办法用一个不依赖于这些电阻器(例如电压跟随器)精度的运算放大器来制作反相缓冲器?获得高精度电阻器是一个更好的主意吗?

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使用运算放大器作为缓冲器
在一个我们要使用几个OP470四通道运算放大器的项目中工作。有2个未使用的运算放大器,我需要缓冲来自传感器的信号(根据传感器的数据表)。我想使用其中一个额外的运算放大器。我知道,理论上您可以使用运算放大器的负反馈来缓冲信号,如下所示: 模拟该电路 –使用CircuitLab创建的原理图 但是,我也隐约记得一些有关自激振荡和运放稳定性的危险。OP470的单位增益稳定。这是数据表: http://www.analog.com/static/imported-files/data_sheets/OP470.pdf 我的问题是,在这种配置下使用运算放大器作为缓冲器而不担心自激振荡是否安全?我还有什么需要考虑的吗?

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用于高阻抗输入的钳位分压器是否是一种良好,坚固的设计?
我有一个交流输入,如下所示: 可以连续在±10V至至少±500V的范围内变化。 从大约1 Hz到1 kHz运行。 需要> 100kΩ的阻抗,否则其幅度会改变。 有时可能会断开连接,并使系统遭受ESD事件的影响。 当输入电压低于20V时,我需要使用ADC将波形数字化。当它高于20V时,我可以忽略它,因为它超出范围,但是我的系统不需要损坏。 由于我的ADC需要相对较硬的信号,因此我希望将输入缓冲以用于进一步的阶段(在这些阶段中,我将对其进行偏置,将其钳位在0V至5V,然后馈入ADC)。 我为初始输入阶段设计了以下电路,以获得安全,强大的输出,可以将其馈送到后续阶段: 模拟该电路 –使用CircuitLab创建的原理图 我的目标是: 确保源上的阻抗大于100kΩ。 将±20V输入更改为大约±1.66V输出。 提供坚硬的输出。 安全处理连续的高压输入(至少±500V)。 处理ESD事件时,无需在±7.5V的电压轨上倾倒大量电流/电压。 这是我进行电路设计的理由: R1和R2形成一个分压器,将电压降低12倍。 该TVS二极管迅速做出反应,以防止ESD事件的输入,他们倾倒我强烈地,没有任何东西倾倒在我的(弱)±7.5V轨。 该TVS二极管还处理极端过压通过分流到地(持续±500V)。在这些情况下,限制电流已超过R1。 D1和D2将分压钳位在±8.5V,因此C1不需要高压电容器。在R1之后,通过它们的电流也受到限制。 C1解耦输入信号。这将是双极电解。它需要具有相对较大的电容,以使1 Hz信号不受影响地通过: ç1»11个2个π[R2C1个« 1 赫兹12πR2C1≪1 Hz\frac{1}{2 \pi R_2 C_1} \ll 1 \text{ Hz} C1个≫ 12个π× 1 赫兹× 220 ķ Ω= 8 μ ˚FC1≫12π×1 Hz×220 kΩ=8μFC_1 \gg …

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单位增益运算放大器的稳定性问题
作为用于学生驱动项目的硬件在环测试的受控电源的一部分,我必须开发一个电流缓冲器(电压跟随器),该电流缓冲器可提供高达1 A 的电流。 我有尝试实现此简单电路的(坏)想法: 反馈环路内的PMOS充当反相器(V_gate更大,V_out更少),这就是为什么环路在opAmp的POSITIVE端子而不是在负端子闭合的原因。 在实验室中,我将VREF = 5V设置为 VIN = 7V。我应该在VOUT上获得5V的电压,但是我获得了失控的输出VOUT: 这是控制信号(opAmp的输出,连接到MOSFET的栅极) 我在不同的VREF,VIN和Rload下发现相似的行为。还要注意,opAmp的输出不会饱和于任何电源轨。 我的假设是,环路的增益太高,无法保持opAmp的稳定性。 我在控制系统和运算放大器方面有一定背景,但是我不知道如何应用它来解决这种情况。 是否可以应用一些相移网络来稳定环路? 我将不胜感激“快速破解”或教育性的答案!

