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全桥转换器整流器启动
我正在构建一个8kW隔离式DC / DC转换器，全桥拓扑。 我在二极管上看到一些有趣的现象。当每个二极管变为反向偏置时，二极管上会出现一个电压尖峰，然后降到期望的直流总线电压。这些是1800V的快速二极管（恢复时间为320nS的规定时间），在次级端仅350VDC时，峰值达到1800V，远低于我的输出电压目标。死区时间的增加无济于事；当二极管反向偏置时，仍会出现突跳，并且该突跳也一样大。 我的怀疑是，输出扼流圈在空载时间内使二极管保持正向偏置。然后，当变压器电压在另一个半周期内开始上升时，二极管会立即反向偏置足够长的时间，从而在变压器绕组两端出现短路。然后，当二极管恢复时，该电流被切断，引起我所看到的突跳。 我已经尝试了几件事。有一次，我在桥上并联了一个反激二极管。 我使用了与电桥相同的快速恢复二极管。这对尖峰没有明显影响。然后，我尝试在电桥的同时并联一个0.01 uF的电容。 这将尖峰降低到更易于控制的水平，但是该电容帽的反射阻抗在初级上引起了严重的问题。我的减震帽的温度翻了一倍！ 有几种可能性： 1）我错误地诊断了问题。我有95％的把握确定我在看自己想看的东西，但是以前我做错了。 2）使用同步整流器。我不应该有反向恢复问题。不幸的是，我不知道在此功率范围内有任何反向阻断JFET，并且没有反向阻断MOSFET之类的东西。我能在此功率范围内找到的唯一反向阻断IGBT的损耗比二极管差。 编辑：我刚刚意识到我一直误解了同步整流器的性质。我不需要反向阻断FET。FET将传导漏-源。 3）使用零恢复二极管。再次，损失和成本问题。 4）不顾一切。这看起来会消耗太多功率，大约占我整体吞吐量的20％。 5）增加与二极管串联的可饱和磁芯。我能找到的两个最大的饱和核心几乎没有削弱我的能力。 6）使用零电流开关谐振拓扑。我在这方面没有经验，但听起来如果初级线圈上的电流变化更平滑，次级线圈上的电压也应平滑变化，从而使二极管有更多的恢复时间。 还有其他人处理过类似情况吗？如果是这样，您如何解决？编辑：此处为原边FET数据表。