电气工程

电子和电气工程专业人士,学生和爱好者的问答

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用于传输数字数据的流体(包括空气)的示例?[关闭]
已关闭。这个问题需要更加集中。它当前不接受答案。 想改善这个问题吗?更新问题,使其仅通过编辑此帖子来关注一个问题。 5个月前关闭。 我们通常使用电子在导线之间传递数据,有时我们也使用光。有谁知道使用流体(包括空气)来做到这一点的实际示例系统,以及使用导线的优势?当我搜索气压通信时,会得到TPMS轮胎压力监测或“如何在压力下进行通信”的笑声。另外,我所指的不是在内部装有纸的信使胶囊的管系统,而是通过通过管道或软管调节空气或流体压力来进行数字通信的直接系统。 我听说过在发明4到20mA电流之前在工厂中使用气压来传递模拟过程数据,但是我不确定细节。另外,这是一种模拟技术,我对数字数据流更感兴趣。 我敢肯定这种类型的系统会很慢,但是可能会很有趣。 感谢您提供任何信息!

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USB屏蔽。接地还是不接地?
我得到了一个正在工作的设备来进行一些测试。基本上,一个集成电路已经过时了,因此我需要测试一个替换零件。重做ESD检查后,设备出现故障。 我检查了设备的历史,之前通过ESD时遇到了问题。测试设备有一条记录,说明该设备完全是金属的(不锈钢外壳),只需要通过4kV的接触放电即可(我在英国)。显然,它几次失败,直到在USB屏蔽层和地面之间添加了一个电容器/电阻器,并且引入了一个小的金属接线片,以增加PCB地面与金属外壳之间的接触。然后,这显然允许它通过。 继续前进5年,我正在重做测试。每次我以+ 4kV进行接触放电测试时,该设备都会丢失其内存(这是一个数据记录设备),并且需要恢复出厂设置并重新开始记录才能再次工作。我使用以前的IC重新检查了一些旧的,发现这也失败了。看来这是一个间歇性问题(某些设备在10个测试中通过了3个,其他设备在10个测试中都没有通过,等等),所以在我看来,之前通过ESD测试很可能是a幸。 我尝试了很多事情,我将额外的电容器与将USB屏蔽层接地的电流并联(不同的值,高/低),将电阻器更改为不同的值(较高/较低的电阻),并尝试了铁氧体磁珠。并联,用铁氧体磁珠代替电阻/电容器,正如我在某些地方所建议的那样,但还是失败了。我要让它通过的唯一方法是直接将USB屏蔽层接地。 在网上看,我似乎找不到任何地方明确说明您是否应该将USB屏蔽接地。这个讨论这里有不同的看法,这这里也有它的讨论。该链接提到屏蔽层仅应在主机上接地,而没有设备应将屏蔽层接地。... 该文档说屏蔽层应连接到机箱。然而,在图12中,似乎表明USB屏蔽层应连接到GND平面。 对此似乎有很多不同的看法,所以我不确定下一步该怎么做。屏蔽层接地可以使其通过ESD,但这是否应该做?还是应该继续寻找更好的解决方案?如果是这样,什么是好的解决方案。 更多信息: PCB非常不规则,并且空间狭窄,使得USB连接器附近的接地层很小。 我不允许对此进行任何机械设计的更改。我只是想找到一种易于实施的解决方案,不需要重新设计PCB或产品,因此提出的建议毫无意义。 这是一个工作设备,因此不允许显示原理图,因此请不要提出。USB输入电路基于以下设计: 共模扼流圈,铁氧体和TVS二极管保护已经在设计中。 我不是原始设计工程师。他们不再为公司工作,所以我找不到他们做出设计选择的理由 设备是USB 2.0 单元在-4kV处通过测试,仅在+ 4kV处通过失败 更多信息 注释中所需的更多信息将在此处添加。 安迪(aka):我可以向您展示很多: 我能显示的实际PCB就是: 您会看到接地平面在USB插座旁边停了下来。大孔是USB屏蔽的凸耳与PCB机械连接的地方。R1然后将屏蔽层连接到GND,而电容器C3在另一连接上也进行同样的操作。屏蔽层通过100k res / 100nF电容接地。PCB上装有一个金属卡舌,该卡舌位于金属机箱上。根据旧的ESD报告,这是必需的,否则设备将发生故障。据我所知,除了该示例电路之外,这些都是唯一可以防止ESD的东西。 针对评论中的问题: 在USB屏蔽层上进行接触放电ESD测试时会发生故障(其他所有方面都很好,只是USB屏蔽层发生了故障) 在设备正在记录时进行测试。它没有通过USB连接到任何设备。 我尝试了0R链接到GND而不是电阻器/电容器解决方案,但这仍然失败。当我直接从USB屏蔽线到机箱(连接到PCB GND)添加电线链接时,此问题已解决。我相信这是因为PCB设计。USB侧附近的接地层很小(约12mm x 15mm)。但是底盘很大。这是我无法改变的。 机箱到PCB的GND选项卡的位置在子PCB上,该选项卡的走线距离为30th。(是的,我知道这听起来很奇怪,但是空间限制太荒谬了,这不是我的设计!)
25 usb  esd 

