Questions tagged «diodes»

二极管真的遵循欧姆定律吗？ 欧姆定律指出，通过两点之间的导体的电流与两点之间的电压成正比。 引入比例常数后，电阻就可以得出描述此关系的常用数学公式：I = V / R，其中I是通过导体的电流（以安培为单位），V是跨越导体的电压（以单位为单位）伏特，R是导体的电阻，单位为欧姆。更具体地说，欧姆定律指出，在这种关系中，R是恒定的，与电流无关。” https://zh.wikipedia.org/wiki/Ohm%27s_law 但是，我有一位电气工程师告诉我，二极管的确遵循欧姆定律V = IR，只是二极管具有可变电阻，该电阻会自动变化以对任何电流保持相对恒定的压降。 这是真的？ 它是否遵循欧姆定律？ 此外，如果将二极管放在电源的末端，阳极为+，阴极未连接，则仍然会看到电压下降，没有电流流动。解释一下。 下图显示了相对于HER508二极管上电流的电压降： 资料来源：http : //www.rectron.com/data_sheets/her501-508.pdf

18 diodes  resistance  ohms-law 

我在这里比较了1N400x二极管。据我所知，除了最大反向电压以外，它们的所有特性都相同。 其 最大电流 恢复时间 反向漏电流 电容 是相同的。 看起来1N4007是所有其他1N400x二极管的超级版本。那么，为什么要生产1N4001 ... 1N4006二极管，又为什么要购买呢？如果1N4007独自完成工作，那么为什么其他版本仍在市场上呢？

17 diodes  component-selection 

在课堂上，我们正在设计一些不同的电路，它使用了一些二极管和运算放大器。一切在纸上都很好，一切都说得通。这些仅被称为“二极管”或“运算放大器”。 因此，我在pspice上进行了模拟。但是，根据选择的二极管或运算放大器，我得到的结果完全不同。在组件列表中可以选择许多运算放大器和二极管。 直到现在，我还只是认为二极管是二极管，还是运算放大器是运算放大器，因为它们上没有任何更多细节。就像电阻器或电容器一样，您无需选择正确的值分量即可使其全部正常工作。 因此，我想知道何时人们说“使用运算放大器”是否有一种通用的/通用的标准运算放大器。 与二极管相同。是否有在所有情况下都使用的二极管标准，除非另有说明。 在考虑之后..晶体管又如何呢？

17 operational-amplifier  diodes  standard 

我知道二极管会短路并无法闭合。二极管是否有可能在打开位置发生故障，什么原因导致这种情况发生？

17 diodes 

我正在构建一个8kW隔离式DC / DC转换器，全桥拓扑。 我在二极管上看到一些有趣的现象。当每个二极管变为反向偏置时，二极管上会出现一个电压尖峰，然后降到期望的直流总线电压。这些是1800V的快速二极管（恢复时间为320nS的规定时间），在次级端仅350VDC时，峰值达到1800V，远低于我的输出电压目标。死区时间的增加无济于事；当二极管反向偏置时，仍会出现突跳，并且该突跳也一样大。 我的怀疑是，输出扼流圈在空载时间内使二极管保持正向偏置。然后，当变压器电压在另一个半周期内开始上升时，二极管会立即反向偏置足够长的时间，从而在变压器绕组两端出现短路。然后，当二极管恢复时，该电流被切断，引起我所看到的突跳。 我已经尝试了几件事。有一次，我在桥上并联了一个反激二极管。 我使用了与电桥相同的快速恢复二极管。这对尖峰没有明显影响。然后，我尝试在电桥的同时并联一个0.01 uF的电容。 这将尖峰降低到更易于控制的水平，但是该电容帽的反射阻抗在初级上引起了严重的问题。我的减震帽的温度翻了一倍！ 有几种可能性： 1）我错误地诊断了问题。我有95％的把握确定我在看自己想看的东西，但是以前我做错了。 2）使用同步整流器。我不应该有反向恢复问题。不幸的是，我不知道在此功率范围内有任何反向阻断JFET，并且没有反向阻断MOSFET之类的东西。我能在此功率范围内找到的唯一反向阻断IGBT的损耗比二极管差。 编辑：我刚刚意识到我一直误解了同步整流器的性质。我不需要反向阻断FET。FET将传导漏-源。 3）使用零恢复二极管。再次，损失和成本问题。 4）不顾一切。这看起来会消耗太多功率，大约占我整体吞吐量的20％。 5）增加与二极管串联的可饱和磁芯。我能找到的两个最大的饱和核心几乎没有削弱我的能力。 6）使用零电流开关谐振拓扑。我在这方面没有经验，但听起来如果初级线圈上的电流变化更平滑，次级线圈上的电压也应平滑变化，从而使二极管有更多的恢复时间。 还有其他人处理过类似情况吗？如果是这样，您如何解决？编辑：此处为原边FET数据表。

