Questions tagged «high-current»

假设需要多少电流,大电流对不同的人意味着不同的事情。


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如何在PCB上承载大电流
我需要在电路的某些部分上通过大电流。我使用在线PCB轨道宽度计算器来查看,所需的轨道宽度约为5mm,最小间隙为1mm,这使得一条轨道的总宽度约为7mm。我在PCB上需要这些高电流承载线路中的几个,这些线路会占用太多空间以致无法承受。 我正在考虑在PCB的顶部焊接铜线,该铜线将与底部的细小且具有象征意义的走线平行。但是我想知道是否有更专业的方法来解决这个问题。

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PCB铜厚高:陷阱是什么?
我们需要在PCB上承受高电流(持续约30Amp),因此我们可能要订购具有高铜厚的PCB。到目前为止,我们在设计中仅使用了35微米(1盎司),因此“高厚度”对我们来说是70(2盎司)或105(3盎司)。 我们不知道使用厚度铜要注意什么。我们将不胜感激。由于这是一个非常广泛的主题,因此我将继续问一些具体问题: 看来,对于许多制造厂来说,105微米是它的最大厚度。那是正确的还是更高的厚度? 内层的铜可以和板子顶部和底部的铜一样厚吗? 如果我要通过多个电路板层推动电流,是否有必要或优选(甚至可能?)在整个层中尽可能平均地分配电流? 关于IPC关于走线宽度的规则:它们在现实生活中是否存在?对于30安培和10摄氏度的温度上升,如果我正确地读取了图表,则在顶层或底层上需要大约11mm的走线宽度。 连接多层高电流走线时,更好的做法是:在电流源附近放置通孔阵列或栅格,或者在高电流走线中放置通孔?


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找到消耗太多电流的故障芯片
请注意,这是一个理论问题-我无法显示任何示意图。我将显示一些原理图,但这将是实际电路的非常简化的版本,仅用于说明目的。 假设我有一个电压转换器,它将我的主电压(来自电源)作为输入并输出一定的电压,例如1.8V。它看起来像这样: 模拟该电路 –使用CircuitLab创建的原理图 当我将电路连接到PS时,我注意到它吸收了太多电流(PS表示)。 由于我的电路中有多个电压转换器(此处未显示),因此我检查每个转换器的每个输出与地之间的电阻。我看到1.8V接地电阻几乎为0欧姆。现在,我知道故障是出在电压转换器中,还是其他(或多个)其他组件从1.8V供电。 我对图中所示的电阻进行了拆焊,以使转换器与其他组件断开连接,然后看到转换器正常工作,但从连接到所有这些组件的点检查电阻仍然显示为0欧姆。 我的问题是-您如何在不将每个可疑组件拆箱的情况下检查哪个组件是有故障的?如图所示,1.8V电源直接连接到组件,没有电阻/磁珠。 为了这个问题,假设我可以使用所需的任何设备(无论价格如何)。由于设备的可用性,我不希望解决方案受到限制。 谢谢!

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在电流很高的情况下,我们可以安全地并联几个MOSFET?我在48V 1600A的电机应用中遇到问题
我尝试了一些配置,每个配置中有16 + 16个MOSFET的240A(实际上,由于源极端子,它们被限制在80-90A的情况下,但是我用一个非常粗的铜线将这个端子加倍了)。这是非常对称的布置,晶体管位置有16个MOSFET,同步整流器配置有16个,它们似乎在某些时候仍然失效,我不知道如何避免失效。 他们全部受到IR21094S作为驱动器的攻击,每个2个晶体管均由MOSFET图腾柱TC4422驱动器驱动。该电机是10kW直流复合电机,标称值为200A,启动时可能需要1600A。电感似乎为50uH,在50V时以脉冲为单位的上升电流速度为= 1 A / µs所选频率为1kHz,具有同步整流配置的PWM降压 我什至不知道为什么,即使电路是精心制作的,对称地提供了4个模块,并具有直至电动机的独立输出导体,具有独立的缓冲器,以及电动机的缓冲器,晶体管仍然出现故障。电路似乎工作正常,但经过一段时间后,例如数十分钟(温度正常,约45 C),通常会加速,通常同步二极管会失效,随后所有晶体管 最初,我尝试使用并联的小MOSFET来检测MOSfet上的电流(漏极,漏极,齐纳栅极/栅极,小mos源到22欧姆电阻器,再到电压放大器以启动快速关断保护电路) ,但是由于换向时间变短,所以小MOSFET总是在主晶体管之前进入,从而干扰了保护电路并使其无法使用... 没有直通,我在驱动器上使用了2us的间隙,我只怀疑寄生电感中的辅助测量。你们在什么条件下成功并联了多少个MOSFET? 8个电源模块之一 所有电源模块 一些司机 组装的一半 全部堆叠,不带电容器 输出信号 下降沿,输出为黄色,电源为48V,蓝色为蓝色仅通过零星分布的100uF和100nF陶瓷电容器来维持电源供应,以避免由于初始测试处理不当而造成MOSFET烧毁 上升边缘;您可以看到过冲很小,只有5伏。晶体管额定电压为75v