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为什么不制造一个大的CPU内核?[关闭]
已关闭。这个问题需要更加集中。它当前不接受答案。 想改善这个问题吗?更新问题,使其仅通过编辑此帖子来关注一个问题。 6个月前关闭。 我不明白为什么CPU制造商制造多核芯片。多核的扩展是可怕的,这是高度特定于应用程序的,我相信您可以指出某些程序或代码可以在许多核上很好地运行,但是在大多数情况下,这种扩展是垃圾。这浪费了硅芯片空间,浪费了能源。 例如,游戏几乎永远不会使用四个以上的内核。像Ansys或Fluent这样的科学和工程仿真是根据PC上运行的内核数量来定价的,因此您需要支付更多费用,因为您拥有更多的内核,但是超过16个内核,更多内核的好处就变得很差,而您拥有这64个内核工作站...这是浪费金钱和精力。冬天最好买一个1500 W的加热器,便宜得多。 他们为什么不制造一个只有一个大内核的CPU? 我认为,如果他们制造的单核相当于八核CPU,那么一个核的IPC将会增加800%,因此您将在所有程序中获得全部性能,而不仅仅是针对多个核进行了优化的程序。更多IPC可在任何地方提高性能,这是提高性能的可靠而简单的方法。多核仅在有限数量的程序中提高了性能,并且扩展是可怕且不可靠的。
25 cpu 


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为什么使用2.048V和4.096作为参考?
在许多参考电压IC(例如MAX610x)上,似乎可以使用各种不同的参考电压(1.25、1.8、2.5、3.3等)。 令我惊讶的是2.048V和4.096V基准电压源。为什么我们在这些电压下使用基准电压,而不仅仅是2V和4V,它们肯定会更容易在数学上使用?

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普通电容与音频电容
我正在为旧的Schoeps CMT30F麦克风供电。如今,标准电容式麦克风由48V供电,但它们是RadioFrance / ORTF的60s / 70s Schoeps麦克风,当时被定制为-9V或-10V供电。 我需要添加电容器以避免9V进入前置放大器/音频接口。 我被告知要购买“极化100 µF,50V的音频电容器,最好是Vishay”(以前称为Philips)。这些费用每单位超过3欧元,而这些Vishay费用为每单位11.89欧元! 问题:在音频应用中,这种电容器与沼泽标准100 µF / 50V之间的差价是0.20€,即少15倍/少60倍,这是什么区别? 音频频谱中的差异是否可以听到? 顺便说一下,这是我要构建的电源的……嗡嗡声…… 示意图。电容器是音频接口附近粉红色的2件东西(图的底部)。您认为它大致正确吗?

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为什么将芯片设计师称为“三角推动者”?
我听说芯片设计师被描述为“三角推动者”,其想法是某种程度上通过以某种方式在硅上排列三角形来形成芯片上的逻辑。这是如何运作的?我不明白如何安排三角形来创建数字逻辑,或者为什么三角形的形状很重要。

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Windows如何知道它依靠电池供电?
笔记本电脑的DC-DC稳压器板能够以某种方式与Windows通信,以查看剩余的电池电量,但是我的研究没有发现任何问题。 笔记本电脑中的专有主板是否存在数据连接来传达此信息?如果是这样,它是一种什么样的数据连接,它实际上在哪里连接?它仅仅是带有带状电缆的PCI-E端口吗?

