电气工程

电子和电气工程专业人士,学生和爱好者的问答

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裸露接地垫的用途
我拥有一个倍福的Beckhoff EL2008 8通道数字输出端子,因为我使用的是模块内的ASIC,即Beckhoff的ET1200。 在模块内部的ET1200周围基本上有一个接地垫环,其中一些带有通孔(它们全部蜂鸣到ET1200的接地引脚)。 我能理解它们是否仅用于粘合接地层,但是为什么要暴露它们呢? 根据过去的经验,ET1200是一个非常敏感的设备,这使我认为它们已受到ESD保护,从而增加了代替ET1200进行放电的可能性。 任何人都可以得出结论性地描述其目的吗? 感谢您的关注。

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正确使用引脚更改中断
我正在尝试使用引脚更改中断来检测按下的按钮。到目前为止,我从未使用过此类中断,并且存在一些问题,因此我想确定这是否正确。 如果我正确地获得了数据表,则必须执行以下操作以使用引脚更改中断: 在PCMSK寄存器中设置要控制的PIN 启用PIN寄存器以进行引脚更改中断控制(PCICR) 启用中断 使用相应的中断向量 项目:简单的Moodlamp,通过4个按钮控制颜色。 设定: Atmega168A-PU 4个迷你按钮开关 MOSFETs控制我的3瓦RGB LED 这是我正在使用的代码无法正常工作: #include <avr/io.h> #include <stdint.h> #include <avr/interrupt.h> #include <util/delay.h> #define BUTTON1 (1<<PC5) #define BUTTON2 (1<<PC4) #define BUTTON3 (1<<PC3) #define BUTTON4 (1<<PC2) #define GREEN (1<<PB1) #define BLUE (1<<PB2) #define RED (1<<PB3) void init() { // enable LED DDRB |= …

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这种面包板接线有什么区别?
作为电子行业的绝对门外汉,我刚刚发现,仅当如图1所示进行连接时,LED才点亮,而如图2所示进行连接时,LED才点亮。我不明白为什么? 我知道LED是二极管,电流只能沿一个方向流过,但是两种结构都是这种情况。我认为这两种结构都没有区别。 那么为什么它显然会有所作为呢? 图1(未示出电池): 图2(未示出电池):


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4060缺少Q11输出
Q11是否在4060 IC上被遗漏了?我已经知道这样做是为了延长最大脉冲时间(最高时钟分频器),但是为什么要在Q11上完成呢?为什么不Q12并因此拥有完整的8位计数器(Q4-Q11)?

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将LED耦合到光纤的各种选择的权衡是什么?
我正在尝试将白色LED耦合到由几根30 uM石英纤维组成的光纤束中。束的外径约为.5mm。光纤的NA为0.87,整个光纤束都放在直径为.125英寸的不锈钢套圈中。我已经阅读了各种不同的耦合方法-从球形透镜到将光纤直接粘贴到LED上的所有方法死。 我很好奇是否有人有做过这样的事情的经验。谁能描述各种方法的优点/缺点?主要的权衡是成本还是传输效率?如果是这样,那么在哪一端使用什么方法? 值得一提的是,我没有在任何特定的LED上出售产品,但是我已经尝试过将套圈简单地固定在LXML-PWC2上进行了试验-iF〜400mA时会产生大量的光(足以供我的应用程序使用)。这是一个合理的解决方案,除了传输效率非常糟糕(显然)之外,因此我必须使用比我想要的更多的电流。结果是产生了一个很大的散热器,我想将其全部缩小或缩小。
10 led  optics 

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230V / 230V交流继电器电路
我已经在Raspberry和继电器板上建立了一个不错的可编程开关。对于驱动普通的230V电器来说是很好的选择,但是继电器似乎很脆弱。我不相信他们能通过它们运行10A的电流。我想连接可能耗费大量时间的设备-家庭用加热器等。显而易见的解决方案是额定电流为该数量级的下一阶段继电器;我的开关输入230V,额定插座上的粗线输入230V,继电器输出上的负载。 模拟该电路 –使用CircuitLab创建的原理图 我想问的-够了吗?我知道驱动由逻辑引脚驱动的继电器需要大量的“胶电子设备”,一个光耦合器,一个用于放大来自光耦合器的信号的晶体管,保护二极管,调节电平的电阻等。驱动一个230V电压时,需要做这种事情从另一个接力?它们之间是否还有其他电子设备,还是可以像上面的示意图中那样安全地直接直接连接它们?
10 relay  ac 

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是否有带有UART端口的ATtiny或类似的微控制器?
我正在寻找一种将传感器和控制网络连接到Arduino的方法,并且我认为通过UART端口进行串行通信可能是一种方法。 我也看过ATtiny芯片,并且我认为它或类似的其他芯片对于传感器和控制网络中的节点可以做得很好。 是否有具有UART端口的ATtiny或类似的微芯片微控制器?
10 arduino  uart 

