Questions tagged «crystal»

我正在尝试为MCU的时钟选择一个晶体和电容器，据我了解，我的晶体需要30pF的负载电容（数据手册中已指定）才能正常工作。我这样做的方式是： 模拟该电路 –使用CircuitLab创建的原理图 但是，每个人都告诉我我应该这样做： 模拟该电路 因为电容器以某种方式是串联的。这对我来说意义非零：我要再使用一个电容器，而右侧的电容器紧邻逆变器的低阻抗输出，因此我只是看不到它串联。另外，我的设计使用的电容器少了一个。我想念什么？

13 oscillator  crystal 

因此，在此之前，我只使用简单的8位Atmel MCU，并在开发板原理图中意识到它只有12Mhz的晶体，但MCU的工作频率高达100MHz。（我认为默认值是80MHz。我只是为了娱乐而将其提高了一次。这只是代码中的一条简单代码。） 它是如何做到的？例如，为什么Atmega328以所使用的晶振速度运行？

12 arm  crystal  cortex-m 

我们有一个裸露的石英晶体，并且正在以非常高的精度（1 ppb）测量其共振频率。当它在大气压和真空之间循环时，似乎出现了频率变化。可能是因为晶体被压缩了吗？如果是这样，如何计算频率变化？ 在温度受控的环境中，意外变化约为400 ppb

12 crystal 

你好。我试图了解该电路的工作方式。我了解电路在晶体管右侧的工作原理，但晶体的振荡级使我感到困惑。晶体似乎没有来自振荡器输出的反馈。我对此进行了研究，发现晶体管的集电极-基极电容提供了反馈路径，但难道不是仅给出90°相移而不是正反馈所需的180°相移？我见过类似的电路，其中晶体中包含一个可变电容器来调节频率。剩下的90°会产生相移吗？谢谢，感谢您的帮助。

12 rf  oscillator  crystal 

我正在看这个MCU，想知道使用外部晶振是否有意义。 从数据表pg1中提取， *时钟管理 – 4至32 MHz晶体振荡器 –用于校准的RTC的32 kHz振荡器–带x6 PLL选项的内部8 MHz RC –内部40 kHz RC振荡器 – 内部48 MHz振荡器，基于ext自动调整。同步* 内部振荡器可以高达48Mhz。外部晶体在4-32 Mhz之间。考虑到外部晶振成本高且占用空间，为什么内部晶振快于48Mhz的人会使用外部晶振？什么时候应该使用外部晶体？

12 microcontroller  stm32  crystal  stm32f0 

石英钟的计时由晶体振荡器调节。该晶体振荡器有效地形成了RLC电路。如果是这样，晶体振荡器具有哪些特性使其优于RLC电路？

12 circuit-analysis  crystal  basic  resonance 

我的PCB板上有2个石英晶体谐振器：32.768 kHz和20 MHz。它们连接至飞思卡尔MC12311收发器IC，后者内嵌有HCS08微控制器。我想测试这些晶体是否正常工作。 可用工具：示波器，频率计（数字计数器），数字万用表。 我应该如何使用这些工具来测试板上的晶体？ 注意：应该考虑探头的电容性负载效应。否则，测量结果将不准确，甚至更糟，晶体将根本无法工作。 Edit1：我同时使用了示波器和频率计（带有x10探头），但是不幸的是根本没有监控任何东西。

12 oscillator  oscilloscope  crystal  test  frequency-measurement 

如何获得石英晶体以在4.096MHz下产生方波？到目前为止，我拥有4.096MHz石英晶体，并且看到了以下示意图： 在哪里可以找到具有单个输入的放大器，我应该使用什么电压？