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大电流试验时的安全性
我正在试验超级电容器放电产生的大电流。 例如,在使用500 A(2.8 V电压)的情况下,使用指南针或铁屑可以很好地演示直导体的磁场(比较:http : //iopscience.iop.org/article/10.1088/0143-0807 / 31/1 / L03 / pdf)。 另一个例子是汤姆森环实验http://www.rose-hulman.edu/~moloney/Ph425/0143-0807_33_6_1625JumpingRing.pdf,在很短的时间内可能会达到9000A。 假设所有使用的电压均低于60V。在这种情况下,您需要考虑哪些安全事项? 这是我的想法: 由于电压太低,因此不会有电流通过人体的危险。 如果存在接触问题,可能会有火花和闪电的危险。 由于紫外线,这可能很危险 由于火花直接击中眼睛 此外,可能会有热量问题使您想吸入的气化气化 电容器放电会产生EMP,例如可能会影响起搏器 我不确定是否提到了与此有关的所有危险。我的问题是: 在何种情况下(最小电流,放电时间...)哪种危险会变得相关 如何使其安全


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高压PWM电机控制器-Mosfets爆炸
我已经在每个帖子中搜索了此问题的答案。我已经建立了一个电机控制器电路,如下图所示。 我使图表尽可能准确。添加了mosfet上的二极管,以使mosfet符号看起来像数据手册中的符号一样。 如您所见,它是使用Arduino UNO板的非常简单的PWM电路。电位器脚踏板连接到模拟输入之一,用于确定数字输出引脚6上pwm输出的占空比。 该电机是Motenergy生产的此类最小的48v电机,但是与我已经看到的其他电路相比,这是一个非常大的电机。在启动时,它可以轻松拉出约200安培的电流。 电路的工作原理-抬起车辆使车轮不接触地面。在这种状态下,电动机很容易旋转,并且不会消耗太多电流。当轮子在地面上时,当您开始踩踏板时,mosfets会爆炸。我现在已经建造了大约4次该电路。我什至在一个版本中并行使用了18个mosfet,所有18个mosfet都立即爆炸。(200/18 =大约7安培/ mosfet)每个mosfet应处理32安培。 我们最终只是从alltrax处购买了一个电动机控制器,车辆运行良好,但我决心找出为什么我自己的电动机控制器不起作用。我热爱电子产品,多年来建立了许多困难的电路。除非我发现自己做错了什么,否则我将无法入睡。 我与Alltrax的技术人员进行了交谈,他说他们的控制器不过是一堆mosfet和电容器而已。他说,电容器可以防止mosfets爆炸,但是他不知道它们如何连接到电路中。我认为他有我遗漏的信息。 所以,谁能告诉我我在做什么错?我应该如何添加电容器来解决此问题?可能是频率吗?我们在Arduino上修改了计时器,使我们的PWM频率大约为8000赫兹,但是Alltrax控制器的工作速度却惊人地达到了18,000赫兹。我知道18k随着电动机控制器的发展而变小,但我认为巨型电动机会希望使用较小的频率。 另外,在您说mosfet由于它们之间的细微差别而不能并行布线之前,我恰好使用了7英寸的18号线来并行连接每根。细电线将充当微小的电阻,并确保每根电线均分担电流负载。 多谢您的回覆。