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从电源上拔下时,LED重点照明会逐渐变暗
我们都使用过不同的变压器和电源,它们的LED指示灯在电源断开后完全熄灭之前会变暗。 我正在设计一种重点照明灯,其中将包含一个半透明的晶体光源(如果可以找到便宜的供应商,可能是树脂或玻璃制成的),其中包含LED和某些电子设备,以及一个可以提供电流的底座。对于游戏玩家来说,它可能看起来像是Welkynd Stone。我的问题是,从底座上取下晶体后,导致LED缓慢变暗(例如2-10秒)的最简单方法是什么?类似于拔出的变压器,但有意控制的调光。 我刚刚购买了一些LED,并计划在接下来的一两个月内构建一个测试系统。这些LED在5米长的条中,分为3个并联的LED串联,额定电压为12v。我不知道LED的安培数,但我猜在20mA范围内(我读到的是亮白色的平均值)。我可能会在测试版本中使用4个系列,总共12个LED。LED灯条链接 如果我将交流电源的变压器内置到基座中,我想我可以使用多个与电阻并联的电容器来存储电,然后将其缓慢放电到LED中。但是我是一个自学成才的爱好者,所以老实说我不知道​​这是否真的有效。我也不知道我需要的电容器和电阻的数量和额定值。 如果我在晶体中内置了变压器,则变压器和整流器将保留少量电能,但我认为它不足以提供我想要的效果,因此必须采取其他措施添加以使其持续几秒钟。 带有控制电子元件的nicad电池实际上是实现此效果的最后手段,在我自己编程电路板之前,我可能会放弃这个想法。 这是我的主要问题。如果有人想对如何将水晶连接到底座进行一些思考,我欢迎您提出建议。我最初的计划是简单地将铜与铜直接连接到基座。但是我最近一直在考虑一种EM充电系统(类似于电动垫或我父亲拥有的这些无线可充电手电筒)。尽管更安全,但无线技术的问题是为LED提供稳定的电源。通过仔细阅读该SE网站,我已经学到了很多有关构建电源的知识,但是如果有人对此有任何建议,我也非常高兴。对于测试版本,如果可以在Goodwill或当地电子零件商店找到12v电源,我可能会将其连接至计算机电源或笔记本电脑电源。 如果我能使用测试模型,则我计划在家庭中建造十多个这样的重点照明。

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控制理论如何应用于我的实际处理器控制的升压转换器?
我对控制理论的了解有限。我在学校处理零极点和转移函数。我已经为DC / DC转换器实现了几种基于微处理器的控制方案。这两件事如何相互关联,我还想弄清楚,我很想知道。以反复试验为基础的设计是可行的,但我更希望对自己在做什么以及后果有更深入的了解。 答案应该集中在如何分析系统上,而不是在如何改进它上。就是说,如果您有改进系统的建议,并希望给出分析原因,那就太好了!只要改进是分析的第二要务。 对于这个问题,我的示例系统是: C1:1000uF C2:500uF L1:500 uH 开关频率:4 kHz R1:可变 输入电压:400伏 输出电压目标:500伏 输出电流限制:20安培 我正在尝试调节输出电压,而不超过输出电流限制。我具有电压和电流检测功能,这些电压和电流检测功能经过各个放大阶段,目前还没有进行分析,但确实包含一些滤波功能。随后是直接在A / D转换器上的100欧姆和1000 pF的RC低通滤波器。A / D采样率为12 kHz。该值通过最后64个采样的单极IIR移动平均滤波器。 之后,我有两个PI循环。首先,电压环路。以下是伪代码,其值缩放为伏特,毫安和纳秒。假设边界检查在其他地方正确实现。如果没有积分项,这些循环的结构将根据最大允许下垂定义P,然后定义积分项,以使最大积分器可以准确补偿该下垂。INTEGRAL_SPEED常数确定积分器加速的速度。(在我看来,这是确保P和我的收益始终保持适当平衡的一种合理方法,而不管我如何设置常数,但我愿意接受其他建议。) #DEFINE VOLTAGE_DROOP 25 #DEFINE VOLTAGE_SETPOINT 500 #DEFINE MAX_CURRENT_SETPOINT 20000 voltage_error = VOLTAGE_SETPOINT - VOLTAGE_FEEDBACK current_setpoint = MAX_CURRENT_SETPOINT * voltage_error/VOLTAGE_DROOP #define VOLTAGE_INTEGRAL_SPEED 4 voltage_integral += voltage_error/VOLTAGE_INTEGRAL_SPEED //insert bounds …