12 oscillator  crystal 

我的设计可以很好地在我手工组装的两块板上工作，但是来自本地装配厂的板有一半以上是不良的。 我已将最常见的故障模式追溯到从处理器到以太网PHY的不稳定参考时钟。我猜在某些情况下PLL无法正确锁定。 我发现的唯一事情（可能是一件大事）是，为了缩小面积，我最终以某种方式最终使用了24MHz的系统时钟晶体（该晶体被馈送到PLL以作为以太网参考时钟） ）-非常靠近DC / DC转换器的屏蔽电感器。屏蔽电感与晶体成45度角，但一个角位于晶体侧面20密耳之内！哎呀 现在，我已经可以将这个晶体移到约160密耳的距离，这是我不做任何严重返工就可以做的最好的事情。我已经在处理器的布局笔记中看到一个布局示例，该示例似乎显示晶体距离电感器约100密耳（DC / DC集成在此处理器封装中），所以我认为这是可以的。评估板将它们分开约250密耳，但是看起来距离并不是该设计的重要因素（尽管可能是这样）。看起来这两个组件都很方便。 目前我最关心的是...我是否解决了这个问题？来自屏蔽电感器的20 mil晶体可能会引起问题吗？奇怪的是，到目前为止，我有6块板表现良好，而大约5块板具有此参考时钟PLL问题。我不确定为什么不是所有的电路板，除非这是各个公差的总和。 我可能在这里遇到更大的信号完整性问题……但是，处理器布局（DDR2内存）中要求更高的部分似乎表现良好。那里或其他任何地方都没有委员会显示出任何问题的迹象。 我遇到麻烦的最可能原因是当地的装配车间。我对我从董事会获得的信任度非常低。我发现了很多错误。自从更换晶体以来，一个板就一直在工作...我没有看到示波器的任何振荡，但是在显微镜下，它肯定似乎具有连通性。但是，更换晶体对其他任何板子都无济于事。 我只是希望我在下一个董事会修订版中遇到一个具体的固定问题，而不是一堆“现在可能会起作用” ... 这是前后的图片（Y上的晶体比其足迹小一些）：

12 inductor  crystal 

我有一个基本的实现，在处理器上向XTAL1和XTAL2提供了晶体（类似于下面）。当我查看XTAL1和XTAL2上的信号时，它们是正弦波。 他们不应该是方波吗？

11 microcontroller  crystal  waveform 

在我正在研究的设计中，我需要一些帮助来选择32.768 kHz XTAL的负载电容器。 这有点长，但是主要的问题是：正确确定负载上限值是否至关重要，以及走线和引线的寄生电容在确定这一点上有多重要。 我的设备使用TI CC1111 SoC，并且基于TI提供的USB加密狗的参考设计。CC1111需要48 MHz高速（HS）振荡器和32 kHz低速（LS）振荡器。参考设计将晶体用于HS振荡器，并将内部RC电路用于LS振荡器。但是，CC11111可以连接到32.768 kHz的晶体振荡器，以获得更高的精度，这是我所需要的。 CC1111 数据手册提供了一个公式（第36页），用于选择负载电容器的值。为了进行完整性检查，我使用该公式来计算参考设计中与48 MHz xtal一起使用的电容值。我认为我应该得到与设计中实际使用的大致相同的数字。但是我得出的电容值与TI使用的电容值不匹配，因此我有点担心。 我的侦查细节如下，但总而言之，48 MHz晶振的数据表说它需要18pF的负载电容。参考设计中使用的两个负载电容器均为22 pF。CC1111数据表中的公式将xtal引线上的负载电容与负载电容器（和C b）的值相关联CaCaC_aCbCbC_b Cload=11Ca+1Cb+CparasiticCload=11Ca+1Cb+CparasiticC_{load} = \frac{1}{\frac{1}{C_a} + \frac{1}{C_b}} + C_{parasitic} CloadCloadC_{load}CaCaC_aCbCbC_bCparasiticCparasiticC_{parasitic}CaCaC_aCbCbC_b 或者，根据TI应用笔记AN100， Cload=C′1×C′2C′1+C′2,Cload=C1′×C2′C1′+C2′,C_{load} = \frac{C_1' \times C_2'}{C_1' + C_2'}, C′xCx′C_x'CxCxC_x C1C1C_1C2C2C_2C′1C1′C_1' 我之所以这么问，是因为担心如果我选择了错误的负载电容器值，它将无法正常工作，或者频率将是错误的。这些类型的晶体对加载上限值有多敏感？ 我的侦查细节： 从参考设计zip文件中包含的Partlist.rep（BOM）中，晶体（X2）和与其连接的两个负载电容器（C203，C214）为： X2 Crystal, ceramic SMD 4x2.5mX_48.000/20/35/20/18 C203 Capacitor 0402 C_22P_0402_NP0_J_50 C214 Capacitor …

