电气工程

电子和电气工程专业人士,学生和爱好者的问答

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为什么在BCD加法中加6?
有时,如果两位数的总和小于10,则BCD加法类似于二进制加法。 但有时,如果总和> 9,则需要更正结果。此更正为+(0110)。 为什么我们加6?为什么没有其他号码?我在网上搜索,但我听不懂。 如果您想要过去曾经问过的这个问题的链接: http://answers.yahoo.com/question/index?qid=20070930062637AAzyBlv http://www.physicsforums.com/showthread.php?t=639798


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将两个MCU引脚直接直接连接是否安全?
我正在一个MSP430项目上工作,该项目需要我将一个外设的输出路由到另一个外设的输入。因此,我有两个直接相互连接的MCU引脚。这对我来说似乎很可疑,因为有可能发生编程错误,导致两者都是(可能是冲突的)输出。另外,还有启动和编程状态的问题。 在最坏的情况下,如果一个引脚驱动HI,而另一个引脚驱动LO,则GPIO引脚通常具有比源能力更大的吸收能力……因此,这有点像获取HI输出并将其短路至接近–地面。哪个不好...但是有多糟糕?可能会损坏MCU吗? 我经常在人们的网上看到使用Arduino在不带电阻的情况下在两个引脚之间点亮LED的示例,而且我没有听说有人油炸LED以外的任何东西。显然,您不想在产品中这样做,但是制造商是否通常会尝试保护MCU免受GPIO引脚过载的影响? 回想起来,在两个引脚之间放置一个限流电阻器可以避免任何麻烦,但是即使是很小的硬件更改,在这一点上也是一件非常困难的事情。 为了以后的参考和后代的利益,对于将两个MCU引脚连接在一起的风险最小化的正确方法,还有其他人是否有任何其他想法,更普遍地说,是将GPIO引脚过载的风险最小化的正确方法?

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可以将PCB用作产品结构的一部分吗?
与我合作的工业和产品设计师继续回到使用PCB作为产品物理结构不可或缺的一部分这一想法。 我们有壁挂式产品,对此我感到非常不舒服。我反对的观点是:“这不是一个好的设计原则,PCB通常只能支撑自身的重量,而不能支撑框架等不必要的东西” 他们认为所支撑的零件相对较轻。这甚至包括使用双面胶带将不锈钢薄框架直接支撑到PCB的空的(无走线或组件)部分,或支撑粘贴到框架上的塑料PCB夹子。今天,他们通过说“什么设计原则?告诉我们它在哪里说”来挑战我的观点。 这些类型的解决方案通常可以由工业设计师提出,因为它为他们解决了很多成本问题,并将某些结构上的责任推到了PCB设计上。 我认为,通常设计用于“悬挂” PCB的产品已经过产品设计师的验证和测试。例如,大型GPU散热器比我们计划放置的任何散热器都要重。但是,如果我们“悬挂”我们自己的PCB零件,那么我们将进入一个我所不了解的整个设计领域。 也许有人可以为我指出有关此类问题的一些答案。最好在焊料开始破裂之前利用PCB所能承受的力获得一些材料。或者也许有人看到了将PCB用作结构一部分的生产产品?我们是一家小型企业,但是我们的产品属于批量生产等级,因此我们需要寻求CE等标准认证。
10 pcb  hardware  mount 

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如何选择垫片/支座来保持电接触?
我遇到这样的情况,我需要一个支座来保持PCB与所连接的机箱之间的电接触。 我的问题是,此应用程序的最佳材料和饰面是什么? 我看到英国皇家空军有铝(未加工),铝(透明铱),不锈钢(未加工)和不锈钢(铬/镍表面处理)可供选择,我希望它们都是导电表面。 哪一个具有最高的可靠性? 这些选择是否存在任何材料兼容性问题(例如与PCB接触会引起腐蚀)? 有没有我没有提到的更好的选择? 编辑 其他信息:该系统必须通过严格的环境认证,包括(IIRC)在85 C / 85%RH下的几百小时。无需通过盐雾或任何其他腐蚀性化学应力。

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作为分压器哪个更好:电阻式,电容式,低通滤波器...?
交流信号的电压衰减器有不同类型(此处为简短说明)。最著名的是电阻式的。电容,电感或低通滤波器等其他器件也可以使用(低通可能包括许多设计,包括无源或有源。感谢Andy Aka 在另一个线程中为其提供了很好的链接)。我知道问哪个更好(特别是对于高频)不是一个好问题,答案是:“取决于”。 我想知道的是它们的优缺点,可能会导致选择最佳设计的结论。

