电气工程

MSP430的许多示例程序的第一行是： WDTCTL = WDTPW | WDTHOLD; // Stop watchdog timer 他们为什么这样做呢？

11 msp430 

以下是我对NAND闪存的组织方式的理解，通过这种设计，应该可以只擦除单个页面并对其进行编程，而不是擦除整个块。我的问题是，为什么不以更细致的页面级别擦除NAND实现？直观地，所有要做的就是呈现代表要擦除页面的字线，并施加高电压以将电子从浮栅上去除，同时保持其他字线不变。对此原因的任何解释均应得到赞赏。

11 flash 

我设计了以下电路，以将12-20V信号连接到运行3.3伏特的微控制器。信号为20V或开路。 我希望电路尽可能具有弹性。它应该能够处理EMI和ESD。 R1用于限制电流并使晶体管偏置。 C1用于实现低通滤波器。 R2用于下拉晶体管基极并使电容器C1放电，20V输入为20V或开路。 D1用于保护晶体管不受基极负电压的影响。 R3上拉微控制器引脚。 欢迎对此电路进行任何评论和改进。 附带的问题：该晶体管可以承受的最大正电压是多少。数据表中规定峰值基极电流为100mA。如果基极保持在0.7伏，则输入可以高达1000伏（10k欧姆* 100mA）。但是，如果输入为1000伏，则分压器会将电压设为500伏。根据数据表，最大Vcb为60V。

11 microcontroller  pic  transistors  bjt 

我正在尝试从电源插座（约10m）很长的距离为IP摄像机供电。随附的额定为5V 2A的电源适配器长约1.5m。 我切断了电缆，并使用较粗的电线延长了电缆的长度（以防止电压下降），尽管最后电压下降到约4.5V。相机电源已打开，但是在相机上进行任何PTZ运动都会导致相机重新启动。 除了购买新适配器以外，还有其他解决方案吗？如果我确实购买了新的适配器，那么在提供低直流电压时，x米导线上的电压降的一般经验法则是什么？

11 dc  low-power  cables 

我知道如何连接电位计，但是老实说我不知道​​为什么。我真的很想了解我在做什么。 据我了解，输入电压和地线应连接至极端端子，输出应连接至中间端子。 现在有几个问题： 1）如果用输出切换地面会发生什么？ 2）为什么我们需要所有三个终端？我不能只使用其中两个吗？ 编辑2014-07-11 9:47 所以基本上电位器就是这样。关于电位器的几点思考： 1）R1和R2的总电阻是恒定的，但我们可以根据需要对其进行拆分。 2）如果仅使用极端端子，则其行为将与普通电阻类似。 3）接地是否连接到中间端子或极端端子都没有关系。 如果我误解了这个概念，请纠正我。 模拟该电路 –使用CircuitLab创建的原理图 Edit 2014-07-11 10:49 基本上我问的是第一个问题，并认为3如果要测量模拟输入中的电压，跟随电路是否正确？

11 potentiometer  basic 

我需要获得±15 V电源，我想知道在哪里可以找到它。我应该代替30V DC电源吗？

11 power-supply  dc 

我一直在谈论或谈论PCB晶圆厂时听到这种说法。有人可以告诉我这是什么意思吗？

11 pcb 

这个问题与AVR的解码本身有关。 项目信息： 我们有一个使用ATMEGA644P的电池供电产品。该应用程序永久以睡眠模式运行，并且仅每秒唤醒一次（RTC）或触发两个外部中断线之一。 该器件具有一个非常简单的引导加载程序，该引导加载程序通过UART（使用RS232接口IC）进行通信。它只是一种方便的方法来更新固件，因此不需要硬件ISP编程器。（引导加载程序需要校验和安全的电报） 该设备设计为具有内部掉电禁用功能，因为它使功耗加倍，并且必须延长电池寿命（我猜应该使用外部掉电检测-重新设计正在进行中）。 问题： 每隔一个月设备就会停止工作，这些设备上不会执行固件更新。但是，在进一步检查之后，这些设备的闪存内容似乎已损坏。此外，其中一些设备的电池仍然不错，但我不想排除某些欠压情况。 这是原始闪存内容（左）与损坏的内容（右）的比较： 一些观察： 损坏的块始终至少包含一个闪存页面（256字节），并且是页面对齐的。换句话说：仅影响整个页面，不影响单个字节。 损坏的内容大部分时间读为0xFF，但也可能包含其他值或完全是“随机”的。 图像左侧的小条显示了所有受影响的区域。对于此设备，它大约占闪存总内容的十分之一。 我们有一台只影响单个页面的设备。 完全有理由认为，在写入闪存时出现欠压情况会损坏闪存内容。但是，这意味着必须执行一些闪存敏感指令。 可能是由于欠压导致控制器随机重启，并且引导加载程序代码在此期间的行为完全不可预测。引用另一个论坛中有关欠电压的消息： “不仅会执行闪存中的随机指令，而且还会执行随机的指令周期（不能保证闪存中的代码会正确读取和解释）。与此同时，单片机的其他部分可能无法按设计运行，包括保护机制。” 问题： 您是否认为“电压不足并执行某些指令以更改闪存页面中的数据期间的随机行为” -解释是否合理？如果真是这样，为什么我们一直没有看到这种错误，只是一些软件问题（堆栈溢出，无效的指针）的原因。 您还有其他想法会导致这种腐败吗？这可能是由EMI / ESD引起的吗？

