电气工程

我了解我的许多通过USB端口充电的消费类设备可以以高于0.5A的速率充电。但是，在测试中，我发现它们的消耗量不超过此数量。 测试设置 我有一个输出0至30伏，0至20安的电源。 我将电压设置为5伏，然后将母USB正确连接到电线。 当我插入三星Galaxy S4 Mini时，它的电流约为0.44安。三星Galaxy Tab Pro也是如此。 但是，当我使用官方的避雷线连接iPad Air时，它的电流仅为0.11安培。 此外，我尝试连接ZGPAX S28智能手表，但仍约为0.44-0.45安培。 电源不仅能够输出最大2.1安培的电流，那么为什么至少不给平板电脑供电呢？ 在测试设置中，我需要做什么以说服设备消耗其最大充电电流？

13 power-supply  battery-charging 

我有点困惑。请帮我弄清楚。我想购买示波器，并找到两种适合我的型号。 瑞戈DS1102E 瑞戈DS1102CA 但是我不明白它们之间的区别。我了解到DS1102E的采样率为1 GSa / s，DS1102CA的采样率为2 GSa / s。好。但是它在实践中会带来什么呢？两台示波器的带宽均为100MHz，因此我在屏幕上的信号图像中不会发现差异。我对吗？那么，您能解释一下现代示波器的“采样率”和“带宽”是什么意思吗？这些东西之间有什么区别？

13 oscilloscope 

约翰·R·皮尔斯（John R.Pierce）撰写的《信息论导论：符号，信号和噪声》说： 莫尔斯的地下电线所遇到的困难仍然是一个重要问题。同样好地传导稳定电流的不同电路不一定同样适合于电通信。如果在地下或海底电路上发送点和点的速度过快，则它们会在接收端一起运行。如图II-1所示，当我们发送一小段突然突然开启和关闭的电流时，我们在电路的远端接收到更长，更平滑的电流上升和下降。电流的这种较长流动可能与发送的另一个符号的电流重叠，例如，由于没有电流。因此，如图II-2所示，当传输清晰清晰的信号时，可能会收到难以解释的模糊电流徘徊信号。 当然，如果我们使点，空格和虚线足够长，则远端的电流会更好地跟随发送端的电流，但这会降低传输速率。显然，给定的传输电路在某种程度上与点和间隔的传输速度有关。对于海底电缆，该速度是如此之慢，以至于给电报员带来麻烦。对于电线杆来说，它是如此之快以至于不会打扰电报员。早期的电讯工作者已经意识到了这一局限性，它也是传播理论的核心。 作为没有电气工程背景的人，我发现所描述的现象令人困惑。如果发送短时突然打开和关闭的电流，那么为什么根据电路的类型，接收器可能会接收到平滑电流，而不是所发送的离散电流，这是真的吗？人们可能天真地希望收到的信号与发送的信号相同？ 如果人们可以抽出时间使用不具备电气工程背景的人可以理解的语言来回答这个问题，我将不胜感激。

12 current  signal 

如果我措辞奇怪，我很抱歉。我使用的是3.7V电池，如果电池电压过低，我的微控制器会监视电压并进入睡眠状态。问题是，如果我断开连接并用万用表检查，它读取的电压将低于电池显示的电压。例如，当我的万用表读取3.8V断开的电池时，我的微控制器将读取3.65V。我的微控制器读数错误吗？还是应该将我的微控制器读取的负载电压视为实际电压？

12 voltage  batteries 

这里提出类似的问题：“两个旁路/去耦电容器”规则？但是这个问题是关于并联旁路电容器而没有提到封装尺寸的（但是答案大多是假设并联部件具有不同的封装尺寸），而这个问题具体是关于相同封装尺寸的并联旁路电容器。 我最近参加了一门有关高速数字设计的课程，讲师花了很长时间解释说，电容器的去耦性能几乎完全受其电感的限制，而电感又几乎完全受其尺寸和布局的限制。 他的解释似乎与许多数据手册中的建议相抵触，尽管数据手册中的封装尺寸相同，但它们却建议多个值的去耦电容器。 我相信他的建议是：针对每种封装尺寸，选择可行的最大电容，并尽可能将其放置在最接近的位置，并使用更小的封装。 例如，在莱迪思半导体的原理图中，他们提出以下建议： 470pF 0201 10nF 0201 1uf 0306 Q1：那个470pF电容器真的有帮助吗？ 问题2：在0201封装中用一个1uF电容器替换全部三个电容器是否有意义？ 问题3：当人们说较高值的电容器在较高的频率下不太有用时，其中的多少归因于电容，多少归因于通常与较大的电容相关的封装尺寸的增加？

12 pcb-design  decoupling-capacitor  high-speed 

我有一个使用120VAC线圈的240V继电器。当我将电源切换到线圈时，继电器发出微弱的嗡嗡声。它不是很大，听起来几乎像是一个变压器。房间里普通的声音或小风扇足以淹没它，让您对音量有所了解。 需要明确的是，这不是线圈没有足够的功率并且触点快速打开和闭合的情况（在其他问题中称为“嗡嗡声”）。我已经验证电压是正确的，并且已经观察到线圈通电时电枢仍然（不振动）。 所以我想知道我的继电器是否坏，或者这对于交流继电器来说是正常的，而我以前从未使用过。我习惯于12VDC继电器作记录。

12 relay 

我想在适合手持的小型设备上显示4位数字。我有一个CR2032 3V电池大约230毫安，我微处理器是8051（在BLE112）通常使用大约0.9μA，我希望设备持续尽可能长的时间。 我看了典型的七段显示器，它通常使用几个mA的电流，这太高了。 另一种选择是在Pebble中使用的Sharp LS013B7DH01，其电流为5 µA，但对我的微处理器来说似乎有点复杂（且昂贵）？ 应该有一些简单的低功耗7段显示器，其平均功耗以µA（不是mA）为单位，但是我根本找不到它，也没有想到其他解决方案。 我有什么选择？

12 low-power  display  7segmentdisplay  coin-cell 

有点随机的问题，但是下图中的蓝色线夹东西叫什么？ 我到处都可以看到这些东西，我想把它们放在手提袋里真是棒极了...