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微控制器驱动的N沟道MOSFET的电压行为
如在此LTSpice模型中所见,我试图通过2N7002 N沟道MOSFET和来自Arduino的5V控制信号来控制连接到7.5电压源的白色LED(3.6 Vf @ 20 mA)。 鉴于我的栅极电压是来自微控制器的5V,我期望MOSFET基本上起开关作用。通过查看2N7002的图表,假设所需电流为20mA,Vgs为5V,我期望晶体管两端的电压降接近零,因此源电压约为7.5V。 但是,从仿真图中可以看出,晶体管两端的电压实际上非常大,因此源极电压仅为〜3V(与预期的〜7.5V相反)。 当我在电路板上做电路板时,得到的结果相同,电源电压约为3V。 谁能解释为什么MOSFET的源极电压比预期的低得多?谁能推荐一个可以在这种情况下有效地允许我使用5V信号和7.5V电源驱动白光LED的开关的晶体管吗?
10 arduino  led  mosfet 

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在相同的矩阵尺寸下,LCD / LED显示屏的高分辨率是否意味着更高的能耗?
如果两个被比较的移动设备具有完全相同的LCD / LED屏幕(矩阵)尺寸和完全相同的电池,那么分辨率更高的移动设备是否会消耗更多的电池,从而需要更频繁地充电? 例如-两个Kiano平板电脑: Kiano Core 10.1,10英寸,8000 mAh,800x1200分辨率, Kiano Core 9.7、10英寸,8000 mAh,1536x2048分辨率。 屏幕尺寸和电池相同的两个设备,分辨率几乎提高了两倍。如果两者使用方式相同,哪一个应该更快地消耗电池(无论以哪种方式)? 哪个假设更正确: 第二个设备将消耗更快的电池,因为它需要更多的像素来供电。 两种设备的电池消耗将非常相似。Second具有更多的像素,但是由于总体屏幕是相同的,因此它们要小得多,因此将使用较少的能量来供电。 我是这个领域的初学者和外行(如果不是,那么无知),因此我对第一个假设深信不疑。但是,事实上,硬件生产商决定为两个设备配备相同的电池,尽管分辨率不同,但这将支持第二个假设。 原谅我在错误的地方提问(如果是的话)。但是,实际上很难确定在Stack Exchange网络上应该在哪里询问有关移动设备硬件的问题。我已经看到了这个,这个和这个 -没有答案说,在哪里问这样的问题。这两个超级用户和该网站的常见问题,并都表示,问题不正确的地方问,如果它涵盖了:“电子设备,媒体播放器,手机或智能手机,除非它们与您的计算机网卡”。如果这两个站点无法说明,则应在此处提出此类问题。

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为什么我的波形在触发之前开始?
我正在学习如何使用入门级数字存储示波器分析SPI总线时钟和数据。我正在使用BK Precision 2542B来测量使用ARM微控制器的Netduino的时钟和MOSI线的输出。 在此图中,我在通道1(黄色)上有时钟,在通道2(蓝色)上有MOSI。触发器设置为使用通道1,使用1.44V的上升沿触发器。时钟方波幅度约为3.3V。 触发指示器水平位于显示屏的中央,但左侧有一个脉冲。我期望时钟的第一个脉冲在触发位置开始。我知道数字存储示波器可以让您看到触发前和触发后的事件,但是我很困惑为什么第一个脉冲不在我预期的位置。 我对触发的理解不正确,还是我只是在使用一个奇怪的示波器? 编辑:脉冲序列的宽度为300μs,以2ms的间隔重复,我的触发释抑值为500μs。调整释抑并没有改变一个脉冲在触发之前的事实。 编辑2: 经过对信号的更多分析(包括使用模拟示波器)后,我认为我确定有时脉冲持续时间约为350μs,而不是300μs。这可能是代码生成帧中的故障。 我发现352μs的延迟时间会产生预期的结果,但是在触发之前,偶尔会有一个额外的脉冲。 我记录了一些帧以显示不存在和存在的脉冲: 如果我将水平时基设置得足够长以查看脉冲的持续时间,则它们之间似乎总是存在至少1.7ms: 因此,尽管我认为超前脉冲是源头上的“毛刺”造成的,但我仍然不确定触发释抑>360μs仍如何产生意外的超前脉冲。


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我的电感器的饱和电流与公式不一致
我已经绕了我的第一个电感器,并用两种方法验证了电感。 但是,当我测试它的饱和电流时,它比公式给我的值低得多: Bpeak=V⋅TonAe⋅NBpeak=V⋅TonAe⋅NB_{peak} = \dfrac{V\cdot T_{on}}{A_e\cdot N}(单位:伏特,微秒,mm 2,匝数) 我将设置为0.2 Tesla,并且我在内核中使用N87材料。BpeakBpeaķB_{peak} 我承认我的绕组很松散,但除此之外,我不确定是什么原因会导致如此低的饱和电流。这一直导致我的升压转换器每次爆炸。 这是我的测试电路,用于测量饱和电流,增加脉冲宽度直到达到饱和为止,还用于方法2的电感测量。 模拟该电路 –使用CircuitLab创建的原理图

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