11 microcontroller  avr  atmega  flash  failure 

我正在设计BJT的图腾柱，以驱动MOSFET。我研究了几个在线示例，并根据对它们的了解建立了自己的电路。但是，有一个细节被我牢记。我想知道为什么在时钟脉冲的转变时间不直通发生在该电路中（例如，当）？换句话说，为什么在过渡期间两个BJT不能同时打开？Vclk=~6VVclk=~6VV_{clk} \tilde= 6V 模拟该电路 –使用CircuitLab创建的原理图 仿真结果： （V tp和V gs重叠。）

11 mosfet-driver  shoot-through  totem-pole 

我必须设计一个状态机，仅将NAND门用于组合部分，将D触发器用于顺序逻辑。一切都应以1GHz / 53的时钟频率运行。 现在，在您以“我们不会为您做功课”殴打我之前，让我告诉您，我花了几天的工作就报废了所有东西，然后又开始更严格地做所有事情。我想自己做，但是在项目的最简单部分中，我不断收到随机的，未定义的信号，这令人沮丧。 好的，首先，我有下图所示的状态机和真值表： 接下来是kmap： 由于对于D个触发器D = Q +，组合逻辑的布线（一旦将其构建到简化的块中）应该不会太难。 但是我的第一个问题出现在Q3 +的测试台上。为了简化信息，我在这里放一个我为Q3 +放在一起的快速图表： 在后面的文章中，您将看到在VHDL中，我实际上将输入in1Q3plus命名为in11Q3plus（11个输入），因为这不是最后一个块（最终的组合逻辑块由四个Q3 +，Q2 +，Q1 +，Q0 +块组成发出信号）。 因此，我必须使用NAND门来制作所有东西，这意味着我必须采用结构化方法。每个门基本上都基于NAND门，然后会增加复杂性（但是从AND门结构上只能写入AND，OR和NOT门）。然后，我有一个具有3个输入的“或”门，一个具有3个输入的“与”门和具有5个输入的“或”门（类似于逻辑图示例），每一个都基于先前的2个输入“与与”门。 直到Q3plus的每个测试台（上图）都可以工作。我的测试过程是为每个输入生成信号，以便可以在“模拟”窗口中方便地观看信号。例如，对于3输入与门，我具有以下信号： process begin a1 <= '0' ; wait for 4ns; a1 <= '1' ; wait for 4ns; end process; process begin b1 <= '0' ; wait for 8ns; b1 <= '1' …

11 digital-logic  vhdl  modelsim 

我已经购买了一个网络摄像头，我想从中移除LED（对我来说也可以燃烧）。 这样，我显然可以改变电路的工作方式，所以我的问题是： 我应该卸下LED（或其电阻器）还是将其烧毁？ LED烧毁是短路还是断开？ 您如何确定该怎么办？是否有连接LED的约定？ 顺便说一句，这里的那个人刚刚关闭了LED，但我不明白他是怎么知道那不会损坏相机的。 另外，还有一个项目，它展示了另一个相机的内部（看起来和我的非常相似）

11 led  reverse-engineering 

为什么大多数RGB LED灯带是公共阳极而不是公共阴极？

11 led 

有时我会遇到BJT符号，发射器或收集器从中产生多行。这样的BJT是否是不同类型的设备？在固态水平上是什么意思？

11 bjt  symbol  solid-state-devices 

当可以使用单个反相器实现电路时，为什么在多路复用器中使用级联反相器。

11 digital-logic  integrated-circuit  multiplexer  inverter 

我有一个3轴加速度计和3轴陀螺仪。我的任务是使用这种硬件开发航位推测系统。 本质上，我需要开发一些代码来实时跟踪电路板在3d空间中的位置。因此，如果我从桌面上的木板开始并将其向上抬起1m，我应该能够在屏幕上看到该运动。也需要考虑旋转，因此，如果我将板颠倒通过相同的动作进行一半，它仍应显示相同的1m向上结果。对于几秒钟内的任何复杂运动，也应保持相同的状态。 忽略执行计算和旋转向量等所需的数学运算，即使使用如此低成本的设备，这是否有可能？据我所知，我将无法以100％的精度去除重力，这意味着我相对于地面的角度将关闭，这意味着我的矢量旋转将关闭，这将导致错误的位置测量。 我也有加速度计和陀螺仪偏置产生的噪声。 能做到吗？

11 arduino  accelerometer  gyro  imu  mems