11 microcontroller  capacitor  crystal 

我正在使用PIC18F4680，在以HSPLL模式在40 MHz外部时钟源或10 MHz晶振上运行时遇到问题。在HS模式下使用10 MHz晶振似乎还可以，在HSPLL模式下使用5 MHz晶振也可以。 发生的情况是，PIC启动，工作了几秒钟，然后关闭了一段时间，然后再次启动。该周期的总时间约为5秒，其中PIC会在第二秒的早期停止工作。 我还注意到，有时当我在面包板的电源总线上添加足够大的放电电容器时，PIC会正常工作。有趣的是，只有在PIC已经运行的情况下添加电容器时，才会发生这种情况。如果我在那里用面包板为面包板供电，或者我将电容器没有完全放电，问题仍然存在。 我在一些站点上读到，由于PIC在更高频率和最低最低工作电压下的功耗增加，可能会发生与我类似的问题。在这些情况下，如果电源上存在一些短电压降，则它们很可能在该频率上达到PIC的最低工作电压，因此，最好在面包板上增加电容器以解决该问题。由于在40 MHz的满负载下，整个电路使用大约64 mA的电流，所以我的第一个想法是放置大约钽电容器，希望它们足够大并且具有足够低的ESR以解决问题。 。一个没有帮助，第二个也没有帮助。因此，我添加了一个铝质电容器，但这也没有帮助。100 μ ˚F10 μ ˚F 10 μF10 \mbox{ } \mu F 100 μ ˚F 100 μF100 \mbox{ } \mu F470 μ ˚F 470 μF 470 \mbox{ } \mu F铝电容器无效。最后，我添加了一个1 mF的铝电解电容器，然后第一次电路工作正常，直到关闭并打开电源。我还应注意，出于测试目的，我使用5.5 V的Vcc，这是该微控制器的最高额定电压。这应该给我留出一些空间，直到4.2 V（40 MHz的最低工作电压）为止。 接下来，我读到有时浮空的输出可能会引起毛刺，因此我在所有未使用的引脚上放置了下拉电阻，但这两个都没有帮助。之后，我已经读到，有时如果振荡器输入悬空，则可能会出现问题，因此我尝试使用大约电阻将它们连接至GND ，但这没有帮助。10 中号Ω10 k 欧姆 10 kΩ10 …

11 pic  oscillator  breadboard  crystal 

HC-49 xtal是8 MHz晶体，径向晶体是RTC 32.768 kHz晶体。C11，C12为22pF，C13，C14为18pF。 迹线直接进入微控制器（PIC24F）。 我尝试遵循Microchip的指南，但他们建议使用表面贴装xtal，并谈论了与我无关的“保护环”。

11 pcb-design  crystal 

我刚刚碰到了这个设备，我想不出任何理由拥有它的窗口。 这也不只是切开的显示图像；数据表中特别提到，应避免在其下粘胶，以免玻璃破裂： 那么，此窗口的目的是什么？当然，这会增加制造成本，所以没有良好的目的就不会存在，对吧？ 我也看不到它是用于修整的，因为看起来完全相同的零件也在没有窗口的不同包装中提供。

10 crystal  packages 

是否有耐高压的晶体？ 还是他们的案子都有开放空间？ 客户希望在浸入高压油的潜水艇中使用我们的产品。 我以维基百科的这篇文章为基础，并阅读了美国海军的参考资料，认为使用SMD晶体会没事的。 相反，在压力下，晶体外壳顶部破裂。 （高压油浸试验后内爆SMD晶体的照片。） 显然，那里有一个气袋。 有人建议我们用环氧树脂灌封晶体。但是我怀疑这是否行得通：压力使SMD晶体的陶瓷体破裂；我怀疑环氧树脂能否承受陶瓷所不能承受的。 （一个拥有300个声望点的善良的灵魂可以创建“高压”标签并将其添加到此帖子中吗？）

10 crystal  harsh-environment