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LVDS线路上的EMI滤波
这个问题与以下问题有关:PCB上辐射了什么? 这些是倍福的EtherCAT工业IO模块。每个模块都通过100mbps LVDS连接到其邻居。每个模块都包含一个ET1200 ASIC,它可以处理总线上的所有通信。 我最近打开了一些书,看看他们使用了什么EMI滤波器。 他们似乎使用了很多滤波组件,这些滤波组件在ET1200 IC的数据表中(或我能找到的LVDS上的任何文档中)都没有提到。特别是,LVDS线路的装饰远远超过建议的单个100R终端电阻。 我相当确定绿色标记的组件是: 电容器类 铁氧体磁珠 共模扼流圈 我认为这是LVDS组件的原理图: 显然,他们必须添加所有这些组件才能通过EMC测试。我对铁氧体磁珠感到非常惊讶。我经常看到在那些位置使用电容器来实现交流耦合。我永远也不会想到要在其中放置铁氧体。 我正在设计使用ET1200 ASIC实现EtherCAT的硬件。我也想通过EMC,所以我想使用相同的组件是我的明智之举。 问题:我需要使用哪种电容和铁氧体磁珠值?是否有任何文件讨论了用于LVDS的此类EMI滤波技术?


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小型晶体收音机没有可用的锗二极管-有源元件可以完成这项工作吗?
我知道在网上很难找到锗二极管,但是因为这是一个演示,所以我宁愿花6-7美元以上的价格仅花费5%来运送一个仍在研究​​中的项目。事实证明,RadioShack在储存锗方面通常没有用。 我确实可以得到741和324之类的豆形软糖组件。我还拥有N和P沟道FET以及BJT的几种变体。在低(微瓦)功率应用中,是否可以使用一些小型且简单的电路来模拟锗二极管的低压降行为?

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减少由小型直流电风扇引起的电噪声
有什么方法可以减少/消除小型无刷直流风扇在ADC中产生的电气噪声?对于低于参考,我还使用这壁疣和这个 5V线性稳压器。 我的基准系统如下所示: 我头脑中有些选择,我想知道最好的选择是什么。 我的第一个想法是[选项A]: 我的第二个想法是[选项B]: 我的第三个想法是[选项C]: 我可能没有想到过其他选项,以及这些选项的排列和组合。这些选择的优缺点是什么?您会选择什么选项,为什么?

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使共享总线充当OR
如果您不耐烦,可以跳过背景。 背景 我正在编程一组与SPI通信的微控制器。有一个主n从共享总线。没有芯片选择。(这不是一个不好的设计,但是n很大,没有足够的空间容纳n多余的行)。 因此,从站有责任保持其MISO处于高阻抗状态,并且最多只有其中一个发言。通过仅在轮询其ID时进行响应才能完成此操作。 现在,我们希望有一个初始发现阶段,在此阶段,主节点会发现附加了ID的从节点。为了使生活更轻松(在某些方面),我们希望具有唯一的ID(因此,例如32位)。这样,主机就不可能简单地逐个轮询id并查看谁做出响应(存在太多可能性)。 为了解决这个问题,我设计了一种二进制搜索的变体,其中从站集体响应,而主站能够快速找到最小id。告知具有该ID的从站不再参与,算法重复执行。(细节不重要)。 不过有一个问题。集体响应必须是所有响应的逻辑或(或逻辑与)。有人告诉我,可以以MISO总线可以用作逻辑OR的方式配置线路。有人告诉我: 将主机上的MISO设置为上拉和 将每个从机上的MISO设置为漏极开路。 我已经尝试过了,但是即使只有一个从机,此配置也无法工作(示波器在行上显示恒定的零)。如果我在主设备上将MISO配置为高阻抗输入,则在示波器上可以看到电压下降到一半,这是两个从设备的输出位不同的地方(我认为基本上是短路)。 注意:在主机上将MISO配置为高阻抗,在从机上将其配置为推挽,即使同一总线上有许多MISO,我也可以分别与它们交谈。我的意思是,我怀疑这是生产线本身的问题。 题 我的问题是,是否完全可能,如果可以,如何配置主机和从机的输入和输出引脚,以使共享的MISO线充当逻辑或(或逻辑与)? 编辑 原来,它变成了具有负真逻辑(基本上是AND)的OR。 通过将1写入主机上的上拉引脚,可以解决单个从机的问题。以前它的初始状态为0。 编辑2 事实证明,ST从机将我的MISO GPIO配置改写为漏极开路,并在写入时强制将其拉高。我决定在这种特殊情况下手动使SPI静默并输出MISO。

