电气工程

电子和电气工程专业人士,学生和爱好者的问答

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使用1N4148作为温度传感器
我能知道哪个组件在以下电路中感应热量或充当热量传感器吗?在给定的图中,据说1N4148二极管充当传感器。但基本上它是一个齐纳二极管,我认为它不能感应温度变化。该电路提供了一个工作模型,但传感器对我来说仍然是个谜。你能帮我吗?

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PWM模式:居中对齐和左对齐
我正在使用Atmel AT32UC3C2512C,并在数据表中查找了两种PWM模式:居中对齐和左对齐。 我想知道何时应该使用这些模式中的每一种,以及它们的优缺点。
8 avr  pwm  atmel 

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L3G4200D随机峰值
我已经在有关L3G4200D陀螺仪的问题上搜索了一下这个论坛,但没有看到提到的问题,但是我在其他论坛上看到了其他人在谈论它。当陀螺仪静止时,我在输出中看到一个奇怪的大值。不幸的是,似乎没有人能够回答为什么会这样,所以我想问一下 因此,我正在使用i2c以400kHz(快速模式)从陀螺仪收集数据,并使用多字节读取(一次六个字节)收集陀螺仪数据。以100Hz采样(也尝试了最高800Hz),还尝试了在不同值处打开和关闭滤波。我没有使用中断引脚,而是在GYRCTRLREG4中使用了“块数据更新”属性,以便在读取LSB和MSB之前都不会输出数据。满2000dps,对FIFO没做任何事情。如果有帮助,我可以发布确切的寄存器值,但是图大多数人都没有数据手册。 下图显示了我的问题。输出的数据良好,据我所知正确计算,并且一般噪声是可以接受的。但是后来我注意到,当设备静止时,这些烦人的“斑点”会随机出现。如果我将其静置几秒钟,我将获得其中一个峰值,始终等于250-255(转换后约为18,使用'(输出* 70)/ 1000')。正如我所说,这些峰值是随机的,可以出现在任何平面中(在下图中,您可以看到X平面中的第一个峰值,Y方向中的第二个峰值),始终在相同的值附近,以及一个,两个或全部三个可以同时发生。大值仅用于单个样本,然后恢复正常。 如前所述,我在另一个线程中看到应该在GYRCTRLREG4中使用块数据等待功能,但没有任何变化。我将问题缩小到MSB为零或更高(即正数)时,然后将MSB和LSB合并时,我得到了这些大数。例如,我抓取X平面所需的两个字节,在LSB中得到-6,在MSB中得到0,将它们组合起来得到250,然后转换为(250 * 70)/ 1000 = 17.5 dps(即对于固定/错误而言太大)。在同一样本中,Y平面的两个字节是-3 LSB和-1 MSN,将它们组合在一起得到-3,而转换得到-0.21(即,期望/正确)。 几天来一直在解决这个问题,我的磁力计也看到了一些随机峰值,所以我想这是我通过i2c读取设备错误吗? 任何建议或尝试的事情都非常欢迎!

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通用smd垫大小,不好的主意吗?
我正在开发一个开放源代码的滤波器设计,该PCB可以在许多未来的设计中重复使用。它基于Sallen键滤波器,因为电容器和电阻器的一些变化可以将其从低通更改为带通或高通。当查看布局时,我意识到使电容器和电阻器焊盘都适合较大的(如钽电容)和较小的0402封装是非常有益的。 设计“通用垫”时,我应该注意什么?是否有可能有人已经建立了类似的东西?

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通孔陶瓷电容器的物理尺寸是否与额定电压有关?
我正在整理一些陶瓷电容器并进行重组。我碰到了许多电容器,其电容为“ 82” (左),我假定为82pF,但实际上它们甚至比我的0.1μF电容器(右)还要大。 这些电容器的大尺寸是否与它们的额定电压(或其他)有关,还是我误解了电容值?
8 capacitor 

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铝电解电容器耗散系数
在电机应用中使用220VAC桥式整流器后,我正在使用大型铝电解电容器(400V / 470uF / 105°C)。 在使用恒转矩产生装置进行的老化测试(180VDC,电机看到6A)期间,由于盖温度在短短30分钟内升高,所以盖的顶部鼓起。后来我们用相同的类型替换了盖子,并记录了它的温度。它正在上升,似乎没有达到稳定状态,一旦达到100°C,我们便停止了测试。 后来我们用另一个上限(450V / 470uF / 105°C)替换了它。它具有相同的直径,但更高。老化测试进行得很顺利,一个小时后,瓶盖温度达到了约85/90°C的稳定状态。 失败的是Nichicon上限:http://www.nichicon.co.jp/english/products/pdfs/e-gu.pdf 传递的是一个UUcap上限(对不起,该链接是中文的,因为我找不到它的英文版。):http ://www.uucap.com.cn/product1_demo.asp?id=70 我通读了两个电容的数据表,发现它们在耗散因数(0.15 vs 0.20)和纹波电流(1900mA vs 1850mA)参数方面相当可比。但是有一些变量: 额定电压 失败:400V 通过:450V 电容器的尺寸(DxL)面积。 失败:35mm x 40mm 通过:35mm x 50mm 出现 失败:罐子的顶部是铝/金属 通过:罐子的顶部是某种聚酯(我不知道它是什么) 但是,我只知道较大的表面积可以更好地散热。至于它在多大程度上有所帮助,我不知道。我在某处读到,对于固定电容,额定电压较大的电容的ESR较低;但是,我不知道它是否正确。 我在数据表中忽略了什么,导致测试中的电容器温度有如此大的差异? 提前致谢。 PS电路如下。有问题的电容器是C5。T2,即普通扼流圈,在被测板上用一对粗线代替。通过连续触发SCR来保持HV_Bus接通。电动机看到的电压是PWM接通和断开低侧功率MOSFET的平均值。 LCR测量 电容DF / Q / ESR /θ Nichicon 400V / 470uF-> 392 uF,0.211 / …