12 components 

有什么方法可以通过测量来轻松，准确地确定绞线的规格？ 我知道您可以通过测量导体直径而仅用一对卡尺就可以很容易地确定实芯线的规格，但是对于多股导线，线束的包装效率会不会有差异？我也很幸运地找到了绞线直径表的线规。 我有一堆未正确标记的线轴。似乎已经有人回收了多个卷轴，因为（至少）多个卷轴都标记为“ 22规”，且卷轴上的直径不同。

12 measurement  wire 

我有两个疑问，请您分别回答我的疑问。:) 1）我需要一个'X'电阻，所以最好使用'X'值的单个电阻或r1 + r2 + r3 ='X'的多个电阻？我的意思是串联使用多个电阻而不是使用单个电阻有什么优势？是否可以减少电阻过热？ 2）考虑一个1W 2k2电阻和一个1 / 4W 2k2电阻。不同瓦数的电阻产生的热量是否不同？在相同条件下哪个电阻会发热更多（我的意思是两个电阻相同时电流，电压等） 亲爱的，基兰。

12 resistors  heat  watts 

我想知道为什么数字示波器使用开关电源而不是线性电源。 SMPS的效率更高，但在高频开关（PWM）期间会产生一些噪声，还会产生EMI，从而影响显示屏上显示的信号。

12 switch-mode-power-supply  oscilloscope  emc 

在确定在PCB上承载一定电流所需的走线厚度时，答案取决于您愿意接受多少温升。这使设计人员陷入困难的情况，试图确定多少温升是合理的。通常的经验法则是允许温升不超过5°C，10°C或20°C，具体取决于您希望保持的保守程度。与功率晶体管，IC，功率电阻器或其他散热组件的最高温度升高（可能为60 +°C）相比，这些数字似乎很小。这些数字背后的原因是什么？ 我想到的可能原因： PCB材料的最高温度。对于大多数FR4型材料，此温度约为130°C。即使允许非常保守的65°C（内部温度）环境温度，这仍将允许另一个65°C的温度上升。 允许组件进一步温升。例如，如果SMT MOSFET的温度将上升80°C，则由于周围PCB的温度，您不希望在高于环境温度40°C时启动它。但是，这似乎太因情况而异，无法凭经验得出。例如，在采用散热型通孔MOSFET的情况下，引线上的热量仅是通过散热器流出的热量的一部分，因此PCB温度不应该成为主要问题。即使使用SMT零件，我也可以有一条细的迹线，在其大部分长度上会散发出大量的热量，但是在到达元件之前先将其散开。 PCB材料的热膨胀。随着PCB加热，材料会膨胀。如果PCB的不同部分受到不同的热量，可能会导致板弯曲，从而使焊点破裂。但是，由于安装在其上的组件的功耗会导致PCB经常承受比此更高的温差，因此这似乎不是答案。 过时的标准。也许5/10/20°C的限制是几年前考虑的，不再适用于现代PCB材料，但是每个人都在不加考虑地继续遵循它们。例如，也许旧的酚醛板材料不如现代玻璃纤维耐热。 换句话说，我发现20°C的温度上升对我的设计来说太过局限了。如果我决定允许温度上升40°C，我是否有可能遇到短期或长期可靠性问题？ 奖励指向任何可以引用给出数字推理的标准的人，或者具有为什么选择这些数字的历史证据的人。

12 pcb  pcb-design  temperature  thermal  rise 

前几天，我的朋友说他想编写一个使用NFC芯片在手机上读取宠物微芯片的应用程序。我告诉他，我很确定宠物微芯片不使用NFC，但是他说他很确定它们确实使用了NFC。因此，我跳到Wikipedia上并阅读了有关宠物微芯片的文章。果然，维基百科告诉我，宠物微芯片可以在RFID上运行。我的朋友说他们是同一回事。他是对的，还是只是戴着帽子说话？

12 microchip  rfid  nfc 

我需要一个内存解决方案，该解决方案将用于跟踪基于微控制器的项目中的累计计数。 通过累计计数，我的意思是说微控制器使用此存储位置来保留事件发生的计数。断电期间需要保留该计数，因此需要非易失性存储器。 另外，计数增加事件的发生是频繁的，因此将有很多写入存储器，因此我犹豫使用EEPROM。 首选的通信接口是I2C，但也欢迎使用其他替代方法。 我想到的是SRAM低功耗易失性存储器IC，可以选择在断电时由备用电池（例如纽扣电池）供电。

12 microcontroller  memory  non-volatile-memory 

因此，在此之前，我只使用简单的8位Atmel MCU，并在开发板原理图中意识到它只有12Mhz的晶体，但MCU的工作频率高达100MHz。（我认为默认值是80MHz。我只是为了娱乐而将其提高了一次。这只是代码中的一条简单代码。） 它是如何做到的？例如，为什么Atmega328以所使用的晶振速度运行？

12 arm  crystal  cortex-m