电气工程

我目前正在上模拟电子课程，这是出现的问题之一： V 1 = 15V V 1 = 15V, Ueb = Ube = 0.6V, Uce(sat) = 0.2V, β =200, VT = 25mV, R2 = 39Ω, R4 = 4.7kΩ, R5 = 470Ω 我被要求找到R1，R3和R6的值，以使Q2和Q3的静态集电极电流都为8 mA，并且在不存在输入信号的情况下Q2的集电极处于电势V1 / 2（做什么这告诉我吗，因为我仅在此处进行直流分析，甚至还有意义吗？）有没有遵循的常规步骤？我对两个晶体管进行了类似的分析，始终需要做的是找到每个晶体管的Ve，Vc和Vb表达式，并通过比较它们来假设其工作于哪种模式。但是在这里，我遇到了一个矛盾，即Q2似乎处于线性模式，因此R6 =（V1 / 2-V1-0.7）/ 8mA <0。我希望我不要问的问题太广泛。我并不是要寻求解决方案，而只是告诉我进行这种分析的方法。 编辑：尴尬的是，我现在才注意到，实际上，在我看来，作为Q1的收集器和q3的基数之间的一个节点不是一个。仔细观察就能知道。

8 transistors  analog  circuit-analysis  bjt 

我已经安装了Proteus 8并开始使用它。我用示波器建立了一个原始电路。第一次获得可视化窗口（带有信号图）。我关闭了该窗口并停止了模拟。但是在下一次此窗口没有打开。 我尝试在Google的帮助下解决此问题，并找到答案：“您必须在示波器上单击鼠标右键并找到“数字示波器”，然后问题才能解决”。但实际上它可以在Proteus的其他版本中使用。我在Proteus 8中找不到这个。 如何在Proteus 8中解决此问题？

8 oscilloscope  proteus 

在使用通孔元件时，我读到您应该在焊接之前夹住引线，这样夹住的冲击不会破坏接头。另一方面，我已经看到了有关（或多或少专业的）DIY套件的大量说明，其中的图片描绘了所有类型的所有组件均已安装，焊接，然后修剪。当然，后一种方法更快，更容易。

8 components  soldering  pcb-assembly  stability 

我对正确的基准设计有些困惑。我一直在阅读有关拾放机的信息，有人建议基准点应该是圆形的，而另一些人则认为基准应该是十字形。另外，有时我读到它应该在上面粘贴，有时没有。 那么，这种基准的标准设计是什么？这是我的方法，直到我读到它：

8 pcb  pcb-design  pcb-assembly 

显然，市场上有一些假冒的USB /串行FTDI芯片。 在网上搜寻时，人们发现人们通过机械/化学方式将假冒/原创的商品进行比较。 但是，如何减少干扰性地检测假冒伪劣产品呢？ 我的意思是，臭名昭著的FTDI驱动程序更新中肯定包含检测例程-否则它无法在伪造的ID上闪现零供应商ID。 也许已经发布了检测“算法”或类似的侵入性较小的方法？

8 ftdi 

我正在建立一个项目，其中涉及通过一对电磁线圈为一个相当大的电容器放电。尽管在不同的应用中，它在电气上与螺线枪非常相似。我不能使用超级电容器，因为它们的功率密度不够高，因此我需要找到能量密度最高的电解电容器，因为电容器的最大容量限制在80克左右。 标准铝电解电容器在大约什么最大电压下具有最高的能量密度？如果可以使用较高的电压，我可以在电容器电压附近设计线圈和反激变压器，但是如果它们都大致相同，则我认为使用35V的电容要比使用200V的电容容易。 是否有某个站点或制造商列出了每个电容器的能量密度清单？看来部件（Parts.io）或类似站点具有该功能，但我在任何地方都找不到。我现在的操作方式是，必须在数据表中找到每个盖帽的包装尺寸，然后找到该包装尺寸的重量并计算能量密度，这变得非常乏味。 我应该考虑使用另一种电容器技术而不是电解技术吗？我很难找到这么大的钽电容器，而我发现确实有类似电解电容器的规格。

8 capacitor  energy  electrolytic-capacitor 

我知道FPGA-DSP组合通常用于高端电力电子设备/超声/ MRI /等。即使在低端FPGA（例如Spartan 3/6）上，软处理器是否有可能完全取代DSP？ 补充：在一个FPGA中拥有多个软核处理器的原因是什么？