17 diodes  h-bridge  dc-dc-converter  rectifier  converter 

谁能告诉我“双二极管”的作用是什么？例如，BAV99。我不确定它的正确名称，因此在我的任何参考书中都找不到。我在一个电路上遇到过一个问题，它在微型计算机上的输出引脚与输入时钟引脚之间。

17 diodes 

为了给微控制器（ATmega8）供电，我使用的是〜5.4V电压源。我想确保我不会意外地将电压源反向连接，并认为二极管将是实现此目的的一种好方法，因为据我所知，二极管允许电流沿一个方向流动，并阻止它在另一个。 但是我还了解到，二极管会产生电压降。我有一些典型的二极管（1N4001、1N4148等），并希望使用它们来达到上述效果而不会降低电压，因为它太低而无法为IC供电。 我的问题是，有没有办法用二极管做到这一点？还是我需要其他组件（如果需要，您会推荐什么）？

17 diodes 

我很难理解可以使用齐纳二极管构建的简单稳压器（摘自《电子艺术》第2.04节）。我知道最好使用放大器等，但我只是想了解一下该电路的工作原理。 我不太了解电路的工作原理，但是我猜想，当负载施加到输出时，它会从电源（Vin）汲取电流，从而导致电压下降？齐纳二极管如何帮助维持电压，从而使该电路充当稳压器？

16 voltage-regulator  diodes  zener 

以瞬态电压抑制器为例，以单向Fairchild P6KE11A为例，如第2页的图表所示，反向隔离电压（）和击穿电压（）之间的主要区别是什么？V[R w ^中号V[Rw ^中号V_{RWM}V乙[RV乙[RV_{BR} 在我的该器件具有反向偏置的实验中，它仅在10.65V时开始导通。这在的10.5至11.6范围内。我想我知道从一个特定的P6KE11A到另一个，我可能期望的V_ {BR}范围是多少，但是反向隔离电压有什么用？V乙[RV乙[RV_{BR}V乙[RV乙[RV_{BR}

15 diodes  tvs 

据我了解，二极管电桥主要用于将AC转换为DC，但也可以使用它们来确保任意DC输入极性的预期DC输出极性。我有一些需要预期极性的小型能源设备（3V-5V，<1A），我想将它们安全地连接到可能使用不同极性的电源。如何找到正确的二极管电桥类型，使用时有哪些缺点？给定安全的输入电流范围，二极管电桥是否就像简单的电阻一样工作？如果是这样，它的虚拟电阻有多高，与通过其他方法确保极性正确相比，我将损失多少能量？

