两种-最好的存档媒体-标准HDD或闪存
在这两种技术中，这里存在两种完全不同的“位腐”机制，那么预计将持续更长时间？从本质上讲，它在存档方面是优越的。“标准HDD”中的磁畴（GMMR）是否会比CMOS工艺中Flash单元的浮栅持续更长的时间？也就是说，哪个物理学决定了衰变过程的速度较慢。假设气候是受控的，并且还假设成本，接口和物理尺寸不是约束条件。应该仅根据位衰减机制/物理的相对优点来判断/争论。 更新-赏金到期前1天： 由于此站点是关于设计的，因此我特意限制了这个问题。如果您正在设计需要长时间闲置的产品（带有uController等），那么比特腐烂确实会发挥作用-您知道系统在需要时会再次点亮吗？即您可能需要档案类型存储。您是否在设计Flash？还是然后放入HDD界面？那是决策树的自然第一个分支。一旦为HDD插入IDE / SATA或类似接口，其他所有技术都可能发挥作用。但是我特意限制了它的使用，以防止偏离正轨的技术或至少会限制适用范围的技术。 我还编辑了该问题以限制对接口的讨论，因为我不想讨论相对接口速度，密度等。当然欢迎这些问题，但作为主要问题答案的辅助手段（s）。 到目前为止，已经有很高程度的轶事个人反思。一点都不想要！我不会根据回忆来奖励悬赏。我将呼吁@ Danny-kmack至少研究一些第三方的可验证来源，即特温特大学* .ppt（超级用户链接属于轶事类），但随后他无法将重要信息转发到帖子中。 更多数学，更可靠的采购，无轶事。激发活化能的奖金以及如何与Arrhenius方程联系起来的奖金将获得额外收益！关于磁畴如何失效以及如何驱动的细节，以及通向浮栅的Fowler-Nordheim（FN）隧道如何泄漏回去的细节-它仍然是FN吗？ 另一个呼吁：这次是@ kitt-scuzz，它提出了一个聪明的想法，即构建一个刷新闪存驱动器以确保位腐烂不会吞噬数据的系统，您需要权衡磨损以延长寿命。不幸的是，在手前徘徊/迷惑有损于好主意。 关于Mods的注意事项：-是的，我将回到这里并清理这些多余的东西-一旦我看到更好的答案，或者很明显不会出现。 请记住，EE的关键部分是分析和执行数学，理解所涉及物理的能力。 这无疑可以在将来帮助人们设计可驻留在现场甚至是长期产品中的嵌入式系统。-仍然是希望。