8 fpga  processor  microblaze  softcore 

我正在阅读凌力尔特公司（Linear Technology）的AN70应用笔记 ，在图40上有一部分我不了解的电路。 它看起来像一个BJT直通晶体管稳压器，但是它使用一个BJT的基极和发射极短路，而不是使用齐纳二极管作为参考。 我唯一的想法是以某种方式使用反向传导的CB二极管作为参考电压。 谁能解释它是如何工作的？

8 voltage-regulator  bjt 

给我们以下电路，并告诉我们计算a和b端子左侧所有组件的等效电压： 它省略了负载电阻器，并将电路布局为网格分析： 它声称端子a和b两端的电压（我们正在寻找的电压）与4 ohm和1 ohm电阻之间的电势相同。那个1欧姆电阻不会引起电位变化吗？

8 circuit-analysis  thevenin 

我想知道是否有人可以用类比来解释电感器，电容器，晶体管，二极管和运算放大器的作用？ 我了解基本概念；我目前是电气工程专业的学生。我已经知道教科书的定义了，但是我只是想知道是否有人能将类推法中的所有东西都归纳起来。:)我想进一步提高自己的理解力，但是老实说，仅从课堂和书籍中学习东西是困难，痛苦和无聊的，因为作为一名学生，要看到大图片仍然是一个挑战。

8 capacitance  induction 

我正在设计要与Arduino mega一起使用的PCB，我想知道是否有一个很好的规则来确定PCB边缘和各种物品（例如： 迹线（接地，5v电源，9v电源和5v数字信号） 表面贴装 小通孔（电容器） 安装孔（用于螺钉） 大通孔（电源） 目前，除了用于DC插孔的通孔（边缘的.05英寸）外，我周围的所有物体都只有0.1英寸的厚度。我可以去除一些空间而不损害设计吗？

8 pcb  pcb-design  pcb-fabrication 

我将以下电路放在模拟器中，以了解其工作原理。我了解它，但是我有一个问题： 在垂直绿线时，模拟器向我展示了电流从相1的电源流出，因为它是最正的。然后所有电流都流向第三阶段的电源，因为它是最负的。但是第二阶段也是负面的，我希望目前的一些情况能够恢复原状。我知道第二阶段不是最负面的，但我认为应该有少量电流返回到第二阶段。 我在youtube上观看了一段视频，我也了解到电流从正到负呈正负极状态，尽管不是零电压，但他们没有提到第二阶段！它有一些负电压，即绿色垂直线的时间。

8 rectifier  three-phase  phase-shift  full-bridge 

我的PCB布局封装（Altium）可以选择定义一个过孔的整个堆栈，因此在不同的层上可以具有不同大小的环形环。 我想知道，如果通孔仅在与其他铜连接的层上具有环形环，是否被认为是“可制造的”。在没有连接（直通）的层上，可能没有环形圈，只有镀孔。我了解这对于董事会来说更是一个问题，但我想知道对此的一般看法是什么。 这个问题背后的动机是，在非常高密度的设计中，例如在内部GND平面上具有较小的间隙可能至关重要。缺少环形环将具有很大的好处，因为它将减少通孔通过内部GND平面所需的面积。 提前致谢。

8 pcb  pcb-design  pcb-fabrication  via 

有什么方法可以找出要在美国/欧洲/亚洲销售/进口电子设备所需的证书？ FCC和CE是常识，但是还有其他一些证书会导致问题（例如CEC）。

8 fcc  certification  ce 

这是我的情况： 作为个人项目，我希望为在AVR上运行的Sega Megadrive（Sega Genesis）编写一个模拟器。因此，我一直在寻找一种具有与MegaDrive随附的Motorola 68k相似的特性的微控制器。但是，我注意到68k的规格与大多数业余爱好者的micros相比。我选择AVR而不是ARM，因为我喜欢该体系结构，并认为这将是一个很好的挑战。 M68K: 32-bit CPU 16-bit data bus Up to 20 MHz 16 MB RAM No I/O ports 这是Arduino Leonardo的规格： Input Voltage (recommended) 7-12V Input Voltage (limits) 6-20V Digital I/O Pins 20 PWM Channels 7 Analog Input Channels 12 DC Current per I/O Pin 40 mA DC …

8 avr  design