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我在这个PCB布局上放了太多吗?
我正在做我的第一个PCB布局(使用Altium),终于走过了自动布线阶段。结果是一团糟,并且缺少一些网络和违反设计规则的行为。我在板上是否装满了东西?还是只需要重新考虑元器件的放置? 木板是两层。 我坚持使用非常特殊的外壳,无法将板的xy轴做大。 这是一个业余爱好,但我在家中有完整的SMD焊接设置(适用范围很广)。连接器的位置是外壳的一部分(否则将是首先要移动的部分)。它是旧式发动机监控系统的直接替代品。它主要从热电偶和热敏电阻进行测量。中央的大型芯片是运行在16 MHz 的ATmega2560。 更新: 感谢您的所有投入。我重新布置了木板,并移至4层。然后,我手动路由了所有内容。现在看起来好多了!

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255 Tbit / s在光纤通信中如何处理?
我从未理解过如何在从电信号到光信号的转换方面达到新的打破记录的数据传输速度。 假设我们有255 Tbits的数据,并且我们想在一秒钟内传输它。(这是现实生活中的成就。)您将255 Tbits存储在255万亿个电容器(即RAM)中。现在,我们有望能够连续读取每一位,查询每一位,以便一秒钟后我们已读取全部255万亿个。这显然不是3 GHz处理器精心策划的。 接收端呢?脉冲频率为255 THz,但是电子设备尝试读取输入信号的刷新率到目前为止不是255 THz。我能想象的唯一一件事就是成千上万个处理器,它们的时钟信号时分复用(延迟)了少于0.000000000001秒。尽管如何实现这种多路复用也使我回到了这个千倍频率差异的问题。


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为什么继电器仍在电烤箱中使用?
我最近买了一个新的电风扇烤箱。它具有数字恒温器和控制系统。令我惊讶的是,我能听到一个继电器在其内部打开和关闭的声音,以控制其加热元件的功率。烤箱的额定功率为4kW(230V)。 我以为它会使用双向可控硅来开关元件的电源。那为什么不呢? 我认为这里的答案不会重复有关在汽车中使用继电器的问题。对于12V DC,切换230V AC的设计标准非常不同。首先,LVDC将使用MOSFET,而市电AC将使用双向可控硅。关于跨半导体器件的电压降和散发废热的考虑是不同的。安全制度不同。操作环境不同。等等。
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什么是触发器?
触发器和锁存器似乎有许多不同的定义,其中一些是矛盾的。 我所教课程的计算机科学教科书可能是最令人困惑的(实际上,我对这本书不太信任,因为在某些地方这完全是错误的)。 我对锁存器(SR,门控SR,门控D)的工作方式以及电平触发和边沿触发器件之间的差异感到满意,至少在逻辑门和时序图方面。但是,我仍在寻找触发器和锁存器的简洁定义。 到目前为止,这是我所相信的: “触发器是可以存储1位的边沿触发双稳态设备”。 “锁存器是一个电平触发的双稳态设备,可以存储1位。” 我已经看过了该网站上有关此内容的以前的帖子,尽管很启发,但我仍在寻找确定的内容。 我要检查的当前理解是在下图中... 并排是我所理解的是电平触发的门控D锁存器的两种实现。 在这些下方是一个上升沿检测器,在短暂的时间,当NOT门尚未响应从低到高的变化输入,即上升沿(红色为1,蓝色为0)。 在最后一个图中,边缘检测器已安装到标有日期的D锁存器中,这就是使它成为触发器的原因。 最后一个图是否真的是触发器,还是只是锁存器? 为什么我们需要给定的主从版本,那么该设备要简单得多?

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为什么相对简单的设备(例如微控制器)比CPU慢得多?
给定相同数量的管线级和相同的制造节点(例如65 nm)和相同的电压,简单的设备应该比复杂的设备运行得更快。同样,将多个流水线级合并为一个流级不应比级数慢很多。 现在以使用五年的CPU为例,它以2.8 GHz的频率运行14个流水线级。假设一个合并阶段;那会减慢到200 MHz以下 现在增加电压并减少每个字的位数;实际上会加快速度。 这就是为什么我不理解为什么许多当前制造的微控制器(例如AVL)以惊人的速度运行(例如5 V时为20 MHz)的原因,尽管几年前制造的复杂得多的CPU能够运行150倍或10倍以上的速度如果将所有流水线级合为一个,电压为1.2 V-ish。根据最粗略的计算,即使使用边界过时技术制造的微控制器,在其提供的电压的四分之一处,其运行速度也应至少快10倍。 因此产生了一个问题:微控制器时钟速率降低的原因是什么?

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