Questions tagged «sram»

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FRAM有什么收获?
在最近获得MSP430 Launchpad之后,我一直在从事各种微控制器项目。不幸的是,MSP430G2553仅具有512字节的RAM,因此执行任何复杂的操作都需要外部存储。 查看SPI和I2C SRAM和EEPROM芯片后,我发现了FRAM。 看起来很完美。具有大尺寸(上面链接的是2Mb器件),低功耗,字节可寻址和可编程,非易失性,无磨损问题,无需显式擦除任何内容,并且实际上比串行SRAM(与Microchip的器件相比)便宜。 实际上,它看起来太完美了,这使我感到怀疑。如果这些东西比串行SRAM和闪存EEPROM好得多,为什么不到处都是呢?我应该坚持使用SRAM,还是FRAM是进行实验的不错选择?

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为什么基于SRAM的FPGA比基于NVM的FPGA使用更多?
基于SRAM的FPGA需要在断电后再次加载位流。同时,基于非易失性的人不需要这一点。 我想知道,为什么在SRAM FPGA上进行的实验和安全性研究要比基于NVM的实验和安全性研究更多,但似乎易失性技术在不受安全性限制的情况下使用得更多(当涉及确保安全启动时)。 (PS:我没有统计数据,这是个人观察)

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上电时SRAM不是空白,这正常吗?
我终于完成了Z80内存板的工作,但令我失望的是,它无法正常工作(将地址线连接到某些LED上的简单NOP测试),因为计数器迅速呈螺旋形失控,而不是按需增加。但是,我不是一个愿意放弃的人,经过大约三十分钟的连续性测试,发现没有短路和所有正确的连接之后,我终于想到要检查SRAM芯片是否在所有0都接通的情况下通电。我很清楚,SRAM(除非是非易失性的,除非我的特定芯片不​​是非易失性的)会在断电时丢失其所有内容,但是我一直认为,当它重新获得时将充满0(即“空”)。功率。每次复位电源时,我正在使用的SRAM似乎随机填充有1和0。它永远不会记住任何数据,但它不会空载。这并不是真正的问题,因为我可以简单地在ROM中编写一个小程序,以在加电时将全0加载到RAM中,尽管我仍然想知道这是否是SRAM的工作方式。谢谢! 编辑:我忘了提到使用ROM将0加载到SRAM之后,系统工作正常,所以这确实是问题。

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引脚顺序对这个RAM根本没有影响吗?
我正在尝试将pic32芯片路由到128kB SRAM芯片,很难将所有17条地址线和所有8条数据线连接起来。我试图将前16个地址引脚绑定到portB引脚0-15,将数据引脚绑定到portD 0-7。考虑了一段时间后,我意识到尝试将rb0与a0对齐,将rb1与a1等对齐可能使我的生活更加困难。我真正想做的就是向portB写一个16位值并已加载并准备好大部分地址。如果我根据布线的难易程度进行引脚分配,则MCU和RAM之间的逻辑地址会有所不同,但至少应保持一致。由于没有其他东西需要与RAM进行通信,因此,如果MCU请求地址0x101且RAM给它提供地址0x110,我认为这不会有问题。 但是,我想知道这是否是个好主意。如果RAM内部有某种结构可以使顺序读取更有效,或者类似的方法,那么我可能要麻烦将它们按1:1路由。这两个芯片上的引脚排列对我来说是随机的,因此如果我忽略特定的数字,这对我来说将变得容易得多。是否有充分的理由我应该或不应该这样做?
11 pic  routing  sram 

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SRAM和触发器
还在学习,但是这个问题困扰着我。我终于了解了触发器的工作原理,以及如何将其用于维护移位寄存器等。 从维基页面:“ SRAM中的每个位都存储在四个晶体管中” 为什么是四个?SRAM是一系列正确的闩锁(或触发器)吗?......触发器只有两个晶体管正确吗?除非我困惑我可能是谁? 我当然看过触发器的原理图(使用NAND门等)?但是,NAND门需要一个以上的晶体管来构建,但是我已经看到只有2个晶体管的示例触发器(使用LED)吗? 如您所言,我有点困惑。SRAM表示它需要4个晶体管来存储一个位……但是,我已经看到2个晶体管存储了一个状态(我想这可以认为是一个位)和NAND门触发器(肯定需要超过1个)晶体管来做一个与非门? 我想到了普通的双极结型晶体管,进一步阅读看来,“大多数” SRAM使用的是FET。
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