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这个运算放大器缓冲器振荡,我不知道为什么
当前,这是电路板上唯一的组装零件。这是应该在输入端的简单反相缓冲器电路。运算放大器(LTC6241HV)由线性台式电源供电+/- 5V。电源引脚被0.1uF电容旁路。 我输入一个1KHz正弦,在输出端得到一个〜405KHz正弦叠加在1KHz信号上。我尝试构建第二块PCB,但结果完全相同。 如果有人知道这可能是什么原因,我将很高兴听到。 LTC6241HV资料表


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缓冲数字微控制器信号以连接到光耦合器
我经常在一些项目中工作,在这些项目中,我使用光耦合器将数字+ 5VDC控制信号(例如,来自微控制器的信号)与电路的其余部分隔离开。但是,由于这些功能通过点亮设备内部的LED来工作,因此微控制器引脚上可能会负载数十毫安的电流。我正在寻找有关用附加级缓冲该控制信号的最佳实践的建议,以使微控制器有效地看到高阻抗,从而减少其需要提供的电流? 只是天真地离开了我的脑海,我想到了一些可行的方法: 1)只需将运算放大器用作单位增益缓冲放大器。 2)使用专用的比较器芯片将输入信号与例如+ 2.5VDC进行比较。 3)使用MOSFET作为信号放大器。 但是,在阅读后,我遇到了很多以前从未使用过的芯片,但听起来它们可能是为这种事情而设计的。例如: 差分线路驱动器(MC3487) 差分线路接收器(DC90C032) 线路收发器(SN65MLVD040) 缓冲门和驱动器(SN74LS07,SN74ABT126) 我真的没有任何这些经验,对可用的东西数量有点不知所措!因此,任何人都可以帮助我了解这些设备之间的区别,以及哪种/哪种情况下不适合。有没有达到我所描述的最佳/标准方法? 编辑: 由于我最多可以切换到x30左右的输出,因此我完全不需要担心微控制器的加载,因此不会考虑直接连接到DIO引脚。因此,我认为我会选择逻辑缓冲器IC。我将尝试对每个输入使用SN74LVC1G125 “ 具有三态输出的单总线缓冲门 ”,并查看其工作原理。

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FPGA VGA缓冲器。如何读写?
我有一个Altera DE2开发板,正在尝试绘制精灵。我在实现屏幕缓冲区时遇到了一些麻烦。 我有一个显示实体,它以25 MHZ的速率输出用于VGA显示的像素。 我希望在SDRAM中实现一个缓冲区。最初的想法是从SDRAM以25 MHZ的速率将像素加载到下一个像素。这行得通,但我无法以这种速率将像素写入SDRAM,也无法为每个新帧足够快地清除屏幕。我需要2个时钟来写入数据,而且我的电路板工作在50 MHZ,所以我有足够的时间进行完整的读取。 我想我做的事情非常可怕,非常错误。在VHDL中通常如何实现这样的绘图画布? 我能找到的最接近的东西是使用2-3-3(RGB)配色方案来检索每个像素,并在“门廊”(空白)VGA时间期间将其写入画布ram。这意味着在每个25MHz时钟上,我只能更新15%的屏幕,而我不知何故需要我的电路知道它正在更新哪个15%的屏幕? 我不知道如何使用双缓冲,因为我不知道如何在读取时将数据写入内存。有没有一种方法可以避免协议发生混乱?这个家伙是怎么做到的?
8 fpga  vhdl  vga  buffer 

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使用电容器帮助进行断电保护
我设计的电路会将日志数据存储到SD卡。信息将来自这个插入的父电路。父电路将为我的子卡提供5V电压。子卡使用工作在3.3V电压的MCU,因此我仅使用几个二极管将电压从5V降低。 我的挑战是:发生电源故障时,我希望子卡上的MCU能够感知主电源损耗,然后立即将其RAM中的数据刷新到SD卡,然后在关闭之前保持空闲状态。写入SD卡时,如果在写入过程中断电,可能会导致损坏。 我正在考虑使用一个大电容器来缓冲电源一点点。我知道那里有一些MCU监控器IC可以做得很好,但是它们是用于需要维持几天电源的情况。我最多只需要一两秒钟。但是我确实要当心,因为电容器的功率降低到IC阈值以下时,不要让MCU闪烁。有没有人有原理图或可以提供任何建议以解决该问题? 这是我到目前为止所拥有的...(。5F电容是我的备用电源电容器)
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