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汽车地面偏移现象
我正在使用标准的12v负极底盘设置将传感器集成到汽车平台中。我正在尝试了解一种有点神话般的现象,这种现象被称为“地平移”。我无法对此进行解释,但我的直觉表明这是合理的。 它被“解释”的方式是这样的:由于相邻组件或共享公共接地“螺柱”的组件的某种形式的干扰,车辆上的两个接地参考点可能会在一些不确定的时间内保持在一些不同的电位下”。 例如,当启动ABS并将大量电流(在某些情况下为数百安培)沉入特定的接地柱时,接地点将成为不稳定的参考。连接到该螺栓的其他组件可能会在其输入引脚上遭受电压波动。 我的问题是:这种现象是真的存在吗,还是仅仅是内部的“老太太故事”而已? 如果确实存在,如何表征它,在哪里可以学到更多?这里的基本电气原理是什么?可以简化为代表性的模型电路吗?任何经验将不胜感激。

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用MOSFET控制大电流(1000A)
我目前正在设计电容放电点焊机,并且遇到开关问题。 我计划使用几个串联的超级电容器在很短的时间内(最有可能少于100毫秒)放电约1000A。我计划将电容器充电至10V左右。 因此,我本质上需要一种能够提供非常高电流的短脉冲的设备。我不想一次性丢弃电容器的全部电荷,因此可控硅不是解决我问题的方法。我一直在研究MOSFET,这一点引起了我的注意:http : //www.mouser.com/ds/2/205/DS100728A( IXTN660N04T4)-1022876.pdf 但是,我不确定如何正确解释数据表。MOSFET能够在脉冲漏极电流状态下驱动1800A吗?还是将其限制为660A(甚至220A),迫使我并联其中一些?还是这些MOSFET之一可以吗?根据我的初步计算,没有任何其他电阻的情况下,直接连接至电容器的单独MOSFET将耗散900W左右的功率,这似乎在数据手册的范围内。 因此,从本质上讲,我是否正确解释了数据手册,还是需要订购其中一些MOSFET(如果是,那么您会猜到多少?)

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高侧开关(大电流)的PCB布局
我正在为两个高端开关设计PCB布局。您可以在下面看到我当前布局的图片。 未来PCB的铜重量可能为2 oz /ft²(双面)。我使用两个p沟道MOSFET(IPB180P04P4)。我希望右侧的MOSFET为10安培(我选择非常接近最小占位面积,Pd约为0.2 W),而MOSFET则为15安培(U2,峰值为30安培,Pd约为0.45 W,最大1.8 W)在左侧(U1,8平方厘米的铜)。 IC1是电流传感器。 接线端子(U15,U16)属于以下类型:Digikey上的WM4670-ND。 为了在这种类型的PCB上吸收这么大的电流,一位在线计算器告诉我,我需要20毫米的走线。为了节省空间,我决定将这条大迹线分成两条迹线(一条在顶部,一条在底部)。我将两条走线都用过孔图案连接(在2x2mm²的网格上,钻孔尺寸为0.5 mm)。我没有这种布局的经验,所以我看了看其他电路板,然后选择了一个对我来说似乎很公平的尺寸。这是通过模式正确的方法吗? 在MOSFET下,我使用相同的图案,但钻头尺寸较小,为0.3 mm,以形成热结。如此大小的焊料会更好地流动吗?到目前为止,没有一个通孔被填满... 我还考虑在这些走线上没有任何阻焊层,那就是在铜上施加一些阻焊剂。 我还担心MOSFET的焊盘。我没有选择不用铜覆盖它们。我以为设备可以通过这种方式自动居中,但这可能会增加阻力... 请随时评论布局! 谢谢 ! 编辑1 我略微改进了设计。我在MOSFET的散热垫下添加了更多的过孔。MOSFET下有一些裸铜(如果将来我想增加一个散热片)。 请随意发表评论 !先感谢您 ! 编辑2 此设计的新更新。我增加了MOSFET引线周围的铜面积。那应该降低这些走线的电阻。 我在顶层和底层之间添加了更多的过孔,以改善这些层中的电流分布。 我问制造商是否可以在设备下面插入通孔以改善散热。他告诉我那是持久的。 我认为我不会改变其他任何事情。这是我最好的猜测,因此如果没人有任何评论,我可以尝试一下。

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测试高电流PCB设计70A @ 12V的最佳方法
我设计了一种电路(MOSFET HBRIDGE),该电路应能够在14V 电压下处理70A 电流。现在董事会已经发出,我正在考虑如何正确测试它。 现在,我必须测试的最合乎逻辑的方法是接上一堆功率电阻,然后将其连接到SLA 12V电池。 我将从15A开始,然后从35A开始,然后到50A,或者某种程度的开始。我会监视脚和踪迹本身的温度。 任何其他建议,将不胜感激。
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