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传感器的对立面是什么?
我正在尝试撰写有关手机上不同I / O的电气工程论文。输入,例如摄像机,麦克风,加速度计,GPS,可以视为传感器。输出的等效词是什么,例如显示器,扬声器,振动等?我认为这可能是触觉的,但是触觉仅适用于涉及触摸的输出。
8 sensor  io 

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如果在另一个电容器的极板之间放置一个电容器怎么办?
根据:是否有双变压器? 在我看来,另一个电容器内部的电容器图片似乎可行。如果变压器是两个具有共同磁场的电感器,则其双重将是两个具有共同电场的电容器。电压传递比将是两个电容器的相对电容的函数,再次类似于变压器和相对匝数。 这样完成了吗?如果没有,为什么不呢?它只是不传递能量,还是会起作用,但某种程度上效率低下?尺寸?速度?热? 以此方式实际构建的电容器的特性是什么?

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检测未复位的寄存器
在编写Verilog时,我使用各种“错误提示”,它们会给出错误和警告。这些是我的模拟器(ModelSim),编译器(Quartus II)以及一个linter(Verilator)。总之,我可以很好地解决常见的陷阱,例如总线大小不匹配和推断的闩锁。 不幸的是,这三个工具均未检测到未复位的寄存器。要了解我的意思,请考虑以下内容。 reg a; reg b; always @(posedge clk_i or posedge rst_i) begin if(rst_i) begin a <= 1'b0; // Reset a // Ooops, forgot to reset b end else begin // Do stuff with a and b end end 如何让我的工具自动检测未重置的寄存器?
8 fpga  verilog 


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为什么此笔记本电脑适配器接地?
该适配器显然无法为笔记本电脑提供电源,电源和地,因为该连接器只有两个表面。适配器本身是塑料的。那为什么要接地呢?(请注意,这并非特定于该特定品牌或型号,我看到了很多这样的适配器。) 我当时在想,也许适配器在直流侧接地了,而负极连接了,但将电源接地没有危险吗?在另一点上,假设浴室触及连接到同一地面的管道,并且会震动。
8 grounding 

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如果仅将示波器的一根探针接地,可能会出现问题吗?
我发现,当我使用多个示波器探针探测电路时,将其中一个探针的接地夹到板上似乎足以使我从所有探针获得稳定的读数。而且,这还减少了通过不同探针的接地夹意外连接两个不同电压电位的机会。 我意识到,未直接连接到电路的探头较长的“接地回路”会影响某些读数,但是会如何?并以什么采集速度成为关注点?(我隐约记得30年前我在军事上接受训练的原始模拟示波器,它只有一根地线,与探头分开。但是我不知道该示波器有多“快”。)

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2.15GA电流?
我正在使用一个名为iCircuit的Android应用程序(我在这里问,因为iCurcuit论坛已经被抛弃了),当我使用3V电池和LED的电路时,它的电流为2.15GA。我是电子产品的新手,所以我想知道为什么它会给我这个,因为以前我已经将LED连接到3V电池,而且还不错。
8 current 

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有没有一种器件可以对电压值取模?
这听起来可能是非常幼稚且不切实际的问题,并且答案很可能是否定的,但仍然:是否存在或多或少的简单(比ADC / DAC简单)的模拟组件或电路,它可以根据给定的电压值进行模运算Vref? 例如,如果Vref = 1V且输入V = 11.56V,则该器件将产生0.56V。同样,在Vref = 2V的情况下,相同的输入将提供1.56V。当然,Vinput必须在合理的范围内。 如果存在这种情况,则可以使用它来创建新型(?)ADC。 更新:我知道,模函数(应用于时间)只是一个锯齿形http://en.wikipedia.org/wiki/Sawtooth_wave,因此可能存在一些解决方案,包括将电压线性地转换为时间段,然后读取锯齿形值。
8 voltage 

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提取电压的平方根
我试图发现一个电路,该电路将产生一个电压,该电压是输入电压平方根的一部分。即Vout(t)=KVin(t)−−−−−√Vout(t)=KVin(t)V_{out}(t) = K\sqrt{V_{in}(t)}。因子K是无关紧要的。 我看着本页底部的电路。问题在于它使用MOSFET,并且预测输出的公式需要各种参数μn,Cox,Vthμn,Cox,Vth\mu_n, C_{ox}, V_{th} (我想其中一些即使在相同型号的设备之间也相差很大,而其中一些我不知道如何从数据表中找到) 在购买必要的组件之前,我想找到一种具有一致且可预测输出的替代电路。 当我说K无关紧要时,我只是说我以后可以根据需要以一个恒定因子放大输出。但是,它必须是一致且可预测的。

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