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1A时功率MOSFET过热
我正在使用WS2803恒流LED驱动器,TLP250 MOSFET驱动器和IRF540N MOSFET构建一个由Arduino控制的RGB LED驱动器。它是这样的: 图片按比例缩小,因此很难看到,R3,R7和R11是1k电阻。 该电路驱动5m RGB LED灯带(100段),每通道最大消耗2A。因此,每个MOSFET应该需要在最大13V的电压下处理2A电流。IRF540N的额定电压为100V / 33A。RDSon应为44mOhm。因此,我认为不需要散热器。 我显然想使用PWM(2.5kHz的WS2803 PWM),但让我们关注全ON状态。我的问题是,MOSFET在完全导通状态下会严重过热(无开关导通)。您可以在图片上看到以全开状态测量的值。 TLP250似乎可以正确驱动MOSFET(VGS = 10.6V),但我不明白为什么我会得到如此高的VDS(例如红色LED上的0.6V)。这些MOSFET的RDSon应为44mOhm,因此当流过1.4A电流时,其压降应小于0.1V。 我尝试过的事情: 移除TLP250并向栅极直接施加13V电压-当时认为MOSFET并未完全打开,但完全没有帮助,VDS仍为0.6V 拆下LED灯条,并在红色通道上使用12V / 55W的汽车灯泡。流过3.5A,VDS为2V,随着MOSFET的升温而上升 所以我的问题是: 为什么VDS这么高?为什么MOSFET过热? 即使在VDS为0.6V和ID为1.4A的情况下,功率也为0.84W,我认为没有散热片应该还可以吗? 如果使用功率较低的MOSFET(例如20V / 5A),我会更好吗?或使用逻辑电平MOSFET并直接从WS2803驱动(尽管我喜欢TLP250的光学隔离)。 几点注意事项: 目前,我仅在面包板上安装该电路,而将MOSFET的源极连接至GND的电线也变得非常热。我知道这是正常现象,因为有较大的电流流过它们,但我想我只是提到 我是从中国批量购买的MOSFET,难道不是真正的IRF540N且规格较低吗? 编辑:还有一件事。我从这里基于MOSFET驱动器创建了该控制器。该家伙正在为TLP250和负载(Vsupply,VMOS)使用单独的电源。我对两者使用相同的来源。不确定是否重要。而且我的电源是12V 10A稳压的,因此我认为电源不是问题。 谢谢。
10 mosfet  led-strip 

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使用哪个传感器检测尼龙绳的振动?
我需要检测尼龙(透明)弦乐器上的运动。 拨弦时,它会振动,我想知道使用哪种传感器来检测动作。 也许像这里的反射光学传感器(视觉检测)一样?http://www.vishay.com/optical-sensors/reflective-outputisnot-16/ 还是一个很小的压电元件(通过声音检测)?https://www.sparkfun.com/products/9199 我认为压电不起作用,因为要检测的字符串不止一个。琴弦彼此靠近,我猜声音会互相干扰。也许使用一个阈值并计算/选择最大的发射器将是一个解决方案。但我更希望以最干净的方式实现这一目标。 充其量,我不想画线,以为它会破坏声音的延音和/或颜色。
10 sensor  motion 


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通过SDC的ASIC时序约束:如何正确指定多路复用时钟?
介绍 在互联网上以及关于如何正确创建SDC格式的时序约束的一些培训课程中找到了多个,有时是冲突的或不完整的信息之后,我想向EE社区寻求有关我遇到的一些通用时钟生成结构的帮助。 我知道在ASIC或FPGA上实现某种功能的方式有所不同(我已经使用过两者),但是我认为应该有一种通用的正确方法来限制给定结构的时序,而与基础技术-如果我在这方面做错了,请告诉我。 用于不同供应商的实现和时序分析的不同工具之间也存在一些差异(尽管Synopsys提供了SDC解析器源代码),但我希望它们主要是一个语法问题,可以在文档中查找。 题 这与以下时钟多路复用器结构有关,它是clkgen模块的一部分,而clkgen模块又是较大设计的一部分: 虽然ext_clk假定输入是在设计外部生成的(通过输入引脚输入),但clkgen模块也会生成和使用clk0和clk4信号(有关详细信息,请参阅我的相关纹波时钟问题),并且将相关的时钟约束命名为和,分别。baseclkdiv4clk 问题是如何指定约束,以便时序分析器 黄柏cpu_clk作为多路复用时钟,其可以是源时钟中的任一个(fast_clk或slow_clk或ext_clk),同时通过不同的延迟AND和OR门考虑 同时不要中断设计中其他地方使用的源时钟之间的路径。 虽然片上时钟多路复用器的简单的情况下似乎需要只是set_clock_groupsSDC声明: set_clock_groups -logically_exclusive -group {baseclk} -group {div4clk} -group {ext_clk} ...在给定的结构中,由于clk0(通过fast_clk输出)和clk4(通过slow_clk)仍在设计中使用,即使cpu_clk配置为ext_clk仅use_ext在断言时仍然如此,这使情况变得复杂。 如所描述的在这里,所述set_clock_groups命令如上述会导致以下: 此命令等效于从每个组中的每个时钟到每个其他组中的每个时钟调用set_false_path,反之亦然 ...这将是不正确的,因为其他时钟仍在其他地方使用。 附加信息 的use_clk0,use_clk4并且use_ext输入以这样的方式,只有它们中的一个是高在任何给定时间生成。如果所有use_*输入都为低电平,则可以使用它来停止所有时钟,但这个问题的重点是该结构的时钟多路复用特性。 原理图中的X2实例(一个简单的缓冲区)只是一个占位符,以突出显示自动放置和布线工具的问题,该工具通常可以自由地将缓冲区放置在任何地方(例如and_cpu_1/z和or_cpu1/in2引脚之间)。理想情况下,时序约束应不受此影响。

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