15 diodes  polarity 

我已经和Arduino玩了一段时间了，虽然我对简单的电路足够了解，可以启动和运行一些小项目，但除了最简单的东西之外，我仍然不了解所有的事情。电路。 我已经阅读了几本有关电子产品的书籍和一些在线文章，虽然我认为我了解电压，电流，电阻器，电容器和其他组件的工作原理；当我看到其中包含许多原理图的示意图时，我不知道该怎么回事。 为了最终解决问题，我买了一个300合1电子项目套件，但是它似乎从“这里是一个带有两个电阻并联的电路”过渡到更复杂的事物，而没有解释它的工作原理。 。 例如，它显示了一个简单的电池->电阻-> LED电路，但显示出如果您将一个按钮与LED并联连接，则按下该按钮会关闭LED。 我知道电流必须流经电阻最小的路径，但我不明白为什么电流不流经两者。 我获悉，将两个电阻并联连接会导致电流流过两个电阻，因此会有更多电流流过电路。我还尝试过用不同值的电阻器替换上面电路中的按钮，并且我怀疑，高值电阻器根本不会影响灯泡，但是较低的电阻值会使灯泡变暗。 我不确定如何将E = IR方程应用于所有这些。 另外，LED有多少电阻？我尝试用万用表测量它，但不会给出读数。 抱歉，如果我在这里忙得不可开交，但是我想画一幅我认为自己了解和想要了解的内容。不知道我已经实现了！ 哦，是的，在我深入研究我的300合1项目套件时，还可以期待更多！

15 led  diodes  resistance  parallel 

我已经读过，varicaps（电容二极管）是可变电容器的“现代”替代品。在几本电子书中，仅提到了varicap的积极特性。 但是，几个主要的分销商（这里是德国）根本不提供可变电容，或者只有不到5个SOT-23型号。 （作为比较：同一分销商提供大约1000种不同的二极管型号。） 在德国最大的三个电子元件分销商中，我找不到一个DO-xxx外壳varicap。仅SOT-xxx。 这是否意味着varicap已过时？如果是这样，人们在当今的电路中将其用作“替代品”吗？或者，更笼统地说，是否存在一些更通用的“概念”来改变容量？ 谢谢。

15 capacity  diodes 

我一直在研究使用TVS和齐纳二极管的电路保护。 我在电路图中已经看到以下用于表示TVS二极管的符号： 模拟该电路 –使用CircuitLab创建的原理图 我想第一个问题是TVS和齐纳二极管之间是否存在有意义的区别，答案似乎是：“它们的特性相似，但是它们的设计和测试规格以及预期的应用是不同的：齐纳二极管针对特定的和TVS二极管的电压精确度较低，其设计目的是分流（并承受）大功率瞬变。” 到目前为止，我对上述符号的印象是： 应假定是指齐纳二极管（除非另有说明）。 明确表示一个TVS二极管。 明确表示一个TVS二极管。 可能是指一对齐纳二极管，但可能是指单个TVS二极管。 这些合理的假设吗？ 我想，唯一一个持续遇到麻烦的时间就是使用TVS二极管而不是一对齐纳二极管。例如，使用TVS二极管，其击穿电压不精确，当电路需要“波形削波器”时，将产生可怕的结果。另一方面，如果打算在TVS上使用齐纳二极管，那么如果大功率瞬变不是常规操作的一部分，则可能永远不会注意到该差异，或者当齐纳二极管被油炸时，人们可能会很快注意到差异吗？ 还是对这种歧义的正确答案仅仅是：“是的，它们是模棱两可的。在您确定要使用哪个二极管之前，还没有准备好构建电路。”

15 diodes  zener  diagram  tvs 

在谈论过压或ESD保护时，我总是会看到此电路（此电路是同时实现还是仅实现一个？）： 但是，我不知道它是如何工作的。假设我在Vpin端输入了20V。 因此，Vpin的电位高于Vdd，因此电流流过二极管。但是节点Vpin上的电压仍为20V，IC仍为20V，这如何保护内部电路？此外，如果ESD事件将Vpin击穿10,000V，它将如何保护内部电路？ 最后，二极管D2是否在那里防止电压低于Vss，还是有其他目的？ 我曾尝试模拟此电路，但由于某种原因它不起作用。

15 diodes  protection  esd 

我在网上找到了一些有关如何构建无源以太网集线器的指南，其设计始终是相同的： 我想知道这两个反并联二极管各自做什么？对于正电流和负电流，总会有一个二极管导通，那么直接桥接导线有何区别？

15 ethernet  diodes